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硅到底还能走多远?

自60年代初硅的平面工艺发明以来,器件的特征尺寸以平均每年13%的比例缩小:到1990年,达到0.5  (本文共3页) 阅读全文>>

《硅酸盐通报》1988年06期
硅酸盐通报

半导体硅器件钝化玻璃

本文介绍了半导体硅器件—晶体管用的钝化玻璃的技术要求,钝化玻璃的分类,概述了玻璃的化学组成及...  (本文共6页) 阅读全文>>

《河北工学院学报》1988年02期
河北工学院学报

MOS.CCD.与VLSI硅器件衬底材料的分析

本文着重从理论上阐述硅外延材料用于MOS C...  (本文共9页) 阅读全文>>

《机车车辆工艺》1988年01期
机车车辆工艺

用液晶显示法测高压硅器件击穿点的装置与实验

不少文献介绍,要保证高压硅器件的高温耐压特性及器件的稳定性,关键在于要保证器件的击穿点发...  (本文共3页) 阅读全文>>

《半导体技术》1989年06期
半导体技术

渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜及其在台面型硅器件上的钝化应用

本文报道了一种新型的非晶钝化膜——渐变组分a-Si:H/a-SiC:H膜在功率器件表面上的钝化应用,研究了该渐变膜的性质和...  (本文共5页) 阅读全文>>

天津工业大学
天津工业大学

基于碳化硅器件的无线充电发射系统关键模块的研究

目前,电子产品快速的更新换代,越来越多的外接电源线不仅占据空间,而且存在各种安全隐患,对于户外恶劣天气变化适应性也比较差。而无线充电技术能够很好的解决这些问题。但大量开关电源的应用,导致电流波形畸变、功率因数和供电效率降低。无线充电过程中,发射和接收线圈需要严格对准,抗偏移性能差,充电区域过小等问题成为阻碍无线充电技术普及的主要原因。本文通过对无线充电发射系统关键部分PFC功率因数校正模块与发射线圈模块的研究,使得系统的损耗降低,提高了系统传输功率,改善了抗偏移性能,增大了充电区域面积。本文主要研究内容如下:1.深入研究了SiC SBD的静态特性和开关特性,并与Si二极管进行对比,总结出SiC器件的优势;对谐振网络两种补偿结构的系统效率和输出功率进行了公式推导,利用MATLAB软件仿真分析负载阻值对系统功率和效率的影响趋势,根据本文所设计无线充电系统的适用对象,选择S-S补偿结构。2.根据设计要求确定了基于IR1150的有源功率...  (本文共104页) 本文目录 | 阅读全文>>