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我半导体发光器件外延工艺与管芯技术获突破

本报讯 记者靖士宽、任爱青报道:山东华光光电子有限公司承担的国家计委高技术产业化前期关键技术研究项目“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”,4月20日在山东省济南市顺利通过鉴定验收,这标志着制约我国半导体发光器件行业快速发展的外延材料与管芯产业化技术获得突破。$$ 据专家介绍,由光学和电子学交叉渗透而形成的光电子技术,其应用非常广泛,涉及光通讯、光电显示、光储存、光电输入输出、激光等诸多领域。目前,我国有一批科学家和高新技术企业致力于光电子技术的研究和开发,全国光电子产业总产值已由1995年的80多亿元发展到2001年的近900多亿元。$$ “半导体发光器件外延工艺与管芯技术”作为我国光电子产业化前期关键技术开发项目,国家和山东省先后投资7300万元,历经3年多时间,才使高亮...  (本文共1页) 阅读全文>>

《国际学术动态》2000年03期
国际学术动态

蓝光发光器件有巨大的市场潜力

蓝光是构成绚丽多彩自然界的荃本色光,与红光、绿光同为平面全色显示的要素,也是一种在许多应用场合不可缺的载息光源。长期以来,制作能耗低、效率高、寿命长、亮度高、结构紧凑、体积小巧、全固体化、使用方便的半导体蓝光发光器件,一直是人们孜孜以求的目标。90年代以来,蓝光发光器件领域出现一系列重大突破,不但实现了半导体蓝光激光器(I JD,Znse基)的室温连续激射,而且长寿命、高亮度的半导体蓝光发光二极管(I卫D,GaN基)已经问世,并开始投放市场。蓝光发光器件广泛应用于国民经济和科学技术的各个方面。 (l)全色平板显示。据美国权威部门预侧,光电平板显示占整个光电子产业市场需求的37%.而蓝光发光器件是实现全色平板显示,尤其是大屏幕全色显示的关键所在。以全色显示为主的蓝光发光器产业的全球市场需求每年约为200亿美元。 (2)光存储器。光存储器的信息存储密度随光源波长缩短而增加。由于蓝光波长短,用于光信息存储可以大幅度提高信息存储密度(约...  (本文共2页) 阅读全文>>

《河北大学学报(自然科学版)》2017年04期
河北大学学报(自然科学版)

掺铒富硅氧化硅发光器件电致发光衰减机制

近年来掺铒(Er)富硅氧化硅成为硅基发光材料和器件研究领域的前沿问题[1].经过退火等工艺形成并析出的纳米晶硅可将能量传递给Er3+离子1.54μm的光致发光从而产生该波长发光的增强作用.这种发光敏化作用可以在集成光放大器和硅基发光器件的制备中得到广泛的应用[2-4],而1.54μm波长对应于光纤材料的最小损耗窗口,使其对光纤通讯技术发展起到巨大的促进作用.为了拓展其应用范围并实现硅基光电集成,开发基于掺Er富硅氧化硅的电致发光器件具有重要意义[5-6].目前,掺铒电致发光器件已被人们广泛报道[7-8],然而对其电致发光研究表明,纳米晶硅(nc-Si)会对Er3+离子的电致发光产生抑制作用[9],而对其电致发光机制和发光猝灭的解释也尚不明确[10-11],这表明需要建立相关的模型对该现象加以探讨.本文以多靶射频磁控共溅射、后退火和光刻等工艺,制备出富硅和稀土Er3+离子共掺杂的Si OxMIS结构电致发光器件.通过稳态荧光光谱、...  (本文共4页) 阅读全文>>

《电子技术与软件工程》2017年21期
电子技术与软件工程

紫外半导体发光器件及其制造方法

半导体紫外光源在国防、环保、信息、能源技术方面得到全面的推广,可见该材料的可以是一种可以在各个行业使用的技术,促进行业内的进步与发展。紫外线半导体发光器件在使用中可以更加科学的提升行业内管理方式和管理技术的创新,更好的支配世界市场。目前世界各个国家都在进行紫外线半导体发光器件的研发,美国的发恐怖生化袭击、日本的紫外线光源照明等,这些新型项目的研发是都依赖紫外性光源技术,并且在管理中得到较大程度的进步,因此我国也需要对该技术进行研发,全面提升技术水平,促进该技术在各个行业的应用推广。1紫外半导体发光材料的发展进程紫外半导体发光材料最早出现在十九世纪三十年代,法国科学家发现硫化锌荧光体粉末进入到油性溶液中就会出现两块电极交流电压的发光情况,从而替代原本的照明,形成新的发光材料。而上世纪六十年代美国率先引入了无机半导体材料,并将Ca As P这类材料使用到发光器件中,从而促进紫外半导体法发光器件的发展,应用范围得到全面的延伸,提升了设...  (本文共2页) 阅读全文>>

《发光快报》1987年02期
发光快报

近年来固体发光器件发展概况

昭和60年度内,这个领域的话题首先是对EL器件的评价高升了,生产增加了,改进和开发的报导也跟着变得更多了。而且发光二极管的亮度有了进一步的提高,又随着半导体激光器的价格下降,可见激光器的应用研制也有了进展,充分利用各种特长,适于推广作为显示、记录和传输等新的光源。 先介绍EL方面。EL作为川,二夕等显示用的优质薄形元件,生产有所发展。夏普公司每月生产5000台左右,口匕7公司月产量约为1000台,其它如了卜一少公司等也开始大量生产,而且驱动用的LSI也开展进一步廉价的开发。此外,A.Abe等人还报导了松下试制的优质屏,象元数为1086x256,尺寸为22 .sxs.zCm,在驱动电压zooV(60Hz)时,亮度为socd/爪,,对比度飞00:l。另一方面,最近正在试用外购的薄型EL作为液晶显示的背光源,其中多半是在有机ITO膜上制成有机分散形,可是还存在亮度、光色、电压和寿命等间题。 但是,为了EL的进一步发展,必须使元件驱动低...  (本文共2页) 阅读全文>>

《真空电子技术》1987年02期
真空电子技术

用金属有机物化学汽相沉积制造ZnS:Mn发光器件

1.引言 薄膜电致发光器件是一种很有希望成为 商业性的平面显示器件,故引起人们的极大 重视。制造薄膜电致发光器件(TFEL)的普通 方法是蒸发、溅射。最近,采用原子层外延 (ALE)、分子束外延(MBE)和金属有机物 化学汽相沉积(MOCVD)来制造薄膜,使器 件研制取得很大进展。 MOCVD技术的优点之一是制造大面积 薄膜成本低。Wrisht等人使用MOCVD技 术,开发出高亮度zns:Mn电致发光器件, 他们使用三拨基甲基茂基锰作锰发光中心掺 到zns膜中去。Dean表示:三毅基甲基茂基 锰的缺点是:基板温度必须在450℃以上,才 能有效掺杂。在这样高的温度下,沉积的 ZnS晶体质量差,并能引起氧化锢锡透明导 电极(rro)退化。在用MOCVD法制造电致 发光器件过程中,我们发现,在400℃以上氢 气氛中,ITO被还原而导致退化。 为避免此缺点,Yasuda等人用等离子 MOCVD法,既能有效的分解TCM,又能有 效的降低生...  (本文共3页) 阅读全文>>