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新兴存储技术突破多 大规模商用是考验

最近,目前主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储技术一定感觉到既有近忧,又有远虑,因为新型存储技术PRAM(相  (本文共3页) 阅读全文>>

中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所)
中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所)

SRAM和FRAM器件单粒子与总剂量的协同效应研究

超大规模集成电路如静态随机存储器(SRAM)和铁电存储器(FRAM)在航天器中应用广泛。SRAM器件具有速度快、功耗低等诸多优势,而FRAM器件由于铁电材料独特的性质,具有天然良好的抗辐射性能与非易失性。随着CMOS工艺的进步,SRAM和FRAM器件集成度愈来愈高,其工作电压降低、引发单粒子效应所需的临界电荷减小。相较微米级器件,空间辐射环境中的带电粒子引起的纳米SRAM和FRAM器件的单粒子效应与总剂量效应出现了一些新现象,严重威胁航天器的安全性与可靠性。本文利用兰州重离子加速器提供的不同种类重离子以及新疆理化技术研究所提供的~(60)Coγ射线,对90 nm和65 nm工艺的两款商用SRAM器件以及一款130 nm商用FRAM器件开展了辐照实验,结合TCAD模拟,系统地研究了γ射线累积剂量引起器件性能参数的退化、重离子辐照参数对单粒子效应的影响、以及总剂量效应与单粒子效应在纳米SRAM和FRAM器件中的协同效应。主要研究成果...  (本文共104页) 本文目录 | 阅读全文>>

电子科技大学
电子科技大学

FRAM铁电材料的微结构与电性能研究

铁电材料与微电子技术相结合,促成了新兴交叉学科——集成铁电学的出现,以铁电随机存储器(FRAM)为代表的铁电集成器件的诞生,推进了信息时代的发展。FRAM器件利用了铁电材料剩余极化双稳态的特点,具有非易失、高密度、抗辐射、抗干扰等优点,被认为是下一代的主存储器,FRAM的研制是当今材料科学领域的研究前沿。ABO_3型PbZr_(1-x)Ti_xO_3(0x1,PZT)和铋层状SrBi_2Ta_2O_9(SBT)是FRAM器件应用最主要的两种材料。由于薄膜科学与技术的发展,人们已经可以采用成熟的硅基CMOS工艺制作低密度的FRAM器件。但是,由于目前对铁电薄膜的生长、微结构及其与电性能的关系,特别是对电畴及其与疲劳行为的关系、电性能与薄膜尺寸的依赖关系,认识还不够完全,使得大规模产业化高密度的FRAM器件尚存在一定困难。此外,材料的选择也陷入两难的境地,一方面,PZT材料具有较高的极化强度,但是疲劳现象严重;另一方面,SBT材料是...  (本文共115页) 本文目录 | 阅读全文>>

北京交通大学
北京交通大学

基于FRAM的铁路事故分析研究

随着铁路在中国的迅速发展,无论是国内高速铁路网还是城市轨道交通在速度和运能上都有了大幅度的提升。但是铁路作为一个与公众生活联系日渐紧密的社会技术系统,就要应对复杂多变的运行环境和交互耦合的内部功能。如果不能处理好系统的这种复杂性就可能造成严重的交通事故,从而给社会和铁路行业带来沉重的影响。传统的事故分析方法很难系统全面地分析事故的致因,而基于系统理论的分析方法能够解决由于系统的复杂性所造成的事故致因的非线性,功能共振分析方法(Functional Resonance Analysis Method,FRAM)就是其中一个代表。对于铁路系统的事故分析,经典的FRAM分析方法在功能识别、变化描述以及共振分析上存在着一些不足。因此本文就这些问题为铁路系统事故的功能共振分析提出一套改进的FRAM分析方法并进行应用,论文主要内容如下:(1)从拉斯穆森的系统分层入手,利用功能在抽象层次模型中的含义构建出铁路系统功能中五个不同的功能层次:核心...  (本文共106页) 本文目录 | 阅读全文>>

《国外电子元器件》2002年04期
国外电子元器件

FRAM铁电存贮器的技术原理

铁电存贮器是一种全新的存贮器 ,它的核心技术是铁电晶体材料。铁电存贮器的最大特点是可以跟随总线速度无限次的写...  (本文共3页) 阅读全文>>

《世界电子元器件》2018年06期
世界电子元器件

富士通推出-55℃操作运行的64-Kbit FRAM

适用于在极寒环境中需维持高可靠性的产业机械应用富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出新款64-Kbit FRAM---MB 85RS64TU(注一)。该款内...  (本文共1页) 阅读全文>>