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机车电子对功率器件可靠性要求高

功率器件在机车上的应用主要在两个方面,一是动力牵引部分,一是辅助电源部分。相对于其他应用领域来讲,机车对功率器件有更高的要求,主要体现在以下三个方面,一是机车应用的环境较恶劣,从温度、振动、冲击、灰尘等等方面都比传统应用场合更差,不但要求器件要耐高温,还需要器件有较强的抗振动能力;二是因为机车频繁启动,功率器件必须有较强的功率循环能力,以获得较长的使用寿命;三是在机车牵引部分的应用要求变流器要有足够的电磁兼容性,以达到最小化的电磁干扰和在内部实现较强的抗干扰能力,因为IGBT开关器件频率很高,du/dt也很高,会通过零部件和线路的杂散电容引起传导干扰。四是功率密度要很高,因为产品设计是模块化封装,要求结构设计很优化,在有限的空间实现较大的功率输出。$$   赛米控在机车电子上的功率器件主要有IGBT和晶闸管等,针对机车电子的要求我们的产品具有显著的特点。比如其他厂家针对机车牵引对于IGBT模块一般是用碳化硅铝基板来取代铜基板,...  (本文共1页) 阅读全文>>

《航天标准化》2000年01期
航天标准化

中国航天科技集团公司元器件可靠性专家组在京成立

中国航天科技集团公司元器件可靠性专家组于 2 0 0 0年 1月 6日在北京召开成立大会。国防科工委、信息产业部军工基础局和中国航天机电集团公司的领导到会祝贺。航天科技集团王礼恒总经理、曾庆来总师、张庆伟副总经理以及各院负责元器件质量的副院长等有关同志和专家组成员出席了会议。会议由张副总经理主持。会上 ,曾总宣读了天科系字 [1 999]1 78号《关于印发元器件可靠性专家组职责与工作程序的通知》和天科人字 [1 999]0 5 6号《关于聘任元器件可靠性专家组成员的通知》 ,并向专家组成员颁发了聘书。接着 ,航天科技集团元器件可靠性专家组首席专家兼专家组组长朱明让代表“元器件可靠性专家组”作了 1 999年的工作总结。总结分为四个部分 :第一 ,专家组的演变过程 ;第二 ,专家组的主要工作 ,可归纳为 6件大事 :①协助总公司机关逐步完善了立法 ;②研究并推进DPA和失效分析 (FA)工作的不断深入 ;③对各可靠性分中心进行审...  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子机械工程》1987年05期
电子机械工程

洁净技术与分立半导体器件可靠性

一、分立半导体器件可靠性 分立半导体器件的质量其主要指标是技术性能、精度、时间稳定性、耐震、抗腐蚀、抗潮湿、抗电磁干扰。温度敏感,寿命、经济性等。影响质量可靠性的因素很多、光说环境因素X::将温度、湿度、气休、化剂、展动···……等因素分别设为x:x:····一x,,”打戊隐函数:X,=F(x,,,伙。··一x.)-叮I一叮.二夕一dxl+夕F.“‘:、……+_。二.立·人11‘d万.x Ox:xZ dx.x.令‘一.…:,的相对变化率,言令一。‘、促使环境因素变化的权·取决、·‘因素在环境诸因素·卜,,l{.l币‘要,..lf作性高低.不仅取决!“环境因素X:,而日.人吊技术丫,材料X也是重要囚素.含起来称SM因索.X;,i健价 嘴刁角川、Jj夕.、卜“叨Z﹄J、设Q一一分立器件可靠性,同样有:Q二小《.X:x:X:X‘X‘)。本文看重结合我厂的生产实践讨论环境因素对可靠性的影响。二、洁净技术在提高分立器件质量可靠性中的作用 ...  (本文共3页) 阅读全文>>

《微电子学与计算机》1988年01期
微电子学与计算机

《微电子学与计算机》杂志社代销下列图书

超大规模集成电路技术,〔美〕5 .M.SzE主编,黄敝等译, 金书共14章,精装,每册7、70元半导体器件可靠性物理,高光渤、李学信编著.全书共8章 44万字,每册4.已6元超大规模集成电子学微结构科学,〔美)N .G.E工NsPRU CH主编,方兆强,蒋志等译 第一册4章27万字,每册2.肠元 第二册6章2T万字.每册2. 86元 第三册6章20万字,每册2.15元 第四册S章25万字,每册2.B0元Mos大规模集成技术(译文集),清华大学微电子学研究 所编译 第一册4了万字,每册名.10元 第二册34万字.2.30元大规模集成电路与微计算机(上朋)黄敝主编,共9章,_ 欲万字每册4T5元超大规模集成电路系统导论、(...  (本文共1页) 阅读全文>>

《半导体技术》1982年05期
半导体技术

提高半导体器件可靠性的措施

一般说来,要提高半导体器件的可靠性,属化与封装等;版图设计和布局中电流分布与须从以下几方面着手:合理的设计方案、先进 密度、热分布与热逸散、金属化层的电徙动效的工艺方法。严格的质量管理,适当的工艺筛 应等。在工艺过程中应针对各种器件的失效机选,及时的失效分析和校正措施都是很重要的 理采取有效的工艺措施:如完美晶体、无缺陷环...  (本文共1页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》2009年03期
固体电子学研究与进展

钝化层质量对高压功率器件可靠性的影响

引言功率器件作为集成电路的一个发展方向,越来越体现出自身的优势和强大的前进动力。功率器件主要包括IGBT、VDMOS、TRENCH等,而VDMOS是其中最重要器件之一。VDMOS由于具有高输入阻抗、开关速度快、热稳定性好、具有负的温度系数、具有良好的电流自调节能力及没有二次击穿等优点,在各种功率开关应用中越来越引起人们的重视。由于其应用范围不断的扩大,在汽车电子、电源控制和PDP显示电路等方面,产品的需求量也越来越大,随之人们对功率器件可靠性的要求也是日渐提高,对于功率器件的可靠性考核的要求及研究也越来越深入,而其中的高温可靠性[6]考核更是重点。许多器件存在的可靠性问题,都会在高温高压环境中加速显现,使器件设计者能够及时有效地根据其失效现象分析,并在设计和工艺上加以改进。在使用平面工艺制造VDMOS器件的过程中,杂质离子会进入硅表面的二氧化硅薄膜中。这些杂质离子(主要是Na+离子)对n型掺杂硅会引起电子的积累,同样地对p型掺杂...  (本文共4页) 阅读全文>>