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京东方将在北京建设第8代TFT——LCD生产线

本报讯 记者梁红兵报道:京东方科技集团8月25日与北京国际信托有限公司、北京亦庄国际投资发展有限公司、北京经  (本文共1页) 阅读全文>>

《复旦学报(自然科学版)》2017年03期
复旦学报(自然科学版)

铋掺杂氧化铟锌薄膜晶体管的研究

采用射频磁控溅射法制备了以非晶铋掺杂氧化铟锌(a-IZBO)为沟道层的薄膜晶体管(TFTs).相比本征的氧化铟锌薄膜晶体管,a-IZBO-TFTs显示出更低的关态电流,正向偏移的开启电压,表明铋掺杂能有效抑制载流子浓度.在铋掺杂含量为原...  (本文共6页) 阅读全文>>

《网印工业》2011年09期
网印工业

日本向三星转让新一代薄膜晶体管技术

据《日本经济新闻》等多家媒体2011年7月21日报道,日本科学技术振兴机构(JST)日前与韩国三星电子公司签订协议,...  (本文共2页) 阅读全文>>

《半导体技术》1970年20期
半导体技术

薄膜晶体管制作工艺的发展概况

介绍了目前薄膜晶体管(TFT)的结构...  (本文共4页) 阅读全文>>

《发光快报》1987年Z1期
发光快报

最优化多晶硅薄膜制成的高性能薄膜晶体管

多晶硅材料制备薄膜逻辑电路和开关阵列器件具有较高的电子迁移率的优点。然而,目前大多数研究工作注重于制备温度在1000℃左右的多晶硅...  (本文共1页) 阅读全文>>

《光电子学技术》1988年03期
光电子学技术

薄膜晶体管

本文综述薄膜晶体管(TFT)...  (本文共9页) 阅读全文>>