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IGBT核心技术及人才缺失 应加快打造产业化体系

新型电力半导体器件的代表,IGBT的产业化在我国还属空白。无论技术、设备还是人才,我国都处于全方位的落后状态  (本文共2页) 阅读全文>>

《半导体技术》1960年40期
半导体技术

电力半导体器件的现状及发展趋势

叙述了电力半导体器件在电力电子装置中的作用,略述了各种双极型电力半导体器件和MOS结构电力半导体器件的主要静、动态特性、...  (本文共8页) 阅读全文>>

《机车电传动》1960年40期
机车电传动

电力半导体器件的发展及现状

讨论变流技术中采用的几种电力半导体器件的发展及现状,指出...  (本文共6页) 阅读全文>>

《电力情报》1940年30期
电力情报

电力半导体器件综述

结合工作经验对国内外一些典型的电力半导体器件在应用中表现的主要动态特性,如:阻尼、开...  (本文共5页) 阅读全文>>

《电力电子技术》1950年30期
电力电子技术

电力半导体器件的现状及发展趋势

电力半导体器件的现状及发展趋势PresentStatusandDevelopmentTendencyo...  (本文共7页) 阅读全文>>

《山东电子》1950年10期
山东电子

电力半导体器件的发展及应用

本文综合论述了电力半导体器件在电力交...  (本文共3页) 阅读全文>>