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铜铁矿山固体废弃物将实现华丽转身

本报讯(记者 王琼杰) 铜矿山的废石、铁矿石的尾矿,这些昔日被企业视为“包袱”的固体废弃物,随着201  (本文共1页) 阅读全文>>

《中国有色冶金》2013年01期
中国有色冶金

加拿大和韩国合资铜铁矿项目推迟

由于能源成本居高,智利矿业项目投资开始受到影响。近日加拿大与韩国联合体(CAPSTONEMINING和KOREARESOURCESCORPO...  (本文共1页) 阅读全文>>

中国地质科学院
中国地质科学院

河北寿王坟铜矿地区构造体系与矿液运移和铜铁矿分布的关系

本文在野外观察分析的基础上鉴定了寿王坟铜矿地区主要构造形迹的力学性质,结合主要构造带应力分布状态和物质成份的对比分析,划分了区内构造体系。用数学力学方法计算分析了寿王坟帚状旋扭构造的力学成因和旋扭断裂运动方式的变异性特征。结合矿化阶段的分析,确定了旋扭断裂为铜铁矿化的成矿构造。应用流体力学理论,结合矿化的物理、化学条件和旋扭断裂的分布状态及运动方式,分析了含矿热液运移和成矿物质沉积特征,并据此分析了旋扭断裂内铜铁矿分布的总体趋势。对构造体系的成生演化与铜及相关成矿元素的地球化学分布状态做了联系分析,并分析了旋扭断裂活动引发的岩石矿物的形变及物相成分变化特征。综合各种控矿因素对区内铜铁矿的分布做了预测分析。  (本文共102页) 本文目录 | 阅读全文>>

武汉工程大学
武汉工程大学

P型铜铁矿结构氧化物半导体CuFeO_2的制备与性能研究

透明导电氧化物由于具有较高的光学透射性能和良好的导电性,在液晶显示面板、太阳能电池、光电探测器等领域得到广泛应用。但目前能够制备的透明导电氧化物材料大多是n型半导体,制备p型半导体材料较为困难。本文基于化学价带修饰理论,采用磁控溅射的方法制备了p型CuFeO_2薄膜材料,研究了不同因素对薄膜结构和光电性能的影响,用水热法制备了p型CuFeO_2粉体,研究了Ca和Ni离子掺杂对CuFeO_2粉体的结构和光电化学性能的影响。利用射频磁控溅射法在石英衬底上制备出非晶Cu-Fe-O薄膜,900°C在N_2氛围下退火后可得到纯相3R-CuFeO_2薄膜。研究了薄膜在氧流量分别为0%、2%、6%、9%条件下磁控溅射制备CuFeO_2薄膜的结构和光电性能。XRD结果表明薄膜在低氧条件下出现Cu_2O杂相,拉曼光谱分析证实薄膜中氧缺陷的存在。紫外可见透射光谱测试显示随着氧流量从0%增加至9%,薄膜在可见光区域的透过率逐渐增强,沉积时间20 mi...  (本文共83页) 本文目录 | 阅读全文>>

昆明理工大学
昆明理工大学

化学缺陷型铜铁矿CuCrO_2的制备及横向热电性质的研究

层状铜铁矿CuCrO_2是一种宽禁带(3.2 eV)透明导电氧化物,由密排Cu层和CrO_6共棱八面体层沿c轴交替堆垛而成,自发形成Cu空位产生的空穴载流子主要在面内输运,晶体具有大的输运各向异性,结合透明导电和各向异性的研究为探索该材料体系的新应用及器件开发打下基础。本论文进行了Cu、Cr、O化学计量比偏离1:1:2的三个系列缺陷型CuCrO_2多晶、薄膜的制备、性能及各向异性的研究和机制讨论,即富Cu型Cu_xCrO_2(x=0,1.05,1.11,1.25)、富Cr型CuCr_yO_2(y=0,1.05,1.11,1.25)以及Mg掺杂CuCr_(1-x)Mg_xO_2(0≤x≤0.08)。采用固相反应法以1100℃/12 h+1100℃/12 h制备富Cu、富Cr系列的多晶;2个系列的铜铁矿多晶均为半导体电输运行为,且符合阿伦尼乌斯(Arrhenius)热激活模式。富Cu系列的多晶相对CuCrO_2 c轴择优生长增强、晶...  (本文共81页) 本文目录 | 阅读全文>>

哈尔滨工程大学
哈尔滨工程大学

铜铁矿型CuFeO_2晶型对其催化PMS性能影响的研究

本文采用水热法合成了不同晶型的铜铁矿结构CuFeO_2催化剂,采用SEM,XRD,EDS,XPS,FT-IR,UV-vis等对其性能进行了表征,考察了合成的水热温度、时间、pH值以及不同改性剂对其晶型结构、形貌等特性的影响,探讨了不同晶型催化剂的合成机理。并用于催化单过硫酸盐(PMS)降解水中酸性橙(AC)。考察了溶液pH值、光照等因素对AC降解效果的影响,结合自由基淬灭实验、表面羟基实验,XPS分析等,探讨了PMS活化机理。以CuSO_4和FeSO_4为原料,不添加任何还原剂,在100℃、12 h、pH为13.0的条件下制备的CuFeO_2催化剂为菱方(3R)和六方(2H)共存的晶体形态,计算得知3R晶型含量为89.6%,混合晶型催化剂为六角盘状结构、粒径直径约为0.5μm,厚度为0.2μm,催化剂中的元素组成与CuFeO_2分子式元素相同,禁带宽度为1.44 eV。将其用于催化PMS降解AC效果良好,当催化剂投加量为0.1 ...  (本文共97页) 本文目录 | 阅读全文>>