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可控硅的特性和使用方法

对单向可控硅来说,当栅极电压达到门限值V↘↘GT↙↙且栅电流达到门限值I↘↘GT↙↙时,可控硅被触发导通  (本文共2页) 阅读全文>>

权威出处: 电子报2001-07-08
南京理工大学
南京理工大学

大功率半导体器件在电容储能脉冲功率源中的特性研究

本文以电磁发射脉冲功率源为研究背景。脉冲功率源是电磁发射系统的重要组成部分,是电磁发射技术的基础和研究重点,其作用是向电磁发射平台提供高电压、大电流、高功率的电能。采用大功率半导体器件作为脉冲功率源的开关器件,满足了脉冲功率源小型化、模块化、高功率、重频率、全固态等重要发展趋势。在脉冲功率浪涌放电环境下,大功率半导体器件承受着高电压、大电流、快电流上升率等工作特点,工作环境十分恶劣,其工频环境下的工作特性已经不能准确反应其在该环境下的工作情况,脉冲放电环境下的浪涌特性才是需要重点研究的性能指标。本文正是基于此应用背景下,研究大功率半导体器件在电容储能脉冲功率源中的工作特性。文章的主要内容由以下部分组成:(1)介绍电容储能脉冲功率源系统的原理和组成,并计算分析单模块和多模块脉冲成形网络(Pulse Forming Network, PFN)放电过程,引出本文所要研究的大功率半导体器件在放电过程中的作用和基本特性。(2)研究大功率硅...  (本文共79页) 本文目录 | 阅读全文>>

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