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32nm大战悄燃战火

技术发展的脚步永远不会停息。11月12日,Intel刚刚宣布全面推出基于45nm制造工艺的新一代处  (本文共2页) 阅读全文>>

《电子工业专用设备》2017年01期
电子工业专用设备

20nm高介电常数金属栅极缺陷减少技术

介绍了20 nm平面技术生产线前端缺陷减少的方法、结果及改善。介绍的缺陷检...  (本文共6页) 阅读全文>>

《信息系统工程》2008年03期
信息系统工程

高K-金属栅极和45纳米

在过去一年中,随着媒体对英特尔45纳米和高K-金属栅极的介绍和评论,让大家开始知...  (本文共4页) 阅读全文>>

《电镀与环保》2015年02期
电镀与环保

电镀制备太阳能电池金属栅极

本发明涉及一种太阳能电池。该电池为叠层结构,底层为光伏结构...  (本文共1页) 阅读全文>>

《中国数字医学》2007年12期
中国数字医学

英特尔发布采用45纳米高-K金属栅极硅制程技术的环保型处理器

11月12日,英特尔公司发布16款采用45纳米高-K金属栅极硅制程技术的服务器及高端...  (本文共1页) 阅读全文>>

《金属功能材料》2008年03期
金属功能材料

CMOS器件用金属栅材料的研究进展

传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求,因此需要金属栅极材料来取代多晶硅。...  (本文共6页) 阅读全文>>