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元件厂商:应用需求旺 今年不悲观

【黄女瑛/DigiTimes专稿】2006年首季度,多数电子元件的合约价均维持与上1季度相当,延续2005年的高档价格水位,然而,此模式不免令人怀疑,这种淡季不淡的现象会不会和2004年一样,到了下半年传统旺季反而变得旺季不旺?对此,电子元件厂商表示,因元件业的高效率运作模式,所以较难判断长期性的景气波动,不过从目前许多电子产品数码化、LCD产品需求快速成长等现象来看,并未受到景气波动影响,这也将支持2006年电子元件的市场需求,因此,从应用端来推断,只能说2006年应该不悲观。$$由于2004上半年的需求比下半年为好,造成淡季不淡、旺季不旺的“倒循环模式”,而2006年首季度同样维持2005年旺季的高档需...  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子计算机动态》1959年02期
电子计算机动态

防空計算系統可靠元件的研制

引言高速电子数字計算机的可靠性与很多因素有关,其中之一·就是組成系統的电子兀件的性能。本文旨在討論一个关于电子元件可靠性的計划。这个計划首先要硏制能滿足防空計算机需要的电子元件。系統的要求用在电子系統中元件的型号及質量在很大程度上决定于該系統迗行的要求。目前这一电子系統有兩个主耍的耍求,这些要求使得电子元件的选擇与使用受到限制。首先要求系統必須能長期連續工作。只有在進行定期的日常檢修时,正常工作才暫时中断一下,伹对电子元件的操作环境幷沒有什么嚴重的改变。其次要求尽力減少系統在迗行过程中設备的損坏事故。第一个要求意味着每一元件的平均使用寿命要長,約达几万小时。大家知道,目前的电子元件如电阻,电容,二極管等,如果工作在合適的环境,幷且操作上不蔬忽大意,是有可能滿足此要求的。所謂元件損坏就是說,假若当其他各种条件都正常时,元件的特性突然發生变化,致使計算机發生錯誤操作。因此,第二个要求也就是元件的損坏要尽量減少,这就需要在正常的迗行条...  (本文共3页) 阅读全文>>

《汽车与驾驶维修》1995年02期
汽车与驾驶维修

巧换硅元件

目前生产的交流发电机,硅元件大多改用整体式元件板,这样虽然制造工艺简单,但给元件的维修装换带来困难,经常因一个元件的损坏而造成这个整体元件饭{I乏废.从旧更授一‘个新的元件板,很不经济,有时j丕很难买到同型号的元件板。庄此向夫家推荐t一个巧换硅元件的方法。 发观某一个硅元件损坏时,可将元件板拆下来分解后将损坏的那个元件用小钢锯锯下...  (本文共1页) 阅读全文>>

《金卡工程》2013年Z1期
金卡工程

全球TSM服务启动 NFC安全元件需求看涨

近距离无线通讯(NFC)安全元件(Secure Element)商机可期。英国、法国、新加坡、北美、中国大陆、韩国、日本和台湾等地的授信服务管理平台(TSM)陆续启航,将推助NFC行动支付商机于2013年底起飞,进而引领NFC安全元件成为市场生力军。欧贝特(Oberthur)台湾/香港区电信暨创新服务事业群总监詹澄翼表示,NFC行动支付市场进入商用化阶段后,智慧型手机除必须内建NFC控制器外,亦同时须嵌入NFC安全元件,以实现完整、安全的NFC行动支付应用。据了解,现阶段除英国、法国和新加坡等地区的TSM服务模式已成形外,Google、三星(Samsung)、开南大学和中华电信等亦积极推出TSM平台。詹澄翼预估,此波TSM建置潮将带动NF...  (本文共1页) 阅读全文>>

《电气电子教学学报》2010年06期
电气电子教学学报

忆阻元件的研究进展

0引言1971年L.O.Chua(蔡少棠)根据电路元件端口变量间关系的结构完整性,提出了存在直接关联电荷和磁链的第四类基本的无源电路元件—忆阻元件,并阐述了忆阻系统和忆阻元件在电路中的潜在用途[1]。但当时这一重大发现没能引起足够的重直到2008年惠普实验室声明成功制作出了基于金属和金属氧化物的纳米尺度的忆阻元件,并建立了忆阻元件的微分数学模型[2],才使大家重拾此话题。自2008年以后,关于忆阻元件的研究论文相继出现在一些杂志和会议论文集中[3-14],本文根据文献资料对近几年的研究情况做一小结。1忆阻元件的模型及其数学表示蔡先生给出的忆阻元件的数学模型为M(q)=dΨ(q)/dq(1)u(t)=M[q(t)]i(t)(2)惠普实验室给出的忆阻元件的基本模型如图1所示。其中,D为忆阻器的长度,w表示元件的参杂宽度。总电阻R的阻值为掺杂部分电阻Ron与非掺杂部分电阻Roff的阻值之和。掺杂部分的电阻率小于未掺杂部分的电阻率,所以...  (本文共3页) 阅读全文>>

《电测与仪表》2004年03期
电测与仪表

Z元件的力敏效应与微观机理的研究

0引言Z-元件是由俄罗斯传感器专家V.ZOTOV教授发明的一种N区被重掺杂补偿的特种PN结。该元件的最大优点就是无需前置放大和A/D转换器就可以直接输出开关信号或频率信号,并可与计算机直接通讯。目前,对温敏、光敏、磁敏Z元件的研究已经有了一定的进展1、2、3,但由于Z元件体积很小,非常薄脆,对力敏Z元件的研究一直处于探索中4、5、6。1Z元件的力敏现象分析Z元件具有特殊的“L”型伏安特性,如图1所示7。该特性可划分为三个工作区,其中M1为高阻区,M2为负阻区,M3为低阻区。M1区和M3区都是相对稳定的,两区之间可快速转换,转换时间约30~50μs。图1中Vth为阈值电压,表示Z元件承受的电压VZ达到该值时,可快速产生状态转换。Ith为阈值电流,它表示Z元件状态转换前流过的最小电流。Vf为导通电压,它表示Z元件状态转换后的两端电压。If为导通电流,它表示Z元件状态转换后流过的最大电流。P(Vth,Ith)点是受敏感源控制的灵敏点,...  (本文共3页) 阅读全文>>