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纳米闪存的今天

近年来,快闪(flash)存储器的产量出现了高速增长,快闪存储器的销量已超过了动态随机存储器  (本文共7页) 阅读全文>>

《电子设计技术》2010年03期
电子设计技术

模拟浮栅技术获得承认

正如其名称暗示的那样,浮栅晶体管的驱动端子与该器件的其它部分彼此绝...  (本文共6页) 阅读全文>>

《微处理机》1987年01期
微处理机

LN2716—16KEPROM的研制

本文将介绍紫外光擦除、电可编程序“唯读”存贮器—16KEPROM 的研制概况。...  (本文共14页) 阅读全文>>

中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)
中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)

先进分栅闪存器件集成制造的整合与优化

集成电路制造是一门以微电子学为基础、涉及众多领域的新兴交叉学科。如何有效地对上千道复杂工序进行整合与优化,从而保证集成电路芯片的顺利生产是一个学术价值与市场价值兼备的课题。本论文提出“利用模型指导整合与优化”的新理念,并以此为指导,结合实际生产中碰到的问题,对先进分栅闪存器件集成制造的生产工艺改进与器件性能改善进行了系统研究。论文首先创立了“浮栅动态擦除方程”来描述器件的动态擦除特性,并通过解方程得到了“浮栅电位”的解析表达式。由于表达式中包含的器件结构参数可以通过实际测量与合理近似得到,因此浮栅电位能够通过计算确定。由此,论文建立起一个将器件结构参数与器件性能紧密联系在一起的实用双栅器件模型,并利用该模型对器件擦除后器件特性的模拟与实测数据的比较对模型进行了验证。在利用模型指导生产工艺改进方面,论文首先利用实用双栅器件模型分析了隧穿薄膜厚度波动对于器件性能的影响。在对ISSG退火工艺的薄膜生长特性进行充分研究的基础上,利用其可...  (本文共93页) 本文目录 | 阅读全文>>

兰州大学
兰州大学

有机场效应晶体管(OFET)型浮栅存储器的研制

存储器作为信息存储、传输以及交流的主要载体,在人们日常生活中越来越不可缺少。有机场效应晶体管(OFET)型浮栅存储器因具有无损读出、可单晶体管存储以及与半导体集成工艺兼容等优势成为了有机存储器件研究的重要方向。本论文使用多晶硅(poly-Si)和碳量子点(C-QDs)作为浮栅制备了OFET型浮栅存储器,并分析了器件特性。主要内容如下:以多晶硅作浮栅,研制了结构为重掺杂的硅衬底(n~(++)-Si)/SiO_2/poly-Si/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)/并五苯(pentacene)/Au的OFET型浮栅存储器。研究结果表明,随着PMMA隧穿层薄膜厚度的增加,器件的迁移率、同栅压下器件的沟道电流以及器件的存储窗口减小。PMMA隧穿层的退火时间会影响隧穿层薄膜的粗糙度,过长和过短的退火时间都将导致器件特性变差。对OFET型多晶硅浮栅存储器的电荷保持时间进行测试,结果表明,存储在多晶硅浮栅的载流子在100 s内快速流失,1000 s...  (本文共75页) 本文目录 | 阅读全文>>

南京邮电大学
南京邮电大学

基于聚合物包裹C_(60)的有机场效应晶体管多位存储器的研究

信息爆炸的时代人们日常生活中产生的电子信息日益增长,对计算机、手机等电子产品的性能要求越来越高,对信息存储设备的尺寸、容量、稳定性、速度等的要求也越来越高,未来的电子信息设备会逐步朝着可穿戴方向发展,所以发展基于有机材料的电子器件是有前景的方向。本论文主要研究有机场效应晶体管存储器,基于有机聚合物材料掺杂有机半导体小分子材料作为存储层,分析目前相关领域的研究进展,采用浮栅型的结构作为主要研究对象,分析目前制备浮栅型器件过程中需要制备多层,工艺复杂且不易控制,决定采用掺杂的方法,一步旋涂制备存储层。制备的有机场效应晶体管存储器载流子迁移率达到0.3 cm2/Vs以上,并且具备105的存储窗口,很好的稳定性和耐受性,在10000 s维持稳定性测试后,电流衰减在一个数量级以内,30次读写擦循环测试后几乎没有衰减。基于合适的聚合物与半导体小分子掺杂浓度制备的存储层,又测试了其多位存储的性能,器件具有较大的存储窗口和存储电流开关比,得到稳...  (本文共57页) 本文目录 | 阅读全文>>