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硅——未来的能源

最近,美国桑迪亚国家实验室的研究人员利用硅芯片制造了一台传动发动机。此  (本文共2页) 阅读全文>>

《科技与出版》2009年06期
科技与出版

德科学家研制出世界最快硅芯片

德国卡尔斯鲁尔大学日前宣布,该校的一个国际研究小组成功研制出目前世界上最快的超速硅芯片,这种芯片可以同时...  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子科技导报》1950年70期
电子科技导报

走向2000年的硅芯片技术

走向2000年的硅芯片技术李炳宗(复旦大学)1硅芯片——信息社会的重要物质基础90年代以来,在世界各国...  (本文共4页) 阅读全文>>

《电子器件》1988年01期
电子器件

硅集成系统设计导论

一、超大规模集成(VLSI)特点及能力1.集成度与计算能力自1959年世界上第一块半导体硅集成电路研制成功以来,集成电路以其极高的性能价格比,受到工业界及学术界极端的重视,实现了人类历史上最为迅速的技术发展.衡量...  (本文共7页) 阅读全文>>

《国际科技交流》1988年09期
国际科技交流

超导芯片的最新进展

据美联社1988年3月17日报道,美国通用电气公司宣布,该公司的科学家已将超导膜涂复在硅芯片上,并使之在比液氮...  (本文共2页) 阅读全文>>

西南科技大学
西南科技大学

热失配对MEMS上层芯片变形的影响和测量

微机电系统器件由于其微型化和高度集成化,目前广泛的应用在航空航天、汽车、医疗以及消费电子等领域。在MEMS传感器的加工制造过程中,其封装的要求和造价都占到了整个器件的很大比例。板载芯片作为目前比较广泛的一种芯片封装方式,将上层芯片通过封装胶粘贴固定在基板上。其中,微加速度计等MEMS器件在持续热载荷的工作状态下,由于内部硅芯片与封装胶、基板等封装材料间的热膨胀系数不匹配,会导致因为热失配而引起芯片结构的热应力和热变形,甚至是封装结构的剥离和分离,严重时可以导致整个MEMS器件的失效。针对封装结构因热失配导致硅芯片表面的热变形和应变,我们通过有限元和实验进行分析表面变形和应变的分布情况。首先,建立基板-粘结层-硅芯片有限元分析模型,利用有限元方法分析了封装胶、陶瓷基板及上层硅芯片的厚度变化对上层硅芯片表面热变形和应变的影响;然后,通过实验来测量封装结构的上层硅芯片表面变形和应变,实验结果达到了预期的目的和要求,也提供了一种微尺度下...  (本文共61页) 本文目录 | 阅读全文>>