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东气西调长江第一隧穿越工程贯通

本报泸州讯日前,从中铁二十三局集团传来喜讯,由该局集团三公司承建的川渝气区东气西调(南干线复线输气管  (本文共1页) 阅读全文>>

权威出处: 经理日报2008-04-03
《物理学报》2012年17期
物理学报

由单负材料组成的一维对称型光子晶体中的隧穿模

由电单负材料A和磁单负材料B构成了一维对称型光子晶体,数值计算表明其带隙中出现了一隧穿模.材料层数增加,隧穿模宽度急剧变窄,而其位置...  (本文共6页) 阅读全文>>

郑州大学
郑州大学

一维电子隧穿寿命的理论研究

量子隧穿是一个很古老的课题,同时这也是量子力学中最为神奇的现象之一,1931年Condon首次提出了“粒子穿过势垒需要多长时间?”的问题,在此之后许多研究者都在这一领域做了大量的探索工作。由于量子力学中的测不准关系,一个粒子的空间位置和动量是不可能同时确定的,因此不能用经典力学的方法来得到隧穿时间,但是粒子运动状态的改变总是要需要时间的,并且这段时间应该是可以测量的,粒子的隧穿时间的研究对半导体器件的制造具有理论上的指导作用。本文采用投影格林函数近似方法(PGF)计算局域在一维单势垒,双势垒以及多势垒量子阱结构中的电子的隧穿寿命,我们将PGF近似运用到特定材料的单势垒,双势垒以及多势垒的量子阱结构,在计算中我们主要选取了GaAlAs和AlAs材料的量子阱结构,计算局域在其中的电子的隧穿寿命,讨论其影响因素和分析其走势原因,并采用Origin等数学软件对结果进行了可视化的数值分析,所得的结果有助于更好的理解器件材料的性质。隧穿寿命...  (本文共61页) 本文目录 | 阅读全文>>

《山东师范大学学报(自然科学版)》2018年01期
山东师范大学学报(自然科学版)

一维单势垒结构中的电子隧穿寿命

运用投影格林函数方法(PGF)研究一维单势垒结构中的电子隧穿时间这一古老而基础的问题.将PG...  (本文共6页) 阅读全文>>

《太阳能学报》2013年12期
太阳能学报

倒装多结太阳电池的隧穿结优化

利用MOCVD设备进行倒装多结III-V族半导体化合物太阳电池隧穿结的外延优化。利用XRD和SEM对样品进行结构分析,结果表明样品晶格质量较高,晶格匹配度良好;通过芯片工艺后,获得所需太阳电池片,I-V电学测试结果表明隧穿结带隙、厚度和掺杂是影...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体学报》2004年01期
半导体学报

耦合双量子点中基态电子的隧穿特性

介绍了以 Si/ Si O2 系统构成的量子异或门的工作原理 ,研究了耦合不对称双量子点所构成的量子比特的电子隧穿特性 .研究结果表明 ,通...  (本文共5页) 阅读全文>>