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细说CPU的铜制程

自CPU诞生以来,芯片制造一直采用的是铝技术。但是,“伴铝”数十载后,CPU上的硅片有了更生机勃勃的“铜伴”。尽管由于技术实现的难度,此后一段时间铜伴硅和铝伴硅将共存,但从发展趋势来看,铜技术的应用前景非常看好。$$在CPU芯片上,晶体管之间有微电缆联接,通过该微电缆实现晶体管之间的传导。如果这些微电缆为铜质,我们即称该芯片为采用了铜技术的铜芯片。显然,这里称的铜芯片,并非指芯片整体为铜制,而是芯片基体为硅,铜只是附在硅片上,以微电缆的形式联接硅片上的众多晶体管。只是因为微电缆对整个芯片比较重要,所以人们称这样的芯片为铜芯片。在IBM推出铜芯片之前,所有CPU中的这些微电缆均采用铝制电缆,我们惯称为铝芯片。$$在未来的发展中,芯片上的晶体管将越来越多、越来越小,其间的微电缆也将随之趋向更加细小。同一种材质,电缆越细,其电阻将越大。这样会带来不利影响,一方面较高的电阻将影响芯片的工作效率;另一方面,高电阻将会导致高热的产生,损害芯...  (本文共2页) 阅读全文>>

《电子计算机动态》1959年10期
电子计算机动态

介紹两篇关于晶体管大信号运用特性的基本文献

結式晶体管的开关特性在計算机中獲得广泛的应用因此了解和掌握晶体管的大信号特性就成为机器硏制者的重要任务。关于晶体管大信号运用之文献甚多,現介紹兩篇基本的、_也是比較經典的文献,供讀者参考。(一)結式晶体管的大信号特性。文献中铪出了結式晶体管的25端陵絡理論,幷把它应用于大信号运用之三个区域,从而導出开阻抗及关阻抗之;公式,这些公式是用易于測量之晶体管参数表示的;不僅如此,本文尙对开关之轉換加以討論D文章首先根据擴散方程導出晶体管的四端兩絡士程式,它的四个系数为a12 a2i a22幷且a12=a2,;然后利用晶体管的四个参数I£,,1“;°i)來表不aii,ai2,a2i,a22.用它們來表示IE,I。之非綫性方_式,即理想晶体管之方程式。.、■在第二節中作者把此理論闬于I(截止区域),I(作用区域),I.C电流飽和区域),幷把实际'晶体管之差^用附加綫性元件加以表示,这样就得出了这些区域之等效綫路,接着分析了共射及共集綫路,幷...  (本文共1页) 阅读全文>>

《中学物理教学参考》1994年05期
中学物理教学参考

世界上最小的晶体管问世

日本东芝公司最近开发出世界上最小的晶体管,这种晶体管的电极长度只有0.04微米,比此前的记录缩短了40务,如果用这种晶体管制作集成电路,可以制出记录容量提高数百倍的存储器. 东芝新开发的晶体管是...  (本文共1页) 阅读全文>>

《传感器世界》2017年02期
传感器世界

瑞典研发全球首款热驱动晶体管

来自《自然·通讯》的消息,瑞典linkopingUniversity研究员Dan Zhao和Simone Fabiano开发出了全球首款由热信号而非电信号驱动的晶体管逻辑电路,温度变化1°即可在晶体管中检测到变化的电流。这款热驱动晶体管能够使许多新应用成为可能,例如极小温差探测,以及监测伤口愈合过程中所使用的的功能性医疗敷料。利用该晶体管构建的红外光热驱动控制电路,还可应用于热像仪等应用。该晶体管的热灵敏度比传统的热电材料高100倍,这意味着仅需将热敏电解质(作为传感器)该晶体管电路连接就足够了。一个传感器结合一个热驱动晶体管就能创造出一个“智能像素”。这种智能像素阵列便能够代替目...  (本文共1页) 阅读全文>>

《中国新通信》2015年21期
中国新通信

浅谈晶体管技术的领域趋势

同时装灰,同时输灰。2、空吹管线步序3、装灰步序4、输灰步序1)在输灰过程中,当出口母管压力0.35MPa时,开大补气阀。2)在输灰过程中,当出口母管压力0.5MPa时,停止除灰程序,关进气阀,开排堵阀,开排气阀。3.3注意事项1、由于二电场(3、4号仓泵)、三电场(5、6号仓泵)为一根输灰管线,因此当二电场处于任一除灰步序时,三电场不能启动除灰(无论单操或自动),反之亦然。2、任一电场单一仓泵处于单操除灰步序时,此电场另一仓泵不能启动单操除灰。3、自动除灰时,仅在初次启动时进行空吹管路,再次循环时不再进行空吹管路。4、1—6号仓泵启动单操除灰每次均需启动空吹管路步序。3.4除灰程控调试1、调试前系统应具备条件1)就地表计、气动执行机构、气源管路、就地控制柜、PLC控制柜、操作台等设备已全部就位。2)空压机工作正常,所提供的控制气源压力波动不超过额定值的±10%。3)PLC柜2路控制电源已具备投用条件。备用电源切换时间不超过5m...  (本文共2页) 阅读全文>>

《辽宁科技大学学报》2013年05期
辽宁科技大学学报

无结晶体管的研究现状及展望

纵观信息时代,电子设备技术飞速发展,晶体管的作用尤为重要。1947年世界上第一只晶体管在美国贝尔实验室问世,使半导体集成电路有了很大发展。在半导体集成电路的迅速发展中,绝缘栅场效应管(MOSFET)的发明为大规模集成电路的发展打下基础。美国英特尔公司创始人戈登·摩尔提出当价格不变时,单位面积上集成电路可容纳的晶体管数目平均每隔一年增加一倍,性能也将提升一倍[1]。正是由于晶体管的体积的减小、集成度的提高,才有了当今信息时代的飞速发展。通过模拟计算,MOSFET沟道的物理极限长度可以达到10 nm[2]。然而,受到工艺条件等的限制,MOSFET还达不到它的物理极限长度。为了满足电子器件的发展,MOSFET不但要有更短的沟道长度,而且也要具备较高的掺杂浓度。但是,在小范围内很难改变掺杂浓度,使MOSFET的发展受到了阻碍。因此,新型无结晶体管(Junctionlesstransistor,JLT)的研制是大势所趋。1925年10月,...  (本文共5页) 阅读全文>>