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量子阱技术 欲指引闪存未来

东京大学和AMD公司都在最近召开的国际电子器件会议(IEDM)上发表了他们的研究论文,他们以非常巧妙的方法利  (本文共2页) 阅读全文>>

《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》2011年03期
内蒙古民族大学学报(自然科学版)

有限深对称量子阱中电子量子比特的性质

通过求解有限深对称量子阱中电子的能量本征方程,得到电子的能量状态;并以此为基础利用基态和第二激发态叠加构造一个量子比特,研究电子量子比特的性质.数值计算结果表明:概率密度的振荡周期与量子阱宽度和深度均有关,当势阱深度给定时,振荡周期随量子...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体光电》2010年04期
半导体光电

1053nm超辐射发光二极管量子阱的设计

对于给定波长的超辐射发光二极管,根据应变量子阱理论,研究了器件有源层组分与量...  (本文共4页) 阅读全文>>

《电源技术》2009年09期
电源技术

热退火中应变量子阱的扩散激活能的研究

进行了可用于太阳电池的应变量子阱的退火性质研究,并对传统数据...  (本文共3页) 阅读全文>>

《江西通信科技》2009年03期
江西通信科技

1064nm应变量子阱的理论设计

根据应变理论及有限深量子阱理论,对确定的In含量的InGaAs材料进行系统的计算,得到激...  (本文共4页) 阅读全文>>

《科技创新导报》2009年32期
科技创新导报

量子阱器件的发展及其应用

随着半导体量子阱材料的发展,量子阱器件广泛应用于各种领域。本文主要介绍量子阱的基本原理...  (本文共3页) 阅读全文>>