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NVE开发磁热MRAM

NVE公司正在开发一种新型磁热MRAM。这种MRAM用磁场和靠电流脉冲实现的超快加热来增加密度及降低写数据时所需  (本文共1页) 阅读全文>>

《单片机与嵌入式系统应用》2017年01期
单片机与嵌入式系统应用

一种成本更低的全新静态DRAM存储单元

Kilopass研发出了一种全新的静态随机存取存储器(static RAM)存储单元,可被用作DRAM存储单元。它被称为垂直分层晶闸管(Vertic...  (本文共2页) 阅读全文>>

《微电子技术》1998年03期
微电子技术

1Gb DRAM用的存储单元

日本东芝公司已研究成缩小下一代IGbDRAM用的存储单元面积的技术。新技术具有以下特点:适用于采用多层电容的D...  (本文共1页) 阅读全文>>

《微电子技术》1996年02期
微电子技术

NEC公司开发1Gb DRAM用的存储单元

NEC公司采用0.2μm电子束曝光技术已制成0.375μm2单元面积1GbDRAM用的存储单元。新存储单元,由于...  (本文共1页) 阅读全文>>

《稀有金属》1988年02期
稀有金属

西门子公司大力发展4M DRAM片生产

联邦德国的西门子公司引进了 CMOS 4M 位存储片的第一个实验室样品。据公司报告说,百万马克的项目计划正在按预定按排进行。公司的 1MDRAM 片将在其所属的雷根斯堡(Regensburg)工厂于今...  (本文共1页) 阅读全文>>

国防科学技术大学
国防科学技术大学

基于标准CMOS工艺的超低功耗高可靠性非易失性存储单元研究

基于标准CMOS工艺的可多次擦写(Muti-time Programmable,MTP)存储器可广泛用于射频识别标签芯片等片上系统(System on Chip,SoC)中,是近年来的研究热点。MTP存储单元的设计需要同时兼顾擦写效率、功耗、面积、可靠性等多项指标,是决定MTP存储器性能的关键。本课题研究主要包括以下几个方面:1)提出了三种具有不同特点的MTP存储单元结构。首先提出了一种伪差分结构的MTP存储单元,该单元能够输出差分电流,且占用面积与单端结构相当。其次,提出了一种基于改进N阱电容的MTP存储单元,通过避免深耗尽状态使得单元具有更快、更稳定的擦写速度。最后,提出了一种能够有效提高MTP存储单元擦除效率的方法,擦除效率相比传统单元有了很大的提高。2)提出了适用于MTP存储单元的紧凑模型。基于电荷平衡方程提出了精确计算MTP存储单元浮栅电势的方法,给出了新模型与传统模型的对比结果,深入分析了两种模型存在的差异,并给出了...  (本文共177页) 本文目录 | 阅读全文>>