分享到:

我科学家攻克单壁碳纳米管结构可控制备关键技术

科技日报北京6月26日电(记者杨靖)由于各国科学家一直未能找到让碳纳米管结构可控生长的制备方法,碳基电子学发展和电子技术的实际应用受到了极大制约。26日从北京大学传来喜讯,该校李彦教授课题组借助一种自主研制的新型钨基合金催化剂,研究出单壁碳纳米管结构可控制备方法。学术成果在6月26日的《自然》杂志上发表。$$ 单壁碳纳米管,可看作是由石墨烯沿一定方向卷曲而成的空心圆柱体。根据卷曲方式(通常称为“手性”)的不同,可以是金属性导体或带隙不同的半导体。实践证明,这是碳纳米管的一个独特而优异的性质,但...  (本文共1页) 阅读全文>>

权威出处: 科技日报2014-06-27
《硅酸盐通报》2014年07期
硅酸盐通报

我科学家攻克单壁碳纳米管结构可控制备关键技术

由于各国科学家一直未能找到让碳纳米管结构可控生长的制备方法,碳基电子学发展和电子技术的实际应用受到了极大制约。26日从北京大学传来喜讯,该校李彦教授课题组借助一种自主研制的新型钨基合金催化剂,研究出单壁碳纳米管结构可控制备方法。学术成果在6月26日的《自然》杂志上发表。单壁碳纳米管,可看作是由石墨烯沿一定方向卷曲而成的空心圆柱体。根据卷曲方式(通常称为“手性”)的不同,可以是金属性导体或带隙不同的半导体。实践证明,这是碳纳米管的一个独特而优异的性质,但也为碳纳米管的制备带来了巨大挑战。自日本科学家饭岛澄男1991年在电子显微镜下观察到了碳纳米管,国际上已掀起了碳纳米管研究的热潮。但经各国科学家...  (本文共1页) 阅读全文>>

《功能材料信息》2014年04期
功能材料信息

我科学家攻克单壁碳纳米管结构可控制备关键技术

由于各国科学家一直未能找到让碳纳米管结构可控生长的制备方法,碳基电子学发展和电子技术的实际应用受到了极大制约。26日从北京大学传来喜讯,该校李彦教授课题组借助一种自主研制的新型钨基合金催化剂,研究出单壁碳纳米管结构可控制备方法。单壁碳纳米管,可看作是由石墨烯沿一定方向卷曲而成的空心圆柱体。根据卷曲方式(通常称为“手性”)的不同,可以是金属性导体或带隙不同的半导体。实践证明,这是碳纳米管的一个独特而优异的性质,但也为碳纳米管的制备带来了巨大挑战。自日本科学家饭岛澄男1991年在电子显微镜下观察到了碳纳米管,国际上已掀起了碳纳米管研究的热潮。但经各国科学家20余年努力,单一手性单壁碳纳米管的选择性生长问题,仍悬而未决。此次北京大学李彦教授课...  (本文共2页) 阅读全文>>

《黑龙江大学自然科学学报》2018年05期
黑龙江大学自然科学学报

轴向拉伸单壁碳纳米管的电子分布和电子输运特性(英文)

0 IntroductionThe carbon nanotubes (CNTs)[1]have perfect hexagonal unit,low dimensionality,mechanical,unique elec-trical,thermal and optical properties[2],so that is one of the best nanomaterials and the candidates for new elec-tronic devices,like as the field effect transistor,the spintronic storage,the one-dimensional conduct wire and thesensing element. The research of the structure and the performance of the perf...  (本文共6页) 阅读全文>>

《金属学报》2018年11期
金属学报

金属催化剂控制生长单壁碳纳米管研究进展

tions are presented and a strategy of structure-controlled production of SWCNTs is proposed.单壁碳纳米管(SWCNTs)可以看作由单层石墨烯按照一定角度卷曲而成的一维无缝空心螺旋管状结构,具有优异的电学、光学、热学和力学性质。金属性单壁碳纳米管的电流密度可高达109A/cm2 [1],比Cu高出2~3个数量级[2],是微型互连电缆的理想材料;半导体性单壁碳纳米管的载流子迁移率可达7.9×104cm2/(V·s),比硅基电子器件高3个数量级[3,4],被公认为后摩尔时代晶体管沟道的最重要备选材料。单壁碳纳米管的导热系数约为6600 W/(m·K)[5],比Cu高1个数量级,有望在热界面材料中获得应用。单壁碳纳米管的Young's模量约为1.25 TPa[6],抗拉强度约为100 GPa[7],比钢高2个数量级,是理想的复合材料纤维增强相。要...  (本文共18页) 阅读全文>>

《化学进展》2017年06期
化学进展

对称性匹配调控水平单壁碳纳米管阵列手性

缩减芯片尺寸、提高芯片性能是推动计算机碳纳米管研究领域的重大难题。尽管曾有研究者行业发展数十年的“摩尔定律”正确性的关键体现。发展一类钨基合金催化剂,按照催化剂与碳纳米按照摩尔定律所述,新的芯片制造技术每两年就管管端结构匹配原则分别实现了高纯度(12,6)、会升级,它已经帮助实现了将计算机送到我们的(16,0)、(14,4)单壁碳纳米管的可控制备[5],桌子上、口袋里以及手腕上。但在电子元件向原但碳纳米管的取向随机,容易形成搭接或集束的子尺度缩小的过程中,却面临着严峻的工程挑战,结构,应用在电子器件时即便可以实现高电流输致使硅基“摩尔定律”最终失效[1]。在当今“后硅出,却很难形成高传导触头,从而导致电导率及时代”的众多材料中,碳纳米管是一类独特的狄晶体管开关电流比下降[6]。高密度、手性一致、平拉克碳材料[2],由于其线性或准线性的能量与动行排列的半导体性单壁碳纳米管不仅可以避免上量低能色散关系,电子和空穴以光速的1/300无...  (本文共3页) 阅读全文>>

《新材料产业》2015年08期
新材料产业

钨基合金固体催化剂生长手性单壁碳纳米管研究及其展望

一、单壁碳纳米管研究现状及2.目前的典型应用案例碳纳米管电脑芯片中包含178个晶体瓶颈基于碳纳米管特殊的结构和优管,其中每个晶体管包含10~200根1.单壁碳纳米管简介异的物理化学性质,研究人员发展出碳纳米管,目前只能运行支持计算和单壁碳纳米管(Single-Walled了许多碳纳米管的应用。例如,利用排列等简单功能的操作体统,待该技Carbon Nanotube,SWNT)[1]可以碳纳米管的中空管状结构和碳纳米术完善后,电脑消耗的能量仅为原来看作由卷成圆筒状的石墨层构成的管极小的热膨胀系数,通过打开碳的1/10。在传统半导体技术临近极限一维纳米材料,其手性以(n,m)表示。纳米管的帽端,往其中填充镓(G a)时,这项突破令人看到碳纳米管代替它具有极高的长径比,这种特殊的管(熔点29.7℃)就可以看到一个工作硅,制造出体积更小、速度更快的新一状结构决定了单壁碳纳米管具有优在50~500℃范围的纳米尺寸的温度代电子设备的可能性。...  (本文共5页) 阅读全文>>