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中国能够生产砷化镓

李晋闽,中国科学院半导体研究所研究员、所长助理、材料科学中心主任。1991年在中国科学院西安光机所获博士学位,同年在中科院半导体所从事博士后研究,1993年6月留所工作,现任中科稼英半导体有限公司总经理。$$  20世纪九十年代之前,以硅材料为主的半导体占有市场的绝对统治地位。但从技术上讲,硅由于其材料本身性能的限制,在微电子领域的应用范围已不能满足现代信息技术发展的要求,而砷化镓材料的研究则推动了光电子技术和现代信息技术(移动通讯、卫星通讯等)的高速发展。$$ 据中科镓英半导体有限公司总经理李晋闽介绍,美国在1952年开始砷化镓的研制,而我国从六十年代初期开始研制砷化镓晶片。“九五”期间,中科院半导体所承担了“砷化镓基微结构材料的实用化研究”的攻关任务,重点研究解决分子束外延砷化镓从研究到生产的有关材料设计、工艺技术等关键问题。经过几年的努力,现在半导体所的产品生产水平已经可以和国际上最著名公司的产品水平相当。$$ 中国是镓资...  (本文共1页) 阅读全文>>

《世界有色金属》1940年50期
世界有色金属

日制出特大型砷化镓单晶体

日制出特大型砷化镓单晶体日本电缆公司研制成直径76mm、长770mm、重达2.5kg的砷化镓单晶体。以往,直径达76mm的砷化镓...  (本文共1页) 阅读全文>>

《系统工程与电子技术》1988年12期
系统工程与电子技术

难以预测的砷化镓单片微波集成电路市场

美本洲计北日欧总 砷化稼单片微波集成电路(GaAs MM-IC)技术在过去五年获得了迅猛发展。各种各样的芯片已经走出实验室,被用于新的产品设计和翻修计划中。与早期的技术相比,GaAs MM工C具有一系列独特的优点。世界上有30多家著名的实验室都对GaAsM-MIC的开发及其支撑技术给予了大量投资。1987年美国政府投资9100万美元支持这项开发工作。预计到1992年投资额将增加到1 .92亿美元。 然而,现在几乎每个实验室的领导都在重新估量自己的处境,纷纷制订计划,以便调整和延缓所作的承诺。引起这种变化的主要原因是什么呢?新近的事实表明,在产品生产中使用GaAs MMIC的数量比原先预计的要少得多,从而影响了他们的热情。 1984一1986年期间,一些公司公布了有关MMIC的市场预报,许多大的可能的投资和开发公司也都作了类似的内部研究,所得结论是,1990一1991年世界GaAs MMIC市场约为5亿到10亿美元之间,1995~...  (本文共3页) 阅读全文>>

《人工晶体》1988年Z1期
人工晶体

水平法生长砷化镓单晶

砷化稼已经发展成为引人注目的化合物半导体,由于其性能优越,其用途是多种多样的,已广泛应用于各种光电器件和微波器件。水平法是生长砷化稼单晶的主要方法,其设备简单,工艺可靠,可用来生长各种型号规格品种的单晶。所生长的单晶,一般可得到圆形的晶片,在此基础上可按要求得到价40、诱50、功76mm的标...  (本文共1页) 阅读全文>>

《半导体光电》1988年01期
半导体光电

砷化镓异质面太阳能电池

一、月IJ舀 自1839年Beegurel在电解槽中发现光生伏特效应以来,尤其是在二十世纪,人们对利用各种势垒的光生伏特效应,将光能转换为电能的半导体太阳能电池进行了大量的研究和开发,取得了丰硕的成果。1883年Fri-tts描述了第一个用硒制作的光生伏特电池。1941年Ohc研制成了单晶硅生长结光电池。在1954年美国贝尔电话实验室研制出了世界上第一个实用的硅太阳电池。目前,太阳能电池作为长期电源,已使用在人造卫星及宇宙飞船上,并已开始用来发电和作自控系统的光电元件。由于太阳能电池寿命长,效率高而且性能可靠,可以预见太阳电池的应用会更加广泛。 原则上讲,各种半导体材料都能用来制作太阳能电池。目前,最有实用价值的是硅太阳能电池,对它的研究及制造工艺都比较成熟,硅太阳能电池的光电转换效率已接近它的理论值(在最佳条件下,N/P和P/N硅太阳能电池的理论效率为18一21%)。为丁进一步提高光电转换效率,并从价格、重量、可挠性等方面综合...  (本文共6页) 阅读全文>>

《材料导报》1988年11期
材料导报

硅上砷化镓

,了,家护冬奋一:就象万花筒护光彩夺目。材料、能源、半导荟甲秀技未领域的重要组成机杯通讯、广播、笋嫩变福‘臂达、制熟夔登乎赘吵缈哪钾缨橙界社会中扮演着重要角色,以砷化稼为代表的化合物半导体材料,对空间技术、超高速电子计算机技术、电子对抗、光子对抗福人士智能以及民品等领域的发展有着广阔的发展前‘景。砷化稼是继锗和硅之后发展起来的第三代半导体材料。砷化稼比硅具有更高的电子迁移率和更大的禁带宽度,所似百是发展超高速集成电路芯片的优质材料;再者砷化稼在电流的作用下能发无,可以制成诸如.激光:器和发光二极奢之类的光电芋器件、此外夕:神佬锥爵高温特性、抗辐射能万都比麟玲粼解沁蕊其器件功耗比硅低,因此它在军事工业中具有特殊意义。 期待 多年来,人们就期特着有朝,旧能获得兼有硅私砷化稼两者之优点的新型袍子刹.料。、近年来,在硅衬底上异质外延神魂球蹲膜,已成为国际上最引人注启{的娜璐膝晚之、,其吸引人之处在于把砷化娜霸黝哗喇藏度方面的优势同成熟时...  (本文共4页) 阅读全文>>