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蓝牙未来发展八大走势

芯片价格持续下降$$ 英国CSR生产的主要蓝牙芯片产品,目前售价约为7美元~8美元/颗,随着公司陆续推出新产品,预计秋季时将降价至5美元、而年底时降至3美元左右。$$ 芯片越来越小巧$$ 蓝牙的技术界面是专用半导体集成电路芯片,用于嵌入电子器件内。而与用户直接见面的产品界面则是各种时尚电子产品。因此,蓝牙技术要嵌入到电子器件内就要考虑蓝牙的芯片尺寸,它必须具有小巧、廉价、结构紧凑和功能强大的特点才能放进蜂窝电话中。$$ 向单芯片方向发展$$ 目前已经有所突破,法国Alcatel Microelectronics等公司在ISSCC2001上发表了用于蓝牙的单芯片LSI,CSR公司也推出了嵌入电池中的单芯片蓝牙IC BlueCore01。$$ 产品具有兼容性$$ 目前的产品一致性测试都已经没问题,但是无法互通,蓝牙只有成为无线通信的“世界语”才有意义。SIG已召集制造商开了两次会议来测试...  (本文共2页) 阅读全文>>

《中国公共安全(综合版)》2006年05期
中国公共安全(综合版)

蓝牙未来发展八大走势

芯片价格持续下降 英国CSR生产的主要蓝牙芯片产品,目前售价约为7美元~8美元/颗,随着公司陆续推出新产品,预计秋季时将降价至5美元,而年底时降至3美元左右。芯片越来越小巧 蓝牙的技术界面是专用半导体集成电路芯片,用于嵌入电子器件内。而与用户直接见面的产品界面则是各种时尚电子产品。因此,蓝牙技术要嵌人到电子器件内就要考虑蓝牙的芯片尺寸,它必须具有小巧、廉价、结构紧凑和功能强大的特点才能放进蜂窝电话中。向单芯片方向发展 目前已经有所突破,法国Alcatel.Micl"oelectrortics等公司在。ISSCC2001上发表了用于蓝牙的单芯片LsI,CSR公司也推出了嵌入电池中的单芯片蓝牙I CBhleCore01。产品具有兼容性 目前的产品一致性测试都已经没问题,但是无法互通,蓝牙只有成为无线通信的“世界语”才有意义。SIG已召集制造商开了两次会议来测试各自蓝牙产品基础组件间的兼容情况,测试中发现的不兼容情况正在解决之中。与其...  (本文共1页) 阅读全文>>

《微电子技术》1996年02期
微电子技术

第三代16Mb DRAM芯片尺寸为60~65mm~2

据报道,第三代16MbDRAM芯片尺寸非常小为60~65mm2,日立制作所已从1995年3月起开始销售样品。在1块芯片上可制作字结构X1,X...  (本文共2页) 阅读全文>>

《中国集成电路》2010年09期
中国集成电路

国际半导体技术发展路线图(ITRS)2009年版综述(7)

5.4产品的代和芯片尺寸模型在这部分,我们将讨论“产品代”(productgeneration)和它们与技术周期之间的关系。在过去,这些术语经常被混用,历史上使用DRAM产品三年一换代(基于新的技术特征生产出密度为过去4倍的新产品)的方法定义技术周期的进步的方法,已经过时了。2009版的路线图将继续使用2005版路线图开始的做法,即:基于各个产品技术趋势来决定技术发展的驱动因素。这些基于产品的技术趋势由于其市场功能、性能和可承受的价格等需求不同,可能会以不同的速度发展。因此,作为领先产品的演化/按比例缩小的道路可能变得更加复杂。从历史上看,DRAM产品一向被认作是整个半导体工业的技术引擎。在九十年代末以前,逻辑电路(以MPU/高性能ASIC为例)发展的速度和DRAM技术类似,但是落后于DRAM。根据2007年的PIDS对DRAM生产商的调查,在2000年/180nm以后,DRAM工艺进步的速度为大约每2.5年一个周期。在最近几年...  (本文共12页) 阅读全文>>

《微电子学》1985年Z1期
微电子学

10微瓦维持功耗的256k CMOS SRAM

每年,手提式小型计算机及其它携带式的装置已经用越来越大的存贮容量来装配。这种用电池供电的装置要求每位有低的维持功耗,及低成本和小的芯片尺寸。本文将给出一种32k x 8位的CMOS静态RAM,其芯片尺寸为5.09mm×8.00mm(40.7mm。),如图1所示,典型的维持功耗小于iO“w: 业已应用的基本技术是1.2J上p阴:CMOS技术,Ti多晶硅化物和埋层隔离。埋层隔离的应用已使N’扩散区的间距减小到o.9¨, ‘ 图1 256k CMOS SRAM显微照片-204 t扩散宽度减小到1.4斗,形成的单元尺寸为7.4斗×j 2.ip。陶2示出了单元区域的显微照片。图3是单元区域的横截面显微照片,显示了埋层隔离结构。Ti多晶硅化物层用作栅极层及单元平面的地线。高电阻率的负载电阻和Vcc线通过淀积在Ti多晶硅化物上的多品硅层形成。图2 单元区显微照片圈3 单元截而显微照片为降低工艺成本和减小芯片尺寸,还制作成单层钻、多晶硅和多晶硅...  (本文共3页) 阅读全文>>

《微电子技术》1995年04期
微电子技术

富士通出售16M位快速存储器,与AMD共同开发,芯片尺寸为87.12mm~2

据《SermiconductorWorld》Vol.13,No.12报道:富士通公司业已开发5V单电源的16M位快速存储器[MBM29F016],现已出售样品。该公司看到了快速存储器的需要量逐渐增加的趋势,决定与AMD成立联合公司共开始开发这种产品,16M位快速存储器是其第一批拳头产品。新产品使用负栅擦除技术,实现了5V单电源的同...  (本文共1页) 阅读全文>>

《中国集成电路》2010年10期
中国集成电路

国际半导体技术发展路线图(ITRS)2009年版综述(8)

为了提高生产效率,必须要增加工艺过程中每一步的产出。如果能一次对几个芯片进行曝光,那么无疑是一个提高生产效率的好办法。这个方法要受光刻设备的光刻场大小的限制。过去,光刻场在每2个技术周期增长一倍以便满足不断增长的芯片尺寸的需要。结果是,步进扫描式光刻场已经达到了很大的面积(26×33=858mm2)。然而,光刻技术工作组指出:在线宽不断减小的情况下保持很大的光刻场面积将急剧增加成本。因此,光刻工作组将绝对最大光刻场尺寸限制在858mm2,并允许各种存储器和逻辑电路产品芯片尺寸模型推动绝对最大光刻场尺寸和更加典型的可承受光刻场尺寸范围的发展。从历史上看,无论是最困难的半节距曝光还是可承受的光刻场尺寸范围,DRAM芯片尺寸一直是对光刻场尺寸最重要的驱动力。在2009年版路线图的DRAM芯片尺寸模型中,引入阶段产品的芯片尺寸目标比前述新的成本可承受的光刻场尺寸750mm2要小,在858mm2的最大光刻场面积之内,所以至少可以在光刻场中...  (本文共10页) 阅读全文>>