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普吉投产LED蓝宝石基片

本报讯(记者 叶桂华 特约记者滕树军 通讯员 薛明霞 龚 晨)上月底,上千片高亮度LED蓝宝石基片从生产线上“走”下,并一举通过了专家的现场鉴定。至此,泰州普吉光电股份有限公司宣布:高亮度LED图形化蓝宝石基片项目工业化试生产成功。$$   记者看到,该公司自主开发的蓝宝石基片,是一张酷似眼镜镜片大小的圆形白玉片,厚度只有0.4毫米。在高倍数显微镜下,基片上布满了一个个排列有序的圆球,形似一颗颗晶亮的蓝宝石。据了解,这是该公司开发的具有独特工艺的蓝宝石图形化基片加工技术,加工工艺国际领先。$$   专家鉴定认为,该公司蓝宝石基片应用于LED照明后,可比现有节能灯更亮更节能,能提升亮度30%以上,节能60%至70%,灯泡使用寿命长达18年以上。$$   “这一项目试产成功,填补了我省LED蓝宝石专用基片加工的空白,将改写我国LED产业蓝宝石专用基片主要依赖进口的历史。”普吉光电公司董事长徐广忠说。$$   ...  (本文共1页) 阅读全文>>

权威出处: 泰州日报2011-09-05
《中国高新区》2017年06期
中国高新区

论基片平移对蒸发镀膜膜厚均匀性的改善

对于蒸发镀膜,假设蒸发源是一个理想的点源。由高斯定理可以判定,以点源为球心,同一半径的球壳上的任意点处的沉积速率是相等的;而不同半径的球壳上的两点处的沉积速率是不相等的,半径大的球面处的沉积速率小。由于镀膜的基片一般是一个平面,且有一定的尺寸。基片上不同的点所在的面积微元离蒸发源的距离,以及微元与蒸发源连线与微元平面之间的夹角也不一样,从而使得基片上存在一定的厚度差。这种厚度的不均匀性对产品性能的一致性有很大的影响。目前,改善均匀性的方法通常是将基片做行星式的绕转。事实上,基片始终在同一球壳上运转。基片中心点到圆心的距离始终不变,边缘到圆心的距离也没有发生变化,因此,这种绕行方式事实上不会改变基片的均匀性。平时采用这这种方法的原因有两个:一、蒸发源不是理想的点光源,其在不同的方位角上的辐射强度具有差异,这种旋转的方法是为了改善批量生产时产品间的差异性。二、减小单位基片尺寸并保持单位基片的中心离蒸发源的距离不变。这样可以在获得比大...  (本文共2页) 阅读全文>>

《宇航材料工艺》2002年03期
宇航材料工艺

高频基片复合材料的研究进展

1 前言高频是指 30 0MHz以上的频率范围 ,应用在此频率范围内的电路基片复合材料称为高频基片复合材料 ,主要应用于移动电话、功率放大器、直接广播系统中低噪音变频器组、各种组合天线等射频和微波设备 ,同时也应用于高性能高速的数字电路。随着信号传输的高频化和信息处理的高速化 ,传统的依赖于环氧树脂FR— 4基片难以满足高频条件下电路基片的性能要求 ,必须寻求介电性能优异的高性能新型基片。以树脂为基添加无机相粒子复合而成的高频基片复合材料 ,具有优异的介电、耐热、可机加工等综合性能 ,非常适用于高频电路基片中的应用。高频基片复合材料已成为引人注目的研究热点 ,各国都在致力于新型树脂体系和增强材料在高频领域的研究开发工作。本文介绍了电路组装技术对高频电路基片的性能要求、性能影响因素及高频基片的设计原则 ;评述了高频基片复合材料的发展现状 ,并指出进一步研究工作的重点。2 高频基片的性能要求微组装和布线基片要求基片材料具有优异的介电...  (本文共6页) 阅读全文>>

《磁性材料及器件》1974年01期
磁性材料及器件

等外延处理石榴石基片

一、引言 生长磁泡器件用磁性石榴石外延薄层〔1一3〕需要既清洁又无不均匀晶格应力的非磁性石榴石基片表面。常兄的表面处理包括元长的机械研磨和抛光过程,接着化学机械浸触(例如用Monsant。公司生产的Syton抛光膏)或受控的离子轰击〔41。我俏发现:打石榴石液相处延情况来靓有一种既筒单而又能改进基片表面处理的方法,这就是首先在基片表面沉积一层与基片成分相同的薄层(等外延),然后,不需进一步加工,就可沉积想要的了滋性异外延层。在此情况下,整个抛光,清洗和薄膜生长过程可以用二个速擅的“浸清法“完成:首先在鲍和的非磁性基片石榴石助熔剂溶液中浸清然后在含有适合的磁性石榴石成分的助熔剂溶液中浸清. 本文研究等外延生长过程(后面称为预浸清),以及外延层缺陷研究的桔果。特别是,业已发现渭浸清层减少了基片生长辉救对基片上一磁性材料层的影响。二、试验 基片是由拉晶法(契赫拉尔斯基法)生长的Gd3G。。O。:(GGG)晶体,沿(111)取向面割锯而...  (本文共4页) 阅读全文>>

西安理工大学
西安理工大学

金属/氧化铝复合散热基片的制备及其性能研究

由于LED具有节能环保等优异性能,使得其应用广泛。但是散热问题是LED发展的一大限制,尤其是大功率的LED元件,其散热问题的解决之一在于封装材料的选择,散热性好的封装材料有利于LED芯片热量的导出。作为封装的基片材料,应具有与芯片匹配的热膨胀系数和一定的电气绝缘性,同时满足高的热导率。氧化铝基片仅满足一定的要求,而金属-氧化铝复合基片,不仅满足热膨胀系数和电气绝缘性的要求,而且结合了金属本身的特性,满足了热导率的要求,提高基片散热性能。在氧化铝基体中,添加高导热相,使得复合材料的内部导热链可以完整的形成,进一步提高热导率,使其散热性满足电子器件的微型化和大功率化等要求。本文结合流延成型工艺与真空烧结工艺制备了金属-氧化铝复合散热基片,研究了致密度、热导率、抗弯强度,并分析了几种散热基片的击穿强度和散热性能。研究结果如下:(1)与其他Me-Al_2O_3基片对比,Ni-Al_2O_3复合基片的热导率较高,且比纯Al_2O_3基片的...  (本文共77页) 本文目录 | 阅读全文>>

《微细加工技术》1987年Z1期
微细加工技术

半导体工艺中基片的冷却方法

一、前 言 在大规模集成电路和微电于器件的生产过程中,加工的基片受到周围环境高温热传导、热辐射的影响;或受到带能粒子的轰击,将动能换成热能,使基片发热温升。当基片发热温升到一定程度时,通常会带来一些有害的效应。例如,它会使基片发生曲扭形 变;使基片特性发生变化;加快基片上膜层之间的相互扩散作用;有时甚至使基片烧焦 碎裂。这样,导致预定工艺的失败,甚至损坏了器件的性能。所以,器件生产过程中,不 同工艺对基片的温升有一定的限制。例如,在光刻技术中,采用X射线、1:1电子束 投影曝光,通过接触复印获得图形时,要求基片和掩模版之间的间隙愈小愈好,甚至为 零。但是,因X射线照射和电子束能量作用,引起基片和夹具之间热膨胀差,造成基片 和掩模版的形变、间隙增大,曝光模糊、图形的分辨率和精度都降低。在干法腐蚀中, 经常用抗蚀剂作掩模图形,当抗蚀剂温升超过100 CC时,抗蚀剂发生软化、流动,使图 形条宽增宽或者图形损坏。在离子注入技术中,温升到...  (本文共7页) 阅读全文>>