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“超一流企业卖标准”

在当今业界流行着这样一句“行话”:“三流企业卖产品,二流企业卖技术,一流企业卖专利,超一流企业卖标准。”如果说一项专利影响的只是一个企业,那么一项技术标准影响的则是整个产业。作为主导市场的竞争规则,标准已被国家科技部列为“十五”期间三大战略之一予以全面推进。$$在昨天公布的2002年度上海科技进步奖的获奖名单中,首次出现了标准类成果。它们有的被国际通行科学手册全文载入;有的敢于质疑权威,将国际标准重新改写;还有的成功闯关绿色壁垒,为国家的出口创汇立下辉煌战功。$$14 项结果写入科学手册$$作为一部有着120年悠久历史的国际通行科学手册,《科学与技术中的数据和基本关系》每隔十年要进行一次更新。其中Ⅲ/41B卷的最近一次修订是在1999年,14位国际上各领域最有代表性的科学家被邀请参与校订,中科院上海技术物理研究所研究员褚君浩也位列其中。就在那年,由褚君浩领衔的有关“碲镉汞红外焦平面光电子物理”的14项研究结果,正式写入了这部“科...  (本文共2页) 阅读全文>>

权威出处: 文汇报2003-04-11
《红外与毫米波学报》2009年05期
红外与毫米波学报

碲镉汞富碲垂直液相外延技术

引言近年来大规模红外焦平面器件技术取得了很大进展,国际上碲镉汞红外焦平面器件的规模已突破1K×1K[1],国内相关技术的进展也非常迅速[2,3],器件技术的发展对碲镉汞外延材料的面积和数量均提出了更高的要求.液相外延是制造长波碲镉汞红外焦平面器件的主流技术,目前,法国Sofradir公司采用水平推舟工艺作为640×480、320×240以及512×4等系列的二代碲镉汞红外焦平面器件的生产技术[4],我国的企业和研究机构也全都采用水平推舟工艺.但是,水平推舟工艺存在很大的局限性,一是外延材料表面存在比较严重的波纹,为消除波纹对器件均匀性的影响,需增加材料的后续处理工艺[5];二是该工艺的产能较低,结果导致设备和人力成本较高,并难以保证不同批次的外延材料具有完全一致的性能,因此很难满足拼接型超大规模红外焦平面器件对材料的需求.相比之下,垂直浸渍工艺在这方面具有更好的适应性.长期以来,美国的DRS公司和德国的AIM公司一直坚持采用垂直...  (本文共5页) 阅读全文>>

《红外》2001年03期
红外

碲镉汞光伏探测器机理研究

碲镉汞可以制成光伏型器件和光导型器件。光导器件结构较简单,易于制造,但功耗大,响应速度较慢,为第一代红外探测器件。目前,我所实用的长波光子探测器就是光导型的。光伏器件较之光导器件功耗小,响应快。光伏型碲镉汞器件分为n—on—p型和p—on—n型两种。对长波波段,两者相比,后者比前者有较大的RoA,但由于注入损伤为n型,而且浅结时光电流的输出主要靠衬底,p型时少子扩散长度大,工艺也较简单,因而光伏器件以r卜-on-p型为多,已经制成(1一)3肛m、(3—5)pm的p—n结光电二极管。除非特别指明,以下我们提到的光伏器件就是指n—on—p型。工艺上,在晶体生长中掺锑制造弱p型衬底,锑为五族元素,在晶格中占据碲空位,‘并提供一个空穴。在p型衬底上进行硼离子注入生成n—on—p结。通过严格控制工艺过程,已经得到性能较好的光伏器件。掺sb生长的p型衬底与空穴类型的p型衬底相比,其优点在于:sb分凝系数小,利用杂质分凝效应可获得浓度均匀的材...  (本文共9页) 阅读全文>>

权威出处: 《红外》2001年03期
《应用光学》1996年03期
应用光学

碲镉汞致冷技术与性能

碲镉汞致冷技术与性能多无碲镉汞(HgCdTe)是用途较多的探测器之一。HgCdTe探测器具有宽动态范围,可在大多数红外应用中使用。采用可变能隙半导体处理技术的习惯性配比使得HgCdTe探测器的应用能够确定其在2~12urn波段内的光谱响应率。然而,大多数光谱HgCdTe探测器响应3~sum波段,在此波段内,探测器的暗电流比较高,因此需要使用斯特林循环致冷器以使探测器的工作温度保持在80K以下。在热负荷能力相同的情况下,用于...  (本文共1页) 阅读全文>>

《红外研究(A辑)》1986年05期
红外研究(A辑)

富碲的碲镉汞相图的理论计算以及与实验结果的比较

为了从富蹄的啼福汞〔(Hgl一刀d,):一,T%,夕0.句熔体中用液相外延法生长谛锡汞薄膜,研究富啼的啼锡汞合金的相图是十分必要的。 本文用适合于富蹄蹄锡汞合金体系的规则缔合熔体模型(RAS模型)计算了:一0 .060-0 .D78和0.160,而夕取不同值的各种合金的液相线温度。:~0.060的液相线温度的计算值较本文采用直接观察法的测定值低7~8℃;:二0 .078的计算值较实测值低9℃;,~ 0.160,夕0 .88的计算值与实测值相符得较好。为使液相线温度的计算值与实测值符合得更好,我们用实测结果对RAS模型液固平衡方程中odT。与T。的混合作用参数电进行重新拟合,得到新的混合作用...  (本文共1页) 阅读全文>>

《物理学报》1988年02期
物理学报

碲镉汞辐射损伤的微观过程

碲镉汞是红外工业中应用于热成象方面的最重要的半导体材料之一.它是由HgTe和CdTe组成的半导体合金.这种化合物具有闪锌矿结构,晶胞参数4—6.465五. 近年来,为了提高材料的少子寿命,展开了对碲镉汞晶体微观结构缺陷的研究Ⅱ.”.而离子注入技术的应用,引起人们对材料损伤的关注H’.Dimiduk等人哪用卢瑟福背散射谱证实了离子注入损伤的碲镉汞在退火中会使Hg含量减少.另外,碲镉汞晶体在大剂量高能电子辐射下,也会引起结构损伤和Hg含量减少的现象,也已被证实哺’.因此,有必要研究碲镉汞受损时,它的结构变化的微观过程.本文则使用高分辨率电子显微技术,力图在晶格和原子尺度上揭示碲镉汞在强电子束辐照下结构损伤的微观机制.二、 实 验 实验采用具有Hg,.sCdo.~Te组成及“淬火~再结晶法”长出的碲镉汞晶体样品.把获得的碲镉汞晶体先粉碎成小颗粒,再放在玛瑙研钵中研磨到小于1000 A的细小颗粒,最后置于直径为3mm微栅支持膜上,进行观...  (本文共4页) 阅读全文>>