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我国在碳化硅单晶生长方面取得重大进展

近日,中科院物理所陈小龙研究员领导的科研小组在碳化硅(SiC)晶体生长方面取得了重大进展。他们在自行研制的  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子工程师》2003年09期
电子工程师

碳化硅单晶生长方面取得重大进展

近日 ,中科院物理所陈小龙研究员领导的科研小组在碳化硅 (SiC)晶体生长方面取得了重大进展。他们在自行研制的高...  (本文共1页) 阅读全文>>

《人工晶体学报》2000年S1期
人工晶体学报

Nd~(3+)和Yb~(3+)掺杂的KGd(WO_4)_2单晶生长

The KGd(WO 4) 2[KGW] crystal has a structure belonging to the monoclinic sys tem with space group C 2/ c and with unit cell dimensions a =1.068mm, b =1.043nm, c =0.76nm, β =130°.This crystal is an excellent host material for solid state lasers.The threshold of the laser oscillations in a Nd 3+ d oped KGW laser crystal is considerable low and has a higher emissive section.T he fluorescent c...  (本文共1页) 阅读全文>>

《激光与红外》1987年04期
激光与红外

单晶生长自动控制技术与方法

本文综述了各种单晶生长自动控制技术,并指出了各种控制的理论依据及作者的观点...  (本文共5页) 阅读全文>>

《金属学报》1987年03期
金属学报

重掺Sb的Si单晶生长过程中熔体内Sb浓度变化规律

本文建立了描述重掺Sb的si单晶生长过程中熔体内Sb浓度变化规律的数学模型。用该模型计算的理论曲线与实验曲线一致...  (本文共7页) 阅读全文>>

《激光与光电子学进展》1988年09期
激光与光电子学进展

InP单晶生长新工艺

英国Crystal Comm公司已发展了一种热环境,据称可使磷化锢(InP)单晶的液封恰克拉斯基法生长发生革命。InP是最适于最新一代光束的基质材料,其光缆...  (本文共1页) 阅读全文>>

《微电子学与计算机》1988年08期
微电子学与计算机

超大规模集成电路技术

本书系统地介绍超大规模集成电路技术的理论及应用.内容包括从单晶生长至实现金属化互连的全部V...  (本文共1页) 阅读全文>>