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提高功率器件整体性能的研究

提高功率器件在耐压、比导通电阻和开关时间方面的整体性能,使之趋于理想的开关,是长期以来功率电子学研究的一个重要方向。不幸的是,功率器件的这三个主要性能指标,却受一定的关系制约,并不能同时得到提高。MOS和IGBT是栅控器件,具有控制简单的优点,是两类常用的功率器件。MOS器件的开关速度很快,但由于是多子导电,所以要做高压器件,比导通电阻就会变得很大。IGBT在耐压和比导通电阻方面均有不错的性能,但是由于关断主要靠载流子的复合,关断速度慢始终是一个问题。为此,本文在充分了解功率器件发展现状,系统学习前人理论的基础上,提出了一系列的新思路和优化方案,目的在于同时提高功率器件的各项性能指标。文章的主要工作是:对功率器件的发展现状进行系统了解;对SOI器件的主要特点进行简单分析;对叉指式CB结构进行优化设计;实现了三种用于可控制阳极短路IGBT的方法;对薄膜SOI耐压层进行了准确的解析设计。其中的独创性工作主要表现在:1.叉指式CB结构  (本文共148页) 本文目录 | 阅读全文>>

《程序员》2010年04期
程序员

虚拟器件——虚拟化技术的新利刃

近几年,虚拟化技术飞速发展,越来越多的企业开始使用虚拟化技术提高系统管理的自习程度和应用的快速部署,本文将为您揭开虚拟化技术的新利刃—虚拟器件的神秘面纱。最近几年,越来越多的企业开始使用以VMware和Xen为代表的虚拟化技术,这些技术给他们带来了很多方便,特别是在服务器整合方面。例如一汽大众的lT部门通过实施VMware的虚拟化技术,将原先部署于100多台服务器上的应用整合到了40多台服务器上,有效地降低了运营成本和系统管理的复杂度,并且提升了服务器资源的利用率。由于虚拟化技术的飞速发展,它在提高系统管理的自动化程度和加快应用的部署速度这两方面的潜力越来越多地受到关注。可惜现在大多数管理员在系统管理方面还是沿用之前物理机时代常用的方式和方法,特别是在部署应用的时候,经常从头装起。这不仅有碍于系统管理的自动化和应用的快速部署,而且会带来以下问题: 1.每次部署应用都需要花很多时间在操作系统等软件的安装、配置和优化上口2.由于SO...  (本文共4页) 阅读全文>>

《微纳电子技术》2010年04期
微纳电子技术

“MEMS器件与技术”专辑出版预告暨征稿启事

鉴于MEMS器件与技术日趋成熟和在实用化方面不断取得新的进展,继2009年12期出版了“MEMS器件与技术”专辑后,本年度计划2010年...  (本文共1页) 阅读全文>>

《微纳电子技术》2010年07期
微纳电子技术

“MEMS器件与技术”专辑出版预告

为适应MEMS技术不断深入发展的新形势,本刊计划于2010年12期出版“MEMS器...  (本文共1页) 阅读全文>>

《微纳电子技术》2010年09期
微纳电子技术

“MEMS器件与技术”专辑出版预告

为适应MEMS技术不断深入发展的新形势,本刊计划于2010年12期出版“MEMS器...  (本文共1页) 阅读全文>>

《半导体信息》2009年02期
半导体信息

2012年RF GaN器件市场达2.14亿美元

据《Compound Semiconductor》2009年第1/2期报道,在2008年12月23日Strategy Analytics在发表的“2007-2012年GaN市场更新”报告中,证实了GaN器件的呈指数式扩张的发展趋势。受国防应用的驱动,到2012年,新...  (本文共1页) 阅读全文>>