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SiGe/Si外延与SiGe HBT微波单片放大电路研究

SiGe HBT器件具有优异的性能,在许多领域特别是高速和微波领域具有广泛应用,市场迅速发展。SiGe HBT微波单片放大电路作为一种通用器件,具有结构简单、互换性强以及可以单片集成等优点而发展迅速。本论文在国内首先进行了SiGe HBT微波单片放大电路的研究,开展了从外延设备、材料特性、工艺改进到电路设计和制作的一系列研究工作。在对SiGe外延设备进行大量研究的基础上,对UHV/CVD设备的结构和石墨加热器进行了改进,改善了SiGe/Si薄膜的组分和厚度的均匀性:Ge组分均匀性达到了±5%,SiGe薄膜的厚度均匀性达到了±8%。研究了SiGe薄膜的外延方法,得到了高质量的SiGe薄膜。对SiGe/Si薄膜的应变弛豫进行了研究,结果表明:与退火时间相比,炉温退火的温度对组分渐变和均匀组分的SiGe薄膜的应变弛豫起主要作用,温度越高,越容易弛豫;在910oC以下的快速热退火处理对SiGe薄膜的应变弛豫影响不大。在此基础上改进了Si  (本文共131页) 本文目录 | 阅读全文>>

《微电子学》2018年04期
微电子学

SiGe集成电路工艺技术现状及发展趋势

0引言近几十年来,模拟集成电路沿着摩尔定律和国际半导体技术发展路线图(ITRS)所演绎的趋势在发展。通过不断缩小工艺特征尺寸来提高器件性能,这对设备和加工技术提出越来越高的要求,成本越来越高。另外,受硅材料固有特性的限制,基于硅工艺的器件速度已经接近到物理极限,进一步提升器件速度并保持线性特性变得十分困难。因此,高性能模拟集成电路遇到了速度与精度、性能之间的根本矛盾。为了解决这一矛盾,业界提出了以SiGe异质结器件为核心的集成电路工艺技术。SiGe工艺能同时兼顾高速度和良好的器件线性。在相同器件尺寸下,SiGe器件的电流放大系数β、温度系数、Early电压VA、截止频率fT、最高振荡频率fmax等性能参数均高于Si器件,而噪声系数NF、功耗P等参数则大大低于Si器件,兼顾了高性能模拟集成电路对速度、增益、精度、功耗、噪声的要求。SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT)在基区中引入Ge形成SiGe合金,利用Ge与Si的禁带宽度...  (本文共7页) 阅读全文>>

《Chinese Physics B》2017年08期
Chinese Physics B

An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes

1.IntroductionSilicon–germanium heterojunction bipolar transistors(Si Ge HBTs)have been extensively tested for ionizing radi-ation hardness assurance for space applications in the numer-ous publications.It is well established that Si Ge HBTs havea very favorable built-in ionizing radiation(TID and ELDRS)tolerance to multi-Mrad levels by process regardless of doserate.[1–3]The Si Ge HBTs under test used in these key r...  (本文共6页) 阅读全文>>

《材料导报》2007年07期
材料导报

SiGe热电材料的发展与展望

0引言热电材料又称为温差电材料,是一种具有热效应和电效应相互转换作用的功能材料。用热电材料制作的器件具有结构简单、无噪音、无污染、无运动部件、免维护等突出优点,在温差电致冷和温差发电方面具有重要的应用前景[1,2]。温差制冷方面最主要的应用领域是制作小型制冷装置,如在计算机、红外探测、光电子领域的小功率制冷以及在医学、生物试样冷藏等方面的大量应用。若能进一步提高热电材料的性能,则热电材料将可替代氟利昂压缩机制冷技术而应用于大功率的温差电致冷装置[3~5]。在环境问题日益突出的今天,这对我国的环境保护和可持续发展是非常有益的。目前研究得比较深入且已经获得商业化的热电材料主要有:适合室温以下使用的BiSb合金、室温附近使用的Bi2Te3基合金、中温区(400~700K)使用的PbTe合金,以及用于高温发电的Si Ge合金(800~1000K)等。然而到目前为止,这些材料的最大无量纲优值(ZT)只有1左右,对应的热电转换效率也小于10...  (本文共4页) 阅读全文>>

《Tsinghua Science and Technology》2007年06期
Tsinghua Science and Technology

Growth of Ge Layer on Relaxed Ge-Rich SiGe by Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition

Introduction As down-scaling becomes more and more difficult as a means to enhance transistor electrical properties, intro- ducing new channel materials is more up to date than ever in the complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. Pure Ge channels have been in- tegrated into Si-based structures since the hole mobil- ity of Ge is about 1900 cm2·V?1·s?1, which is 4 times higher than that of Si. For Ge ...  (本文共5页) 阅读全文>>

《Journal of Electronics(China)》2002年01期
Journal of Electronics(China)

DESIGN AND FABRICATION OF Si/SiGe PMOSFETs

1 .Introduetion SIGe alloy 15 an imPortant new material.On the one hand,its eleetrieal alld oPtiealproPerties ean be tailored flexibly to meet the design requirements,on the other hand,theSIGe teeh:lology 15 eompatible with the eonventional 51 teehnology[1}、50 siGe HBT andSIGe MOSFET possess higher Priee Performanee ratio and ean be widely aPPlied in LNA(Low Noise Amplifier),PA(Power Amplifier),SONET/SDH,GPS and mobi...  (本文共5页) 阅读全文>>