分享到:

超高密度磁记录介质用Fe-Pt薄膜的研究

由于超顺磁效应的限制,使用传统的CoCr基薄膜介质的硬磁盘系统记录潜力已经发挥到了极点,要想继续提高磁记录系统的记录面密度,必须探寻新的材料。本论文主要研究了FePt薄膜作为下一代垂直磁记录介质的可行性。由于化学有序的fct-FePt相具有高单轴磁晶各向异性能(7×10~7erg/cm~3),允许把晶粒尺寸降低到几个纳米左右,同时保持足够的热稳定性,从而可以获得更小的记录信息单元,以实现更高的记录密度。本论文主要围绕着两个问题展开:第一部分是致力于降低FePt和FePt-Al_2O_3薄膜中FePt相的有序化温度。由于FePt薄膜从fcc到fct相的转变温度为500℃~600℃,目前的磁盘生产线都不能承受如此高温,因此降低FePt相的有序化温度就变得非常重要。我们通过在溅射过程中添加N_2和原位有序两种方法在一定程度上降低了FePt相的有序化温度,主要得到了以下结果:1)溅射过程中添加15%的N_2使FePt-Al_2O_3(1  (本文共111页) 本文目录 | 阅读全文>>

中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)
中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)

高可靠性电子封装中防潮薄膜技术的研究

在高可靠性电子封装中,为了抵御高温高湿的极端气候,防潮溥膜技术有着极其重要的作用。本文着重从实验和模拟两方面研究了有机/无机双层膜防潮技术相关的材料筛选、工艺优化、防潮性能等,首次提出了硅酮加氮化硅双层膜结构的技术方案,并将该技术应用于先进的倒装焊(FCOB)封装的水汽敏感性研究。此外,首次深入研究了近室温沉积的PECVD氮化硅薄膜的性质和防潮性能,并有效地应用于有机发光器件(OLED)的封装。通过对有机和无机防潮镀层材料的研究和筛选,确定了硅酮加氮化硅双层膜结构的技术方案;通过对硅酮涂敷工艺的优化,得到了表面光滑平整无气泡的硅酮涂层;通过对氮化硅沉积参数的优化,得到了防潮性能优良、台阶覆盖一致、大面积沉积均匀和在水汽及热冲击下稳定性良好的氮化硅薄膜;通过对在硅酮表面沉积氮化硅工艺的优化,得到了外观平整性能优良的硅酮/氮化硅双层防潮膜结构。通过对在FR4基板上用引线键合和顶充胶封装的湿度传感器的进一步测试,研究了在不同温度湿度条...  (本文共133页) 本文目录 | 阅读全文>>

湖南大学
湖南大学

无机表面薄膜力学及耐蚀性能研究

表面薄膜赋予材料表面耐磨、耐蚀、耐热、耐疲劳以及特殊的光、热、电和磁等多种功能,在现代高新技术中受到了越来越多的重视,成为材料科学中最活跃的研究领域之一。薄膜材料和薄膜技术为机械、能源和交通等部门,以及现代军事提供了具有优异性能的新材料和器件,极大地促进了光电子技术、计算机技术、航空航天技术等现代高新技术的发展,在高新技术产业中具有举足轻重的作用。本文研究了三种无机薄膜的制备工艺及其力学和耐蚀性能,获得了一些有意义的结果。采用磁控溅射方法在硅和玻璃基体上沉积了BaTiO3(BTO)薄膜,通过原位测试不同厚度BTO薄膜的应力、介电常数和铁电性能随温度的变化规律,系统研究了薄膜的铁电性能与厚度和应力的关系,并用两种方法确定BTO薄膜的双轴杨氏模量和热膨胀系数。实验结果表明,BTO薄膜中的应力为张应力。膜中张应力随薄膜厚度的减小而增大,导致居里温度下降,剩余极化减小,矫顽场增大。特别是当厚度较小(35~250nm)时,这种变化更加明显...  (本文共102页) 本文目录 | 阅读全文>>

天津大学
天津大学

宽带p型CuSCN薄膜的电沉积、结构与性能的研究

能源与环境问题日益突出,纳米晶太阳能电池(NPC)以其工艺简单,成本低廉以及可实现规模化生产等优势成为绿色能源领域的研究热点。本文综述了NPC电池及其空穴传输材料的发展,研究了NPC电池固体空穴传输材料CuSCN薄膜的电沉积制备及其在TiO2多孔薄膜中的填充过程,并对CuSCN电沉积和在多孔中填充等相关机理进行了讨论。本文采用络合法制备出稳定的CuSCN的水基电沉积溶液;电沉积制备出致密度高,透光性好及具有p型电导的CuSCN半导体薄膜;用恒电流或恒电位等电化学方法讨论了CuSCN薄膜的沉积机理;采用了XRD、UV-VIS、XPS、SEM表征了薄膜的相组成、结晶形貌、透光率、带隙值和化学组成;采用微电容-电位法表征了CuSCN薄膜的平带电位、受主浓度等半导体性能。研究了含有Cu2+和SCN-的水溶液不稳定的原因,采用EDTA作络合剂掩蔽SCN-,首次制备出沉积CuSCN的稳定水基电沉积溶液。该溶液在室温至80℃的温度范围内均表现...  (本文共113页) 本文目录 | 阅读全文>>

兰州大学
兰州大学

Tb掺杂ZnO薄膜和高K栅介质Er_2O_3薄膜的制备及特性研究

本论文主要包括两方面的内容:退火及Tb掺杂对ZnO薄膜结构,电学和光学特性的影响;硅基高K栅介质Er_2O_3薄膜的制备及特性研究。ZnO是一种重要的宽带隙半导体材料。由于它在太阳能电池,压电器件,以及发光二极管等领域有广泛的应用前景。已经引起了许多研究者的关注,本论文第一部分主要研究了退火和Tb掺杂对多晶ZnO薄膜结构,电学及发光特性的影响。采用射频反应溅射法,成功制备了高度取向的多晶ZnO薄膜,通过不同温度的退火处理,研究了退火对ZnO薄膜结构和发光特性的影响。由X射线衍射得知,随着退火温度的升高,晶粒逐渐变大,薄膜中压应力由大变小至出现张应力。PL测量显示样品在430 nm附近有一光致发光峰,这在国际上属首次发现。联合样品电阻率的变化及能级图,我们认为ZnO的蓝光发射主要来源于薄膜中的锌填隙原子缺陷。用射频反应共溅射法在Si衬底上制备出了铽(Tb)掺杂ZnO透明导电薄膜。研究了Tb掺杂量和衬底温度对ZnO薄膜结构、电学和光...  (本文共146页) 本文目录 | 阅读全文>>

苏州大学
苏州大学

SiCOH低k薄膜的ECR等离子体沉积与介电性能研究

微电子器件在快速发展,器件的性能不断完善,集成度不断提高,预计到2010年后进入45nm以下线宽的纳电子器件时代。由于高性能芯片上器件密度和连线密度的增加,器件尺寸和线宽将减小,导致互连线的阻容(RC)增大、信号传送延时、噪声干扰增强和功率耗散增大,器件工作频率受到限制。为了解决这些问题,人们正在发展新的互连材料、新的互连结构以及新的互连方式。采用新的互连材料来取代目前的Al/SiO_2已成为解决纳电子器件互连问题的主要选择。作为互连介质的低k材料和超低k材料,是近年来全球微电子材料与器件领域关注的焦点之一。我们研究小组从2003年起在国际上率先将环结构的十甲基环五硅氧烷(DMCPS)反应源与微波电子回旋共振(ECR)等离子体技术相结合,开展了基于孔隙的低介电常数SiCOH薄膜的研究。另一方面,在保持适度孔隙率的前提下,通过CHF_3、CH_4的掺杂,进一步开展了弱极化键与孔隙相结合的低介电常数SiCOH薄膜的研究。本论文对Si...  (本文共178页) 本文目录 | 阅读全文>>