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噪声用于半导体大功率激光器及双极晶体管可靠性研究

本论文首先叙述了半导体器件的电噪声特性,然后介绍了半导体器件低频电噪声测量常用的方法,改进了半导体器件电噪声测试系统。在此基础上开展了噪声用于器件可靠性检测方面的研究。对半导体激光器进行电导数、低频电噪声测量和电老化测试后,发现器件在一定的老化电流条件下会发生退火效应。在加速电老化的条件下,研究了激光器中出现的g-r噪声和爆破噪声产生的原因,发现它们是器件退化的明显标志。将小波变换引入对器件的噪声分析和可靠性评价中,它可以对噪声信号的时域曲线进行多尺度分析,为器件的可靠性评价提供了新的途径。对采用不同终端技术生产的双极晶体管进行直流电参数和电噪声测试,发现采用覆盖结构的终端技术可以控制器件的表面漏电流,降低器件的电噪声,提高器件的可靠性。以上研究结果对进一步了解器件的噪声特性以及提高噪声用于器件可靠性检测的准确率有重要意义。  (本文共107页) 本文目录 | 阅读全文>>

《强激光与粒子束》2017年02期
强激光与粒子束

双极晶体管的系统电磁脉冲与剂量率综合效应

信息化时代下,核心电子系统的最严酷考核条件即为强脉冲射线环境下的生存能力,强脉冲射线对核心电子系统产生的毁伤效应主要包括系统电磁脉冲(SGEMP)效应和瞬时辐射(TREE)效应等。随着内部结构日益精密、紧凑,在这两种效应的共同作用下,电子系统所面临的辐射威胁更为突出。研究电子系统中典型单元的系统电磁脉冲与瞬时辐射综合效应现象与机理,可为提出有效的加固方法提供参考[1-5]。针对带半导体器件负载电缆在脉冲X射线辐照下的瞬态响应研究,文献[6]给出了数值计算模型与计算结果。对半导体器件的瞬时辐射效应研究已经拥有较为成熟的数值模型和初步研究结论,但对于系统电磁脉冲与瞬时辐射综合效应数值研究工作国内外还鲜见报道[7-13]。本文通过分析系统电磁脉冲与瞬时辐射综合效应的作用过程与机理,建立了综合效应数值计算模型,编写计算程序,对电子系统的典型结构单元进行综合效应数值模拟,并对计算得到的效应现象与规律进行初步分析。1数值计算模型1.1物理模...  (本文共6页) 阅读全文>>

《电子技术与软件工程》2013年24期
电子技术与软件工程

有关双极晶体管关键参数的探索

1引言双极晶体管在军用、民用的电子设备中已经得到了大量的应用,主要在通信、电子以及雷达等领域应用较为广泛。双极晶体管的关键参数对于电子器件的整体性能以及可靠性有着很大的影响,因此近年来对于双极晶体管关键参数的研究已经成为国内外很多学者和专家的研究课题,并且也都取得了大量的研究成果,为今后双极晶体管参数的优化以及性能的提高奠定了坚实的基础。2双极晶体管关键工艺概述2.1双极晶体管基区的形成工艺概述双极晶体管在生产过程中,基区的形成工艺对于其整体参数以及性能有着十分重要的影响。首先双极晶体管第一层必须要进行厚度大约为280~320纳米左右的多晶硅淀积,完成后在淀积厚度大约为160~180纳米左右的二氧化硅,这样能够有效的保证淀积薄膜的均匀以及厚度一致性。第一层多晶硅的大面积离子注入,这一层也是外基区的扩散源,也是外基区引线,在其上作基极开空,注入离子能量为80 KeV,剂量为9.0E15,对于外基区注入,先要求它能够形成良好的欧姆接...  (本文共1页) 阅读全文>>

《半导体信息》2007年04期
半导体信息

高效率双极晶体管

恩智浦半导体(由飞利浦创建的独立半导体公司)发布了最新一代低VCEsat晶体管,与普通晶体管相比,其功率损耗可减少80%。新型BISS(小信号击穿)晶体管具有超低饱和电压(1A时低于60mW)、高电路效率和更低的能源消耗,并能减少便携式电池供电产品(如笔记本电脑、PDA和数码相机)的发热量。先进的BISS双极晶体管还可用于需...  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子产品世界》2004年24期
电子产品世界

双极晶体管的进步

尽管MOSFET已经成为众多电源管理设计者默认的选择,但是双极晶体管也一直是媒体关注的焦点,并且在某些电源开关应用中是更好的选择。近几年来,双极晶体管发展很快,并经历了几代技术上的进步。如图1所示。本文首先综述当前双极晶体管的特性,然后说明它们不可或缺的优越性如何在实际中得到应用。对任何开关来说,重要的是既定击穿电压下的导通(on-state)特性,这需要芯片上的电流平均分布,保证芯片的功能最大化。小心细致的晶片处理、芯片布局以及减少连接阻值使晶体管活跃区平滑的聚合技术,已经在连续的几代双极晶体管中达到了上述要求。当被用作饱和开关时,双极晶体管有一个固有的优点,得益于阻性集电极区(resistive collector region)的传导性调制,极大地减少了有影响的通路电阻RCE(sat)。随着集电极-发射极(collector-emitter)击穿电压标称值的增加,这种影响相应地显著增加。双极晶体管受V(BR)ECO或者V(...  (本文共2页) 阅读全文>>

《无线电工程》1998年06期
无线电工程

非线性双极晶体管模型的研究

感)来模拟非线性双极晶体管,如图1所示。R心二 俐只日份脚护IVP.),.,月.-.,为-.一, 脚 一3一口 尸物 ~1 vsl,.2T~·一1概述 微波电路设计领域正在发生一场革命,传统的微波设计方法正在逐渐被微波CAD所替代,因此无线电系统可以在软件中进行仿真。在微波CAD当中,器件模型是最关键的问题,可以说,若没有精确的器件模型,微波CAD和无线电系统仿真也将粉.撰失去意义,所以在微波CAD当中,必须充分重视器件的模型。目前一些传输线(微带、带状线等)、电容、电感、电阻等的模型已建立得非常精确,但对非线性晶体管模型仍然是个难题,特别是非线性晶体管的大信号模型难以建立。 非线性双极晶体管是微波电路中使用非常广泛的有源器件,建立非线性双极晶体管模型是非常重要的。通过使用惠普公司的Hpads软件和Ansoft公司的Compaet软件,发现大多数微波CAD软件中应用的模型都是对Gunmel一Poon( GP)模型做不同程度的改进...  (本文共5页) 阅读全文>>