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PIC单片机扩展大容量数据存储器KM29N16000TS

Microchip技术公司的 PIC系列嵌入式微控制器采用的精简指令集 ( RISC)、Haward双总线结和两级指令流结构 ,其高速度、低工作电压、低功耗及较大输入 /输出直接驱动能力 (灌电流可达2 5 m A)以及指令易学易用的特点都体现了微控制器的发展趋势 ,PIC单片机做为一类具有较高性能价格比的 8位微控制器 ,在市场上得到了广泛的应用。然而由于其不开放系统总线 ,在要求大容量数据存储器的应用系统中扩展大容量数据存储器成为系统实现的技术关键。随着存储器技术的发展 ,快闪存储器 ( FlashMemory)兼容于 E2 PROM的低电压可编程能力和不易失性 ,并且容量大、速度快 ,在一些速度要求不是特别高的数据采集系统是存储数据的最佳选择。1 快闪存储器 KM2 9N1 60 0 0 TS的特性KM2 9N1 60 0 0 TS是 44( 4 0 )脚表面封装器件 ,具有 ( 2 M + 64K)字节的存储空间 ,组织...  (本文共4页) 阅读全文>>

《电子产品世界》2004年15期
电子产品世界

存储器及闪存的市场格局

存储器与处理器、逻辑电路并称为IC的三大主流器件。存储器可分为易失与非易失两类,在市场上现存的存储器归类如图1所示。市场调查公司Gartner 2003年的研究认为,2003年整个存储器的市场规模为334亿美元左右,各种存储器的市场份额如图导体存储器的增长势头如图3所闪存的市场及前景最吸引业界的眼光。并且有容量越来越大的趋势。实际上,单片的存储器器件与SoC中的存储器各有千秋,其特点如表1所示,可见二者都有很大的发展空间。现有的单片存储器技术也各有优势,英飞凌公司存储器产品部的CTO(首席技术官)W. Beinvogl博士认为,各种存储器的特点如表2所[(\312\276\243\254)526.3(\325\375\322\362\316\252\310\347\264\313\243\254)526.3(\312\320\263\241\311\317\270\367\326\326\264\346\264\242)]器才可...  (本文共2页) 阅读全文>>

《电子质量》2004年11期
电子质量

存储器术语(2)

简称:ECC在处理单位作错误侦测和改正所有的单一位的误差,也可以作双位或多位的误差核对与改正。标准:ErrorCheckingandCorrection)简称:EDODRAMEDODRAM也称为HyperPageModeDRAM,这是一种可以增加动态随机存取内存(DRAM)读取效能的存储标准:ExtendDataOutDynamicRan-器,为了提高EDODRAM的读取效率,EDODRAM可以保持资料输出直到下一周期CAS#之下降边缘,而domAccessMemoryEDODRAM的频宽由100个兆字节(MB)...  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子设计技术》2004年07期
电子设计技术

存储器

“远程”非接触性存储器 意法半导体(ST)推出一个名为LRI64的“远程”非接触性存储器,它是一个64位一次性可编程(OTP)用户存储器,并附有一个64位只读唯一标识码(UID)。这个新器件具有可靠的CMOS制造技术,内嵌EPROM存储器。它由16个8位的块组成,前四排包含64个只读UID位;只有当UID被完全或正确编程时,LRI64才能进入工作模式。这个存储器支持运行防冲突序列的AFI寄存器,还为用户提供56位的一次编程多次读取空间。LRI64的样品已经上市,预计2004年5月底开始量产。LRI64的美国市场价格按100万套计算,每套0.10美元。网址:WWW石t名om/eontaetless支持JEOEC OORZ标准的具有串行存在检查...  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子产品世界》2004年15期
电子产品世界

最近存储器发展动向

①容量达1G的DDR SDRAM;②容量达16Mb的MRAM;③400MHz和466MHz的双模DDR SDRAM;④容量达512Mb的RDRA...  (本文共1页) 阅读全文>>

《电子产品世界》2004年17期
电子产品世界

新一代存储器发展动向

在下一代存储器的开发中,强电介质存储器MRAM(磁膜RAM)、OUM(双向一致存储器)是最有力的修补者,多家公司都进行产品化。不过各家公司的产品战略有所不同,其产品或逻辑电路与强电介质存储器结合而成系统LSI,或做成替代EEPROM、内存及DRAM的单个存储器。强电介质存储器(FERAM/FRAM)为非易失性存储器,除了象DRAM及SRAM一样无需数据保持电源外,比起同样非易失的闪速存储器及EEPROM来,在写入时间、写入电压、耐改写性(写入次数)、数据保存时间方面也十分优越。在晶体管组成上,相对于通常EEPROM的2晶体管/单元,SRAM的6晶体管/单元,它可以1晶体管/单元。此外,EEPROM,闪速存储器还需要数据消去操作,强电介质存储器却不需要。由于如此优越的性能,日本韩国北美等许多半导体厂商早就在探索强电介质存储器的产品化了,不过,目前仍未实现批量生产。其最大的原因在于强电介质膜的成膜工艺尚未成熟到适合批生产的水平。目前...  (本文共2页) 阅读全文>>