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改善GaAs MESFET输出功率线性的载流子浓度分布设计与制备

1功率GaA、MEsFET载流子浓度分布设 计1。1输出功率与FET器件载流子浓度的关系 根据GaAs电子漂移速度一电场饱和特性的两段模型与均匀载流子浓度分布推导出最大输出功率为[ll:P。。。=1/8 id,(V,:一V。一Vd。)(i)式中id,为可能提供的最大漏极电流,它与载流子浓度n。成正比: iapOCno协wE: 其中卜为电子迁移率,w为总栅宽,E.为饱和速度的临界电场。(1)式中V:R为栅漏雪崩击穿电压。Vdp为饱和压降,V,为夹断电压。理论和实践皆表明V.在4伏左右为好。从设计力流子浓度来考虑上式夕有如下要求: 1)为增加最大电流输出能力,希望在有尽可能高的电子迁移率的同时,有较高的载流子浓度n。。 2)如果n。高,则VBR下降,对提高功率不利,要有较高的VSR,希望n。略低些。 3)要减少饱和压降Vd,,必须降低欧姆接触电阻,因此需要在n+层上制备欧姆接触。 对于均匀的载流子浓度分布来说是无法把这三种要求统一起...  (本文共7页) 阅读全文>>

《工程数学学报》1990年02期
工程数学学报

TWO DIMENSIONAL SIMULATION OF SHORT-GATE-LENGTH GaAs MESFET's

1.Introduction It 15 the main Problems to save the eomPutation time and the stoz一age requirements and四arantee the eertain eomPutation aeeuraey and eomPutation stability in the solution ofthebasie equation. Reeently the set of dePendent variables(少,n,P)15 rarely used.To avoid overflow thisset should be emPloyed in the Power deviees whieh work at high bias.MESS(MESFETSimulation)utilizcs the improved charge lumPing meth...  (本文共9页) 阅读全文>>

《Journal of Electronics(China)》1990年04期
Journal of Electronics(China)

TWO-DIMENSION NUMERICAL SIMULATION OF SUBMICRON-SCALE GaAs MESFET

1.Introduetion ComPuters加ulation 15 an imPortant method in theoretieal analysis of device eharac·teristies and optimum design of deviees.In the past,盯eat progress was made in thesidevice simulation,and now,with the wide uses of GaAs devices,the GaAs devices而ulation15 emphasized.Comparing with the 51 deviees,the GaAs devices have two peeuliaritles:(1)Hot Eleetron Effeet 15 more signi丘eant;(2)GaAs 15 a kind of two-vall...  (本文共9页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1991年03期
固体电子学研究与进展

具有模拟和数字多功能的GaAs IC问世

据《MICr。W。y6&RF》1990年10月报道,美国TRW公司已成功地研制出具有模拟和数字功能的GaAs IC,称为“多功能GaAs IC”。其尺寸为l.05 X 3.75mm,内部含有54个异质结双极晶体管。该公司认为,这种IC的问世,意味着一种新技术的诞生。它在一个芯片上同时结合了模拟和数字两种功能,并应用HEMT和MESFET两种工艺技术。其芯片可以作为一个X波段(8~12GHZ)频率源。此多功能IC可代替现有的频率源,应用于美国空军综合通讯、导航、空军/海...  (本文共1页) 阅读全文>>

《Journal of Semiconductors》2018年12期
Journal of Semiconductors

Static performance model of GaN MESFET based on the interface state

1. IntroductionDue to the good metallurgical properties,wide operating temperature range,and radiation tolerance,the MESFET resonant tunneling diode(RTD)has been widely used in the field of integrated circuits.Resulting from the lack of minority carrier storage,these transistors can reach 100 GHz speeds with the advantage of the speed of the Schottky diode response and a very weak noise factor[1–3].In this article,an...  (本文共6页) 阅读全文>>

《测试技术学报》2010年05期
测试技术学报

基于MESFET的GaAs基微加速度计的设计与性能测试

近几年来,微加速度计的开发与发展已引起研究人员的特别关注,但其发展的目标在于微型化、自动化、智能化、集成化,探索基于新效应、新机理的高敏感结构,以满足应力作用下纳米级形变的检测.微加速计不但可以直接检测载体的加速度,并且可以通过对加速度积分,计算出载体位移和速度[1-2].微加速度计与普通的加速度计相比较,不但体积小、质量轻、功耗低、可靠性好、易于集成,而且便于大批量、规模化生产[3-4].因此,广泛地运用于汽车工业、武器系统、航空航天、工业自动化等领域[5-6].微加速度计的加工主要是基于表面微加工工艺和M EM S体加工工艺相结合的方法,传统的较为成熟的微加速度计主要有压阻式、电容式、压电式、隧穿式等等[7-8].每一种微机械结构在具有各自优势的同时,也存在弊端.压阻式微加速度计比较成熟,但由于压敏电阻的温漂效应较大,在某些程度上限制了灵敏度的提高,难以满足微小变化的测试需求;电容式微加速度计由于微纳尺度的限制,也难以提高灵...  (本文共5页) 阅读全文>>