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SiGe体单晶的研究进展

综述了近年来SiGe体单晶在材料特性  (本文共4页) 阅读全文>>

天津大学
天津大学

SiGe合金单晶生长及性能研究

SiGe单晶的特点是其性质随组分不同而变化,具有带隙可调,禁带宽度可容易地通过改变Ge的含量加以精确调节等许多独特的物理性质,有“第二代硅微电子材料”之称。SiGe合金材料在微电子器件、光电器件和热电器件方面有着诱人的应用前景。由于SiGe单晶具有这一系列的优点及应用,世界主要发达国家都加强了对SiGe单晶材料的研究。对于SiGe单晶材料的生长,目前国际上主要有直拉(CZ)法、区熔(FZ)法和垂直布里奇曼(VB)法。与其它生长方法相比,直拉法较为成熟并且可获得较大直径的SiGe单晶。由于组分的强烈偏析,SiGe单晶的生长很困难。目前国内对SiGe体单晶的生长、物理特性及其在微电子和光电子领域的应用研究很少。本文第一章主要介绍了SiGe合金单晶的特点、基本性质及在空间太阳电池、X射线单色器、γ射线透镜、量子阱器件衬底方面的应用。还介绍了国际上制备SiGe单晶的方法及研究进展。第二章主要介绍了我们开展SiGe单晶生长的研究情况。根椐...  (本文共58页) 本文目录 | 阅读全文>>

河北工业大学
河北工业大学

掺锗CZSi单晶光学性质及锗分布均匀性的研究

本论文利用二次离子质谱(SIMS)、化学分析法(电感耦合等离子体(ICP)直读光谱仪)、扫描电镜能谱仪(SEM-EDX)三种方法对不同掺锗浓度的CZSiGe单晶中锗含量进行了测试,并对变速拉晶条件下锗的有效分凝系数进行了计算,得出锗的有效分凝系数(Ke)为0.62。根据测试结果画出了不同浓度锗的变化曲线。利用FTIR法测得了不同锗浓度单晶中的氧碳含量,并对其谱图进行了研究,得出:在谱图的低波数端随锗浓度的提高(710cm~(-1)附近)出现了新的谱峰。650℃、850℃、1350℃分别退火后,测得谱图无明显变化,初步确定是由于新的键合Ge-C或Ge-C-Si的形成引起的。利用单晶X-ray衍射(SCXRD)对CZSiGe单晶的晶胞进行了测试,发现晶胞参数发生了明显的变化。利用原子力显微镜(AFM)对不同锗浓度的硅锗单晶的形貌进行了观察,得到了不同单晶的原子层形貌。论文中对硅锗单晶的光学禁带宽度进行了测试,得出了掺锗不同浓度下禁带...  (本文共50页) 本文目录 | 阅读全文>>

《微电子技术》1999年06期
微电子技术

美国Xtal公司研制成SiC单晶

美国XtalTechnology公司首先研制成SIC单晶,该公司已经生产GaAS,InP和Ge单晶。美国XtalTechno...  (本文共1页) 阅读全文>>

《人工晶体学报》2000年S1期
人工晶体学报

SiC大单晶的生长

Silicon carbide (SiC) single crystal,which hasn't melting point at normal pressu r e and sublimates at temperature above 2000℃,is a wide bandgap semiconductor.Si lic on carbide has more than 200 kinds of polytype.Among these polytypes,3C SiC、6H SiC and 4H SiC are the most common ones,the band width of them are 2.4eV,3.0eV , an d 3.4eV,restpectively.For its high temperature tolerance and radiation resistanc e,sil...  (本文共1页) 阅读全文>>

《人工晶体学报》2000年S1期
人工晶体学报

KLN单晶的SHG特性

Tetragonal tungsten bronze structure potassium lithium niobate (KLN) crystals pr omise as a potentially useful material for nonlinear optical applications,especi ally,for blue laser radiation by second harmonic generation (SHG).We have grown KLN single crystals by TSSG method using different melt compositions and studied the properties of second harmonic generation (SHG).The crystals have the conten ts of Nb 2O 5...  (本文共1页) 阅读全文>>

《硅酸盐学报》2017年04期
硅酸盐学报

光学浮区法生长掺铟氧化镓单晶及其性能

采用光学浮区法生长了尺寸f(7~9 mm)×(30~35 mm)的β-Ga_2O_3:In单晶。X射线衍射物相分析表明,β-Ga_2O_3:In单晶仍属于单斜晶系。研究了不同In掺杂量的β-Ga_2O_3...  (本文共5页) 阅读全文>>