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Si/SiO_2界面态研究中辅以脉冲和恒定红外光照的脉冲Q(V)法

本文提出了一种新的Si/siO_2界面态研究方法——辅以脉冲和/或恒定红外光照的脉冲Q(V)法.该方法的主要特点是:测量精度高,能自  (本文共11页) 阅读全文>>

《微电子学》1988年01期
微电子学

SOI辐射效应测试技术

我们已经研究和验证了一种测试绝缘体上硅(SOI)材料界面的辐射响应技术,它采用全SOI结构和深腐蚀SOI结构电容电压(C-V)曲线数据叠合法...  (本文共4页) 阅读全文>>

《光电子学技术》1988年04期
光电子学技术

存储型ZnS:Mn ACTFEL器件界面电子源模型

在一种非对称阶梯脉冲信号的驱动下,ZnS∶Mn 交流薄膜电致发光(ACTFEL)器件的阈值特性得到了展开。结果表明;器件的发光阈值场强 E_l小于深能级离化场强...  (本文共7页) 阅读全文>>

《西安交通大学学报》1988年03期
西安交通大学学报

非欧姆氧化锌陶瓷的界面态和晶界势垒模型的探讨

本文对非欧姆氧化锌(ZnO)陶瓷的界面态进行了探讨,提出了控制非线性电导特性的界面态是由于晶界的深能级电子陷阱,且深能级电子陷...  (本文共8页) 阅读全文>>

《半导体学报》1989年07期
半导体学报

Si/GaP(111)和(■)界面的研究

本文报道用EHT方法计算Si/GaP(111)、(111)和(110)界面的电子结构,得到它们的价带不连续值△E_v分别为:0.88eV、0.97eV和0.87eV,这和Si/GaP的实验结果:...  (本文共5页) 阅读全文>>

《光电子学技术》1989年01期
光电子学技术

存储型ZnS:Mn/ACTFEL器件界面电子源模型的初步应用

根据存储型ZnS:Mn交流薄膜电致发光(ACTFEL)器件的界面电子源模型,首次发现了...  (本文共7页) 阅读全文>>