分享到:

B样条函数在短沟道MOS器件直流特性模拟中的应用

本文提出了采用B样条函数模拟MOS器件直流特性的新方法。基于“张量积”原理和重结点技巧,推导出满足MOS器件边界约束条件的三维二次B样条函数最小二乘法的数学模型,并开发了相应的 SMDC程序(Simulation for MOS DC Characteristics). 该程序对沟道长  (本文共10页) 阅读全文>>

《东南大学学报》1960年10期
东南大学学报

低温ECL电路直流特性测试与分析

低温ECL电路直流特性测试与分析高梅芳,沈克强,魏同立,李垚(东南大学微电子中心,南京210018)本...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体学报》1993年01期
半导体学报

与CMOS工艺兼容的横向双极晶体管直流特性的新算法

本文提出了一种适用于CMOS工艺中横向双极型晶体管直流特性计算的新方法。新方法采用解析形式计算电流I_c,所需模型参数均保留明确的物理意义,...  (本文共8页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》2002年02期
固体电子学研究与进展

GaAs基InAlAs/InGaAsMHEMT直流特性研究

报道了用 MBE技术生长的 Ga As基 In Al As/In Ga As改变结构高电子迁移率晶体管 (MHEMT)的制作过程和器件的直流性能。对于栅长为 0 .8μm的器件 ,最大非...  (本文共3页) 阅读全文>>

《电子学报》1987年04期
电子学报

HEMT直流特性、微波和噪声参量的计算

本文全面分析计算了HEMT器件的直流特性、微波和噪声参量。考虑了二维电子气密度与费米能级关系,得出修正后的电荷控制模型,并结合饱...  (本文共9页) 阅读全文>>

《成都电讯工程学院学报》1986年01期
成都电讯工程学院学报

SiIMPATT器件的直流特性分析

本文基于电子、空穴的连续性方程和泊松方程,对Si单边突变P~+n结、双边突变pn结、线性缓变结以及“高斯—平坦分布”复合结等不同掺杂结构下的...  (本文共6页) 阅读全文>>