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中子辐照氢气区熔硅单晶退火行为的正电子湮没研究

_赵!吧七.一、71日 氢在熔态硅中的溶解度很大,通过熔体进人生长态硅中的氢原子可达2 x 101,/cm七,,,,虽然固态硅中的溶解度是小的131,但由于纯氢气氛中生长的晶体冷却速度最快,晶体中氢过饱和量最大【,],氢含量达10’‘/。澎以上【5],与正电子湮没技术所能探知的空位缺陷浓度范围(10一,一10一礴)相当.氢原子能使无定形硅和单晶硅中的悬键饱和形成51一H键[’.7],钝化硅中电活性的点缺陷〔8J,对材料的电学和光学性质产生显著影响. 由于芷电子与质子极为相似,因此对研究氢在晶体中的行为,氢与缺陷的相互作用,正电湮没方法是很有特长的.以往用正电子湮没方法对粒子辐照硅的退火行为的研究中,得到两个分别为正电子在双空位和四空位湮没的长寿命组分叼0J,但对含氢硅所做的研究还未见报道. 本工作通过测量正电子寿命和多普勒加宽线形参数研究中子辐照氢气区熔硅单晶等:时退火行为,研究氢与中子辐照诱导的缺陷的相互作用及其影响.二、实验...  (本文共7页) 阅读全文>>

《半导体情报》1987年05期
半导体情报

抗中子辐照器件结构参数的确定

一、引言 常用的半导体器件,特别是高压二极管和气低频大功率晶体管等受到大剂量中子辐照时,器件特性将退化。为了减少这些退化而出现了一批核加固半导体器件,本刊前一时期已发表过两篇有关文章〔”“’。本文拟对器件电参数在中子辐照后的退化过程作具体的探讨,以便作出合理的器件设计,并据此得出硅高压整流二极管和硅双极晶体管的抗中子辐照的限度。等)。随中子辐照增加,载流子寿命下降,-二。和丐都减小,Vj有所降低,但其减少的绝对值不大。影响V;最主要的是基区电压降V。的增加。V、的变化受载流子寿命下降低,载流子去除效应和迁移率降低三方面的影响。在这里所讨论的间题范围内,迁移率降低不多,影响可以忽略。我们分别讨论前两种影响。先假定载流子注入很小,电导调制效应可忽略,载流子去除效应引起辐照后的基区电压降V、与辐照前的基区电压降V。。的比为t‘’ 二、PIN高压整流二极管 普通低压二极管是相当耐中子辐照的,而高压二极管或高压整流硅堆,由于其基区杂质浓度...  (本文共7页) 阅读全文>>

《林业科学》1987年01期
林业科学

快中子辐照白蜡虫卵对白蜡增产效应的研究

为了探索白蜡增产措施,我们在1981一1983年用媚一被中子源进行快中子辐照白蜡虫卵取得白蜡明显增产的基础上,1984年进行了扩大试验,现将结果整理如下: 一、试验设计 (一)虫源以峨眉县本县产种虫20kg,及金口河产种虫300kg质量一致的种虫进行试验。 (二)辐照用媚一被中子源的3个中子通量,即中l一l.2x106n/cm:、中:二二3又10”11/c mZ、中3一了.62 x 104n/“mZ进行辐照。峨眉本地虫成熟较早,计划辐照数量较少,运往四川大学原子核所辐照。金口河种虫运到峨眉后将中子源屏蔽,由成都运往峨眉临时辐照场赶行辐照。试虫按1.skg一袋精确称量置于辐照.架上,力求受照均匀,共照30min。此外,用1.6kg神虫以1.32x10,n/c mZ的剂量进行破坏性辐照试验。 (三)放养峨眉本地种虫20kg,辐照各组及对照组均放养于峨眉川主乡赵河村一片地形、地势和树势一致的白蜡林内。金口河种虫则放养于峨眉川主乡的赵河...  (本文共5页) 阅读全文>>

《微电子学》1988年06期
微电子学

硅高压整流器件的中子辐照效应研究

航天技术的飞速发展,要求电子系统能够经得住宇宙空间的各种辐照环境。电子系统在空间受到多种高能粒子的照射,性能会退化以至最终失效。如果能对电子系统进行抗辐射设计,则可提高其抗辐射能力。而电子系统是由各种元器件组成,因此必须对各元器件进行加固工作。为此,我们对硅高压整流器件进行了中子辐照效应和加固技术研究。 硅高压整流器件的中子辐 射损伤 由于中子辐照在半导体材料中引入费伦克耳缺陷,在禁带中形成新的电子能级,充当复合中心,从而使半导体材料的多子浓度、迁移率、电导率及少子寿命下降,由此而引起硅整流器件的电参数的变化。 受中子辐照影响的硅整流器件电参数,有正向电压、反向漏电流、反向击穿电压及开关存储时间等。其中最敏感的是正向电压,它主要受两种作用的影响:一是少数载流子寿命的缩短,二是载流子去除效应。在中子注量远低于发生载流子去除效应时,少数载流子寿命的缩短是使正向电压增大的重要因素。一般认为,硅整流二极管的正向性能退化速率是初始掺杂浓度...  (本文共6页) 阅读全文>>

《物理学报》1988年07期
物理学报

n型气相外延GaAs层中中子辐照感生缺陷的研究

士丘 中子辐照能引起GaAs的晶格损伤,产生很多缺陷,它们影响着材料的电阻率、少子寿命等重要参数,进而改变了制成器件的性能“’.对辐照在GaAs中引入的缺陷虽已进行了许多研究旷”,但至今对这些缺陷的起因及结构未有肯定的结论“’.对GalAs金属半导『本场效应管(GaAs MESFET‘)中子辐照在有源层中引入的深能级缺陷的研究,将有助于这方面工作的进展.在固体微波器件中GaAs MESFET占有极其重要的地位;由于微波单片集成正在变为现实,GaAs MESFE'I’将会给线性集成带来生气勃勃的发展前景.这些器件和电路在空间技术应用中将不可避免地受到电子、质子和中子等高能粒子的辐射,对器件受辐射后性能的变化及其物理机理的研究受到了国内外科学工作者的重视. 本文研究lMeV中子辐照在GaAs MESFET有源层中感生的缺陷及对器件性能的影响,并与电子辐照在GaAs中引入缺陷进行比较,对这些缺陷的形成机理也进行了探讨.二、 实 验 所...  (本文共6页) 阅读全文>>

《钢铁研究总院学报》1988年03期
钢铁研究总院学报

SUS316不锈钢在快中子辐照下铁素体的生成

摘自《日本金属学会豁》,1987,滩12,P.ll01、1107 快中子增殖反应堆(FBR)堆芯用SUS316奥氏体不锈钢,长期用于650、950K高温,并接受2‘3x10”m一盆的快中子辐照。而316不锈钢在相平衡上属于亚稳定状态。却ooK以下时效的316不锈钢通常看不到铁素体相,但在中子或重离子辐照下却能看到铁素体的生成。本实验研究了铁素体相的生成同析出物之间的关系、辐照盆对铁素休生成和消失的影响以及铁素体生成量同辐照和温度的关系等。以功%冷加工316不锈钢为试料,试料分A、B两种,它们的B、P含量不同,固溶热处理条件也有所差异。辐照前在A钢晶位中可见到数10nm的未固溶碳化物,B钢中则见不到这类碳化物,未固溶碳化物径X线衍射得知为M”C.。将人、B两种材料作为核燃料包班管(外径6 .3、壁厚0.35mm),在“常阳”反应堆中经受最高达6 .4 x.10“In-:的快中子辐照,然后在包搜管上切取直径为 3mm的圆形试片,减薄...  (本文共1页) 阅读全文>>