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光电化学法测量N型半导体材料扩散长度

一引吉 、V.翻J 少数载流子扩散长度是半导体材料的基本参数,对于亚微米和微米范围的L,测最方法已有许多报道,如EBIC,sPv和光电化学等方法,其中sC/EL结光电化学方法,具有不破坏样品,不需制备测试样品和装置简单等优点而受到重视.文献[11提出由I,一律曲线外推求得m一v族半导体材料L,的方法,虽有不需知道材料参数的优点,但这种方法在L,远大于W的样品中,有一定的局限性. 本文提出的拟合法是以光响应作为。W和aL,的函数,在知道“的情况下,拟合曲线求得乙,值,可补充外推法的不足和得出较为正确的L,值. 二、实验方法 如果把sC/EL界面处理为Schottky势垒,并认为:(l)空间电荷区内的t子效率为1,(2)能带弯曲大于Iv,(3)光电流完全由少数载流子贡献.在这样的条件下,光电流可由下式给出: z,~宁F[l一。一“‘/(1+a乙,)].(l)式中。是吸收系数,F是人射光子流,w是Sc/EL结势垒宽度,L,是少子扩散长...  (本文共5页) 阅读全文>>

《稀有金属》1989年06期
稀有金属

LPE-n-In_(0.53)Ga_(0.47)As中少子扩散长度的研究

一、引言 三元合金半导体In。.5。Ga。.:了AS材料在室温时的禁带宽度E:=0.75eV,是一种适合于制备长波长光纤通信探测器的材料,同时由于它还具有较高的室温电子迁移率,因而也是一种很引人注目的微波器件材料。因此,测定ln。.。3(坛。.,7AS外延层中的各种参数有重要意义。 对于少子半导体器件,少子扩散长度是一个重要参数,因为它不仅支配了载流子的分布,也是表征材料质量的一种指标。目前对半导体材料中少子扩散长度己有多种测量方法,最常用的是扫描电镜电子束感生电流法(SEM一EBIC)〔l〕和SPV法。SEM一EBIC法设备较复杂,需将样品制成二极管后再解理,是一种破坏性方法,且其精度易受表面复合和解理气氛的影响。相比之下SPV法则具有测试设备简单,样品制备方便,非破坏性,不受表面复合影响等优点,是测定Sj中LP的ASTM标准方法之一,其精度优于10%。目前 SPV法己被推广应用于少子扩散长度较短的l一丫族和I一班族化合物半导...  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体学报》1989年04期
半导体学报

光电化学法测定硅中少子扩散长度

_色下.龚.—、7!巨 测定硅中少子扩散长度的通用方法是表面光电压(spv)法.Micheels山采用液结,对硅中少子L进行过测量,但其方法仍与SPV法相似.鉴于G衍tener方程在化合物半导体中的应用有许多问题t2J和尚未在硅中应用,以及液结所具有的许多优点,本文从G七tener方程出发,研究了Si/E1液结的光电流特性,提出了测定硅中少子扩散长度的光电化学测试方法。二、实验原理和方法 液结的光电流特性一般可用G七tener方程描述.对硅而言,当单色光波长1 .1声m几0.8产m时,方程简化为:‘。“,沪南(L+一)在样品电位恒定的情况下,改变人射单色光波长,由I。/I,b一a一’的线性关系可求出少子扩散长度.在人射单色光波长和光强及其它实脸条件一定的情况下,如确定了I。值,便可由样品的I,、值的大小求出扩散长度乙值。甲可近似取作l一2拌m,它对计算结果影响较小. 寒脸装里和sPv法测试装置基本相同,由于本文所述方法不要求样品...  (本文共4页) 阅读全文>>

东南大学
东南大学

稀土调控非磁薄膜的自旋扩散长度

自旋电子学一直是磁学研究的重要部分,其最基本的研究对象就是纳米磁性薄膜。磁性薄膜材料磁矩运动过程中的弛豫快慢由其磁动力阻尼因子决定,对磁性存储和自旋电子器件的读取速度起着关键作用。在对磁性薄膜材料的动力学性质的研究中,铁磁共振以其灵敏度高和装置简单成熟的特点受到广大科研工作者的青睐。本论文利用铁磁共振对坡莫合金/非磁双层膜结构的界面自旋泵浦效应进行了系统的研究,采用稀土Nd增加非磁层的自旋-轨道耦合,从角度依赖和频率依赖两个方面对双层薄膜的铁磁共振的共振场和线宽进行了实验测量和理论拟合,实现了稀土对磁动力阻尼因子的调制,并对非磁层的自旋扩散长度以及磁/非磁界面自旋混合电导进行了讨论。主要研究结果如下:一、稀土Nd作为非磁性金属调控铁磁薄膜(NiFe)/非磁(Nd)异质结中的自旋泵浦研究坡莫合金(Ni_(80)Fe_(20))是一种很好的软磁材料,然而它的磁动力阻尼因子很小,导致了开关时间太长难以在自旋电子器件中应用。自旋泵浦效应...  (本文共82页) 本文目录 | 阅读全文>>

《半导体技术》2005年07期
半导体技术

光刻胶等效扩散长度对0.13μm工艺窗口的影响

1引言 化学增幅光刻胶在248nm和193 nm光刻工艺 中被广泛应用。化学放大的过程需要光致酸在空间 上扩散开来,从而实现化学放大的催化反应。由 于扩散的随机性,它会使空间像的对比度下降、掩 模版误差因子的升高、及能量裕度的下降。但是 这种对像质的损伤在对较宽的空间周期的光刻中, 如0.25林m的工艺,并不易被察觉。这是因为典型 光刻胶的等效扩散长度为20一60nm,相对250nm来 讲并不大。在 180nm甚至更先进的130 nm及以下 节点中,这种扩散及其产生的的效应会变得很显 著。最近,在半导体工业界内对如何测量和评价这 种由于扩散而造成的像模糊及掩模版误差因子对线 宽均匀性的影响产生了很大兴趣f’一51。尽管研究如 何测量这种扩散早己为业界所重视,直到最近, 测量手段才精确到使测量结果具有实用价值川。 2高斯扩散下交替相移掩模版的 空间像 前期研究表明,测量光致酸等效扩散的最好方 法是使用一个对比度很高的空间像。这是因...  (本文共5页) 阅读全文>>

《华东公路》1993年06期
华东公路

采用扩散长度来计算挡土墙土压力的浅见

l一辆重车扩散长度及其实际扩散长度l·l现取用的一辆重车扩散长度 现行计算中所取用的一辆重车扩散长度是由前轴总重和后轴(或中、后轴)重力产生的一段扩散长度,如图所示。并按下式计算: 当汽一20级时, B~5 .6+(Za十H)rg30o(1) 当汽一10级、汽一25级时, B一42+(Za+H)t只300(2)┌─┬────┐│ │r..一一-││ │…工 ││ │L___ │└─┴────┘用于汽车一20级用于汽车一10级 汽车一15级式中B一一辆重车扩散长度(m); a一挡土墙顶面以上填料高度(m),路肩 式挡土墙无此高度; H一挡土墙墙身高度(m)。 1·2一辆重车实际产生扩散长度 一辆重车实际产生扩散长度是由前轴重力和后轴(或中、后轴)重力产生前后两段不连接的扩散长度(汽车一20级的中、后轴距较小、中、后轴重力产生的扩散长度一般是连接的),其实际扩散长度,按下式计算: 当汽一20级时, BO一0 .2+(Za+H)tg3...  (本文共4页) 阅读全文>>