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重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体载流子浓度的光测法研究

本文应用计算机,绘出各类重掺Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体在不同等离子频率ω_p下的反射率曲线,从中找出了反射谱的高低频反射边  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体光电》1988年04期
半导体光电

半导体材料中载流子浓度的自动电化学测量

本文简述了自动半导体载...  (本文共5页) 阅读全文>>

《国外科学仪器》1989年04期
国外科学仪器

PN4200载流子浓度剖面仪的特性和应用

一、引言一般地讲,半导体器件,包括半导体集成电路都是有选择性地将一定种类和一定浓度的杂质,掺入半导体内;或在半导体表面上淀积...  (本文共6页) 阅读全文>>

浙江大学
浙江大学

ZnO半导体载流子浓度的拉曼光谱研究

ZnO由于其室温禁带宽度大、激子束缚能高等优点,未来有望在半导体短波长发光领域实现应用。近年来,有关ZnO材料制备、掺杂、LED器件、LD器件、纳米结构方面的研究也有长足进展。但是,材料最终能否应用于实际,不仅仅需要对材料生长、器件制备工艺有深入理解,还需要相关半导体表征技术的发展。对于半导体材料来说,电学性能是极为关键的性能。随着材料器件结构、微观结构的复杂化,传统的电学性能测试(如霍尔效应测试)方法逐渐受到挑战。为此,研究适用性好、检测快速、无损伤的电学性能表征方法具有重要意义。拉曼光谱是解决这一问题的方法之一。基于极性半导体内部等离子体激元-LO声子耦合效应,拉曼光谱能够快速、无损地给出半导体材料的载流子浓度信息。本文基于拉曼光谱技术,研究了其在ZnO薄膜及ZnO基LED器件载流子浓度提取中的应用。主要的研究工作和成果如下:1.拉曼光谱在ZnO薄膜样品载流子浓度表征中的应用。通过对可见光、紫外光激发下ZnO样品的拉曼光谱分...  (本文共68页) 本文目录 | 阅读全文>>

《半导体学报》1986年02期
半导体学报

硼、砷双注入载流子浓度分布的测量及计算机模拟

本文研究了双极型器件中硼、砷双注入载流子浓度分布的规律,考察了双注入情况下两者的相互作用。为了模拟基...  (本文共4页) 阅读全文>>

《厦门大学学报(自然科学版)》1982年01期
厦门大学学报(自然科学版)

n-GaAlAs载流子浓度的温度特性和多能谷修正

本文用导带三能谷模型具体讨论了n-GaAlAs中载流子浓度的温度特n_0(x,T)。分析表明:在较高温区(T200K)载流子浓度的多谷修正是不可忽视的。用修...  (本文共9页) 阅读全文>>