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2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数

1 引言与传统的 MESFET相比 ,高电子迁移率晶体管 ( HEMT)具有截止频率高、跨导大、噪声低等特点 ,而且与 BJT、HBT相比 ,HEMT的低电压供电工作可以获得低功耗的集成电路 ,目前已广泛应用于高速光纤通信系统中的外调制驱动电路中 [1,2 ] .超高速大容量光纤通信系统速率商用水平已经达到 1 0 Gb/s,而实验室水平达到了 40 Gb/s[3 ] ,Ga As IC成为扩展通信容量的关键部件之一 .为了避免波长啁啾和严重的光纤色散 ,2 .5— 1 0 Gb/s以上高速光纤通信系统通常采用外调制驱动电路 .外调制驱动电路必须满足以下两个条件 :( 1 )高速工作 ;( 2 )提供足够的输出驱动电压以满足电吸收式( EA)和 Mach- Zehnder调制器的需要 ( 3VP-P) ,保证系统获得足够高的消光比 .本文主要针对 HEMT调制器驱动电路中器件模型参数开展研究 ,研究的主要内容包括 :( 1 ) ...  (本文共6页) 阅读全文>>

《功能材料与器件学报》2000年03期
功能材料与器件学报

2.5~10Gb/s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究

1引言目前超高速大容量光纤通信系统速率,商用水平已经达到10Gb/s,而实验室水平达到了40Gb/s[1],GaAsIC成为扩展通信容量的主要途径之一。为了避免波长啁啾和严重的光纤色散,2.5~10Gb/s以上高速光纤通信系统通常采用外调制驱动电路。外调制驱动电路必须满足以下两个条件:高速工作;提供足够的输出驱动电压以满足电吸收式(EA)和Mach-Zehnder调制器的需要(3VP-P),保证系统获得足够高的消光比。与传统的MESFET相比,高电子迁移率晶体管HEMT具有截止频率高、跨导大、噪声低等特点,而且与BJT、HBT相比,HEMT的低电压供电工作可以获得低功耗的集成电路,目前已广泛应用于高速光纤通信系统中的外调制驱动电路中[2,3]。本工作针对PHEMT调制器驱动电路中器件性能开展研究,内容包括:2.5~10Gb/s调制器驱动电路对PHEMT器件阈值特性的要求、对PHEMT器件特征频率特性的要求及其设计和眼图模拟分析。...  (本文共5页) 阅读全文>>