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2.5—10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数

1 引言与传统的 MESFET相比 ,高电子迁移率晶体管 ( HEMT)具有截止频率高、跨导大、噪声低等特点 ,而且与 BJT、HBT相比 ,HEMT的低电压供电工作可以获得低功耗的集成电路 ,目前已广泛应用于高速光纤通信系统中的外调制驱动电路中 [1,2 ] .超高速大容量光纤通信系统速率商用水平已经达到 1 0 Gb/s,而实验室水平达到了 40 Gb/s[3 ] ,Ga As IC成为扩展通信容量的关键部件之一 .为了避免波长啁啾和严重的光纤色散 ,2 .5— 1 0 Gb/s以上高速光纤通信系统通常采用外调制驱动电路 .外调制驱动电路必须满足以下两个条件 :( 1 )高速工作 ;( 2 )提供足够的输出驱动电压以满足电吸收式( EA)和 Mach- Zehnder调制器的需要 ( 3VP-P) ,保证系统获得足够高的消光比 .本文主要针对 HEMT调制器驱动电路中器件模型参数开展研究 ,研究的主要内容包括 :( 1 ) ...  (本文共6页) 阅读全文>>

《功能材料与器件学报》2000年03期
功能材料与器件学报

2.5~10Gb/s HEMT IC全耗尽型光驱动电路中器件性能的研究

1引言目前超高速大容量光纤通信系统速率,商用水平已经达到10Gb/s,而实验室水平达到了40Gb/s[1],GaAsIC成为扩展通信容量的主要途径之一。为了避免波长啁啾和严重的光纤色散,2.5~10Gb/s以上高速光纤通信系统通常采用外调制驱动电路。外调制驱动电路必须满足以下两个条件:高速工作;提供足够的输出驱动电压以满足电吸收式(EA)和Mach-Zehnder调制器的需要(3VP-P),保证系统获得足够高的消光比。与传统的MESFET相比,高电子迁移率晶体管HEMT具有截止频率高、跨导大、噪声低等特点,而且与BJT、HBT相比,HEMT的低电压供电工作可以获得低功耗的集成电路,目前已广泛应用于高速光纤通信系统中的外调制驱动电路中[2,3]。本工作针对PHEMT调制器驱动电路中器件性能开展研究,内容包括:2.5~10Gb/s调制器驱动电路对PHEMT器件阈值特性的要求、对PHEMT器件特征频率特性的要求及其设计和眼图模拟分析。...  (本文共5页) 阅读全文>>

《电子器件》1983年04期
电子器件

MOS器件模型参数的萃取

1.if % 无论余进行器件设计还舞作梭拟分析,其结采的准硒性与进用的器件俟型参数是密切相失的,元疑,选用来自工艺现墙的模型参效是合逛…但是,对买驳芯片的恻拣只能跃诗为数不多的几个参 M fd )Nha————————一_敷 埔沟退的觅和公,嘛极、漏极的面积和复盎,栅。墙靴焕的淳度以及P一n结练;电誉数确迪这C—C特性测得fq栅、掺DO8电容,以及可一工皖性。逸常田V一二特性犹将。敷斑采计算沟追勺迂移率,但引用邵甩瓣程是询化的,峪去了所羽即二级效应。县结朱是较租褪的,主捆嗡观足漏你电就为 IOta+k二徽号肘即栅猕电压作为升后电压,那只咽赤一秆约足,与真止的升眉电压一刚好浴庇胸透肘刚拗晔电压是涓区刷即,后看与畚件的顺尺位夫,eJ看随管于花仗儿的概小而羽价相加· 本文怠在竭狮乡几个楔型参数的铡试和最简饺的敦件来糟确一 地求馋器件设计和挨芮分斩中所锗的趣型参擞。所引用的数钮具 是回归分析。 ...  (本文共9页) 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

电路设计中组合模拟以及器件模型参数优化提取技术的研究

电路仿真对电路设计而言是不可缺少的。仿真中器件采用模型(即等效电路)表示,因此模型和模型参数精度对电路仿真起到了关键作用。随着集成度的不断提高,单片集成电路规模几何增长,加之电路形式日益复杂,造成电路仿真的时间开销大到令人无法接受。另外,在PSpice这类电路仿真软件中,模型库所提供的器件模型也满足不了电路设计的需要。因此根据电路仿真发展的需要,提出了以下三个方面问题:如何提高模型参数提取精度、如何构建新器件的模型、如何解决电路规模过大使电路级仿真难以继续的问题。本文分别针对这三个问题进行了分析和研究,并得到了一些研究成果。由于器件模型参数的提取精度决定了电路仿真精度,所以本文提出了基于物理机理分析和全局优化的组合提取方法来提高提取的精度和效率。由于在电路中所采用的元器件的种类的增多,所以现在常用的电路仿真工具中的元件库都会缺少一些器件或电路模块。为了解决这个问题,本文研究了如何使用ABM模型在PSpice中搭建模型库中没有的器...  (本文共101页) 本文目录 | 阅读全文>>

《电子世界》2011年06期
电子世界

基于BSIM3v3模型参数提取

对于当前的集成电路设计技术,计算机辅助模拟已成为一种不可缺少的工具。电路模拟器能否用于大规模集成电路的设计和分析取决于模拟器中所采用的器件模型参数的准确性。本论文选取目前业界占主流地位的日SIM3(Berke-ley Short一ehannel IGFET Model)为将要提取的模型,它是目前较为先进的深亚微米MOSFET模型。论文提取CMOS工艺的模型参数,采用局域优化的方法,根据模型参数的物理含义,确定模型参数的提取顺序。最后对提取得到的模型参数进行验证,给出了模型参数的误差值,并对创门的误差进行了比较、分析。,绪论设计集成电路时,如果没有能够正确预测电路特性的模拟工具帮助,设计复杂的芯片几乎是不可能的。作为电路设计和分析工具的模拟器,它的可信度取决于其中器件模型及其模型参数的正确性。由于器件尺寸越来越小,器件模型越来越复杂,如何能得到既简洁又能精确描述器件特性的模型就成为了电路模拟中重要的问题。在选定了器件模型的情况下,...  (本文共4页) 阅读全文>>