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GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱线中类氢杂质的束缚能和光致电离截面(英文)

1 IntroductionThe photoionization process is one of the pow-erful means to understand the optical properties ofcarriers in semiconductors.The study of the pho-toionization cross- section can be used for the char-acterization of the impurity states in the materialsof semiconductors.There have been many studiesthat examine the binding energy and the behaviorof the photoionization cross- section as a function ofphoton e...  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体学报》1988年04期
半导体学报

蓝紫光范围灵敏的GaAs/Ga_(0.55)Al_(0.45)As异质结光晶体管

_它1.专一、7.曰卜 异质结光晶体管(HPT)是适应光通讯的需要而发展起来的t1J.近年来,人们对异质结光晶体管的增益特性以31、响应速度t’J、噪声特性阁、光谱特性‘,l、雪崩状态下的负阻特性及光电双稳特性[7,s1进行了深人研究.将HPT与LED单片集成,已制出了光放大器、光双稳器件t,]和红外到可见光的全固体图像转换器【10J.具有负阻特性的HPT与LD结合,实现了各种基本的光逻辑门叫. 但是,异质结光晶体管的光谱响应范围要受到异质结的“窗口”效应的限制.对于ea^s/ea卜xA一二As器件,这一范围通常为6000一9000人;对于InP八n卜二e。二A:器件,为1一1.7产m.这使得异质结光晶休管在光通讯以外的其它领域中的广泛应用受到很大限制。 目前在蓝紫光范围内所用的光探测器件通常是si光敏二极管和si光敏三极管.前者本身无增益,因而响应度不高,外量子效率极限为1.后者由于是同质结器件,其增益亦不会很高.因此,在蓝紫...  (本文共7页) 阅读全文>>

《微纳电子技术》2003年Z1期
微纳电子技术

缓冲层对多量子阱材料GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs共振态的影响

1 引 言由n个势阱构成的多量子阱 (MQW )电子态 ,由于相邻阱间的耦合会形成n个水平能级。当n很大时就变成无限周期势阱即Kronig Penny模型 ,形成小能隙 ,这些小能隙被子能带所分割。在两衬底之间加一缓冲层的多量子阱系统 (图 1) ,材料的周期性会受到缓冲层的干扰而出现一些新的现象[1] ,如在缓冲层与MQW界面形成界面态 (Tamm态 )以及缓冲层的厚度和势能高度会对多量子阱电子态密度和隧穿造成影响。本文研究由AlAs形成的缓冲层对GaAs/Ga0 .5Al0 .5As多量子阱的整体态密度、局域态密度、电子穿透率等的影响 ,其结论可为MQW器件的设计提供理论上的依据。图 1 缓冲层 /多量子阱系统的势能轮廓示意图2 多量子阱材料的电子态理论利用复合材料中的界面响应理论的格林函数方法 ,可得到局域和总的电子态密度 (DOS)、电子对结的穿透率、反射率和相时间。一些作者对不同的多量子阱体系的格林函数和态密度做过推导...  (本文共3页) 阅读全文>>

《河南师范大学学报(自然科学版)》2013年02期
河南师范大学学报(自然科学版)

激光场和温度对GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs量子阱中施主杂质态的影响

近几年来,低维半导体异质结构由于在光电子器件方面广阔的应用前景而受到了广泛的关注.众所周知,杂质的存在会对低维半导体异质结构的光电性质产生重要的影响,半导体异质结构的光电性质可以通过对几何结构和外场的选择来控制.文献[1]讨论和分析了高频激光场对块状半导体材料物理性质的影响.一些文献[2,3]也研究了强激光场对低维半导体量子结构中施主杂质态的影响.Brandi等人首先提出了激光场对低维半导体量子结构中施主束缚能的理论研究[2].最近,C.A.Duque等人讨论了在半导体单量子阱到双量子阱势的转变过程中,激光场对杂质态的影响[3].这些研究揭示出随着激光场的增加,施主束缚能呈现减小的趋势.在有效质量近似下,E.Kasapoglu运用变分法计算了在电场和磁场存在的情况下,静电压力和温度同时对GaAs/Ga1-xAlxAs双量子阱中施主杂质束缚能的影响[4].A.John Peter等人研究讨论了压力和温度对GaAs/Ga1-xAlx...  (本文共4页) 阅读全文>>

《物理学报》2005年09期
物理学报

GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs半导体量子阱光辐射-热离子制冷

1.引言1994年,Mahan提出通过在两个金属电极之间夹一个真空层的方法实现了通过热离子将热量从低温区输运到高温区的热离子制冷,从而掀起了研究热离子制冷的热潮[1].不久,Shakouri和Bowers小组在此基础上提出以半导体异质结势垒代替金属间势函数差的半导体热离子制冷新方法,从而使热离子制冷方案更加可行[2].目前,半导体热离子制冷已经成为国际上许多研究小组竞相研究的对象[3—5].传统的半导体热离子制冷的兴趣主要集中于通过热离子的输运将热量从低温区输运到高温区.但是由于半导体材料具有较高的热导率,在这一过程中,仍然会有一定的热量从高温区通过热传导回到低温区,从而影响制冷效率.最近,Mal’shukov和Chao提出了一种基于载流子复合发光的新型半导体热离子制冷方案,即光辐射热离子制冷[5].按照这一模型,在p掺杂和n掺杂的宽带半导体之间放入一个未掺杂的窄带半导体,形成一个p i n型的量子阱,当外加正向偏压时,p区和n...  (本文共5页) 阅读全文>>