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一种适合射频功率放大器应用的图形化SOI LDMOSFET新结构(英文)

1IntroductionThe lateral double diffused MOSFET(LD-MOSFET)is a popular candidate in power ampli-fier applications.But its high parasitic output ca-pacitance andleakage current on bulk substrate re-sult inlowpower gain and power-added efficiency.The silicon-on-insulator(SOI)LDMOSFET hasmuch lower parasitic output capacitance and leak-age current,making it a better candidate for highfrequency applications[1~4].However,...  (本文共4页) 阅读全文>>

《半导体技术》2006年07期
半导体技术

利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET

1引言SOILDMOSFET具有泄漏电流小,寄生电容小,电流驱动能力强,器件隔离完全,有效功率增益系数高等特点,是具有较好前景的低功耗功率器件[1]。但SOI结构中埋氧层的存在导致碰撞电离产生的空穴在部分耗尽n型SOILDMOSFET的p型体区中积累,造成浮体势增高,阈值电压降低,输出电流曲线出现翘曲等浮体效应[2]。翘曲效应会严重影响器件的静态安全操作区和输出阻抗,使其失效。图形化SOI技术[3],源区浅注入[4],体连接技术[5]可用来抑制浮体效应。其中体连接是半导体行业广泛采用的技术。但基本上是需要额外一次硼离子注入才能形成这种体连接的。这增加了模版数量,加大了工艺难度和制造成本。本文对体连接技术进行了改进,利用一次硼离子沟道注入来同时实现体连接以减小模板数量和制造成本,制备出的SOILDMOS性能良好。2工艺过程采用上海新傲公司的SIMOXSOI片,p型(100)CZ硅片(电阻率10~20Ω·cm),顶层硅厚度为200n...  (本文共3页) 阅读全文>>