分享到:

CdS/CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究

CdS/CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究杨文库(长春光学精密机械学院电子工程系长春130022)杨宇欣,邓文荣(中国科学院长春光学精密机械研究所长春130022)摘要本文提出了精确测量内建电压V_D的W(结宽)-N(Neff为有效空间电荷密度)新方法.文中严格证明了由W-N曲线的斜率可计算异质结的VD.在零偏压下测量了CdS/CuInSe2异质结的VD,样品CIS-1的VD为0.437V,样品CIS-2的VD为0.293V.我们的测量结果表明,光照不改变VD,但使异质结变窄.内建电压是异质结的固有参量.利用W-N方法可以详细研究偏压对异质结电特性和其它参量的影响.EEACC:25301引言众所周知,目前可以精确测量异质结果电容C.基于本文的理论,在无照明和不同照度下测出C-Vb(偏压)和六一Vb曲线后,就可计算出W-Vb和Ne;f-V。的关系曲线,得到W-NSf‘”““”—””””“””C‘”““”’”’””“...  (本文共4页) 阅读全文>>

《电子学报》1951年00期
电子学报

硅异质结和赝异质结双极器件研究进展

硅异质结和赝异质结双极器件研究进展郑茳,许居衍(东南大学-华晶无锡微电子应用研究所,无锡214061)【提要】本文作者结合自己的工作,综述了硅异质结和赝异质结双极器件的研究进展,指出GeSiHBT将成为双极结构的主流技术,硅赝异质结器件也将在低温应用等方面显示出优势。关键词:硅,异质结,赝异质结,双极器件ResearchandProgressofSiliconHeterojunctionandPseudo-HeterojunctgionBipolarDevices¥ZhengJiang;XuJuyan(Southeast-HuajingWuxiMicroelectronicApplicationInstitute,Wuxi214061)Abstract:Theresearchandprogressofsiliconheterojunctionandpseudo-heterojunctionbipolardevicesaresum...  (本文共4页) 阅读全文>>

《南京师大学报(自然科学版)》2017年02期
南京师大学报(自然科学版)

Bi_2Ti_2O_7/TiO_2异质结对盐酸四环素的光催化降解效果评价

抗生素污染对生态环境造成危害、对人类健康产生威胁,已经成为颇受关注的一类污染类型[1].四环素类是典型的广谱抗生素,在水体环境中积累效果明显、不易被自然降解.因此四环素类抗生素的处理技术成为水处理科研人员探讨的重点[2].现阶段,抗生素污染物的处理方法主要是活性炭吸附、化学氧化法、膜分离、微生物降解法[3]等.光催化氧化法[4]作为高级氧化法的一种,因其具有适用范围广、反应速率快、氧化能力强、无污染或少污染等特点而成为对四环素类抗生素有潜在应用前景的技术.由窄带隙半导体和Ti O2耦合形成的纳米异质结结合了纳米材料和异质结的优点,能够克服Ti O2光催化剂量子效率低和不能利用可见光等缺点,在许多领域得到广泛研究,在环境污染控制领域得到快速发展[5].在各种窄带隙半导体中,钛酸铋化合物(Bi2Ti2O7,Bi4Ti3O20,Bi20Ti O32等)是一类具有高可见光活性的半导体光催化材料[6-7],带隙能高的Ti O2(3.2 e...  (本文共8页) 阅读全文>>

《半导体情报》1987年03期
半导体情报

AlGaAs-GaAs异质结选择性干法腐蚀

一、引言 由于AIGaAs和GaAs之间的晶格匹配良 好,可肠把人ICoA:一CoAs异质结广泛用于如下各方面:异质结超晶格,场效应晶体管,注入式激光器和太阳能电池。为了获得小型器件所需的几何形状和/或这些异质结器件中的亚微米尺寸,干法腐蚀技术如同精细条光刻技术一样是相当重要的。 如有可能对AIGaAs和GaAs进行选择性干法腐蚀,将给开发高性能的异质结器件带来很大的益处,可惜目前对GaAs和A IGaAs材料的千法腐蚀还没有象对Si及其化合物干法腐蚀那样得到充分的研究〔‘一,’。 我们在本文中叙述了使用CC坑FZ和氦气组成的腐蚀气体对GaAs和A几Ga〔,一二)As(x=0.3)的选择性干法腐蚀,并报导了对人IGaAs一GaAs异质结器件选择性腐蚀的应用。(阴极)两个电极,可提供13.%MHz的射娜功率。阴极包有一层3mm厚的溶凝石英板。刻蚀气体的流速由热质流量计控制,气压由容量式压力计监测。刻蚀前,系统的基础压力一般抽至吐X...  (本文共4页) 阅读全文>>

《南京工学院学报》1987年05期
南京工学院学报

InGaAs/InP异质结光电二极管中的深能级协助隧穿电流

一、引言 目前制作长波长光电探测器件的半导体材料主要是与InP晶格匹配的InGaAsP合金。仁’二其中又以In。.5。Ga。.‘7As较令人满意。因为其截止波长为1.65召m,既可用于波长1.3召m也可用波长1.55“m的光纤传输系统。国内外已用此材料制作了各种光电探测器包括PIN光电二极管、雪崩倍增光二极管(APD)、光电导探测器等,但对探测器中的深能级研究尚不多见。〔2‘〕鉴于此是影响器件性能的重要参数之一,我们采用深能级瞬态谱仪(DLTS)测量了存在于InGaAs/I nP异质结光电二极管中的深能级,同时还分析了所测深能级给管子带来的新的暗电流成份—深能级协助隧穿电流。二、实验装置与样品深能级测量采用NJ.M.I)LTS谱仪,并用CTG一1高频C一V仪通过C一V测试获得样本文于1986年了月7日收到。第5期(工)汪开源等:InGaAs/InP异质结尤电二极管中的深能级协助随穿电流朽品有源层的载流子浓度。测试中所加脉冲为多子...  (本文共7页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1988年01期
固体电子学研究与进展

GaAs/Si异质结界面性质的理论研究

随着GaAs集成电路和微波、光电器件的发展,GaAs乃异质结的研究已引起了广泛的重视。这种异质结综合了*和GaAs两者的优点,因此,有希望开辟新的应用。国外利用MBE和MOCVD方法长出了比较满意的GaAs乃异质结,最近南京电子器件研究所黄善祥等利用传统的汽相外延方法也生长出了GaAs乃异质结‘’。 在已报导的GaAs书异质结实验结果中,一致的看法是在界面处形成了SIAs化合物,但界面的真实组成及其性质如何,尚没有足够的实验和理论验证。作者利用普适参数紧束缚方法’‘’‘,从理论上对GaAs乃异质结界面进行了研究,计算了界面的Gasi和SIAs化合物的键能Eb、自然键长d、力常数K以及弛豫效应等,结果列于下表。 IEb(6V) d(A)16d(A)IEr(6V) K(6V/XZ) Gasil—1.45 2.53 十 0.14 Z—0.31.62 S; Aq 一1.57 2.28 一0.05]一0.04 7.86 Stl、2.48“...  (本文共2页) 阅读全文>>