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1GHz大功率晶体三极管微带振荡器

一、振荡器电路1 GHz微带振荡器的电路图表示如下:┌─┐│稼│└─┘图中:R:: 图11‘汀‘微带振荡器电路82。甜金属膜电阻。4709金属膜电阻。5~1。口金属膜电阻。众、肠:为RFc,N~10圈,D~2。二线径为0 .5,。二的漆色线。3300户f穿板电容。1~3pf空气可变电容,或大于0 .5对的高频陶瓷可变电容,22~27夕f,CCXI高频瓷介电容器。聚四氟乙稀附铜板微带线。一聚四氟乙稀附铜板指数微带线。·J公*式牛妇洲 2 3 1 3 1 2 12R R L C CC尤劣缘,图1中,外部连接的高频元件包括两部份,一部份是与基极连接的单微带传输线x,和调谐电容C工;另一部份是集电极所连接的指数微带线x:和电感L4、电容C:。为了阐明外接电路在晶体三极管振荡中的作用,我们首先分析晶体三极管在什么条件下产生振荡。为此,把晶体三极管看成一个二端对网络,用图2表示。当该器件的输人端接上电纳B夕,且刀。在下列范围:撼·、C┌──...  (本文共9页) 阅读全文>>

《固体电子学研究与进展》1992年02期
固体电子学研究与进展

6毫米微带耿氏振荡器

一种高Q介质稳频 6 mm GaAs Gunn振荡器及微带一波导转换器已经研制成功。使用管壳转换阻抗与GaAs Gunn器件的最佳阻抗相结合方法进行优化设计。初步实验结果为:在42.7 GHz下,输出功率高达 71 mw。该振荡器具有较好的电性能及可靠性,有良好的应用前景。 感谢邵凯、汤炳谦、谭晶子、陶品才等的帮助,也感...  (本文共1页) 阅读全文>>

电子科技大学
电子科技大学

W波段谐波振荡器的混合集成技术研究

毫米波振荡源是毫米波系统的核心,是雷达、通信、电子对抗等毫米波系统的关键部件之一。毫米波电路和系统通常使用在军备和国防上,国外特别是部分军事强国在一方面大力发展本国毫米波技术,而另一方面对我国实行技术出口限制,因此,在这样的形势下,国内对毫米波振荡源技术进行研究有着及其重要的现实意义。本文开展了W波段微带集成振荡源的研究工作,分析了振荡器的基本工作原理。采用国产GaAs Gunn二极管作为振荡源的有源器件,并分析了其工作原理与等效电路。在振荡器各部分电路的设计过程中,谐振器采用环形微带的形式,对其工作模式与特性进行了分析,并对其尺寸进行了仿真与优化。在偏置电路的设计之中,采用高低阻抗线的形式,研制了微带偏置滤波器,该滤波器对于基波与谐波在直流端的泄露均有较好的抑制能力。在微带到波导的转换设计中,本文分别设计了E面探针形式的过渡结构与鳍线形式的过渡结构,在实际电路中选用了探针过渡形式。本文最终研制出W波段混合集成谐波振荡器,并进行...  (本文共59页) 本文目录 | 阅读全文>>

《半导体技术》1980年03期
半导体技术

砷化镓场效应晶体管振荡器

—’一丘 Ga彳sFE7’对于微波低噪声接收机来说,是一种性能优良的新器件。它不仅有良好的微波低噪声放大特性,而且也适于用作微波混频器和微波中小功率振荡器。这样全Ga么sFE丁微波前端不仅性能优良而且易于实现单片集成。这是国外当前致力发展的方向之~。 我们知道,十多年前中小功率微波振荡器基本上由!巴真空器件垄断。它的高压、冷却和低寿命给电路工作者带来了极火不便。以后,双极晶体管和体效应等固体振荡器逐渐地取代了电真空器件在中小功率方面的应用。Ga4sFE丁振荡器的研制工作开始得稍晚,大约在七十年代初开始。但由于人们的注意力首先是放在低噪声放大方面,再加上Ga以s材料与器件的质量尚不够理想,致使采用早期Go爿sF.ET研制的振荡器噪声较大,影响了它的较快发展。75年后开始较为活跃起来。随着Ga彳s材料及器件工艺的不断改善,同时电路上也进行了更多的试验与改进,因而不仅噪声大大降低达到了双极晶体管振荡器的水平,而且在频率,功率.电调特性...  (本文共10页) 阅读全文>>

《低温与超导》1976年02期
低温与超导

稳定的1.25cm体效应振荡器

一、引言 随着固体微波器件的迅速发展,近年来在固体微波振荡器方面开展了大量的研制工作。这类振荡器具有寿命长、体积小、重量轻、简单可靠、使用方便等优点,因而获得了广泛的应用。但一般的振荡器的频率一温度特性不好,噪声较大,以致在某些要求较高的系统中不能应用。对于稳定固体微波源的振荡频率及输出功率,国内外开展了大量工作,现已有许多成功的方法。总的说来,不外乎是制造出性能稳定的器件,以及研制各种微波电路使不稳定器件在电路中具有稳定输出这样两个方面。采用直接偶合反射式高Q腔稳定振荡器这种方法,结构简单而效果良好,又有较大的输出功率,因而获得了广泛应用。我们采用这种方法,研制了一种稳定的l.25cm体效应振荡器,在较宽的温度范围内具有良好的频率稳定度,功率输出较大,现已满意地用作低温参放泵浦源。 本文讨论该振荡器的设计考虑及其结构,对频率牵引及跳模问题进行了分析探讨,讨论了实验方法中的一些问题,对腔体补偿进行了计算。 在0一60OC温度范围...  (本文共10页) 阅读全文>>

《电子测量技术》1978年06期
电子测量技术

两种简单的高Q甘氏振荡器的分析比较

品。它只不过是由一个柱型安装的,距短路半、引言Owe~~ee.~es~~. 甘氏二极管是一种简单的二端器件,当把它安装在一个谐振电路中,并对其加以适当的直流偏置时,二极管产生微波功率。该器件的基本噪声与稳定性特性,根据谐振电路的有载Q值(OL)变化的;在许多应用中,所需的QL值是在200与1000之间。为此,谐振电路或称腔体,通常由简单的波导制成。图i与图2示出、惊L,,〔。口、。一~一一一-劝~—一图2膜片糊合振荡器 图1柱型振荡器及其等效电路了两种简单的常用型腔体。这篇短文的目的,是要分析这种腔体的临界设计并确定其是否具有那些基本优点。 图1所示的振荡器在以前已被研究过〔1〕。而且这种类型的振荡器有不少商品样波长的甘氏二极管组成。 第二种振荡器,在机械上比较复杂,由安装在一个简单的电感(即:圆孔)膜片与波导短路之间的甘氏柱形组件组成。(见图2)。也有许多按这种设计的振荡器,可以在市场上获得。一般认为(2)比较简单柱祸合振荡器...  (本文共6页) 阅读全文>>