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850nm高亮度半导体激光器腔面膜技术研究

850nm波长高亮度半导体激光器作为大气窗口和空间通信光源的理想选择之一,要求具有较高的功率输出和光束质量。高亮度的DPL激光器及光纤激光器的发展也需要进一步提高泵浦源--高亮度半导体激光器的功率密度。而高亮度、高功率的半导体激光器也被广泛用于军事方面,比如替代小功率固体激光器用于激光制导、测距[1]。在激光空间通信中,作为独立发射光源,要求高亮度半导体激光器具有高稳定性和长寿命。高亮度半导体激光器具有单位面积上光功率密度极大的特点,极易引起激光器表面的光学灾变[5]。而且解理后的单晶面暴露在室温下的大气环境中,很容易与氧反应生成氧化物,对器件的输出功率和光学性能影响非常严重[1]。另外,高亮度半导体激光器的退化是影响其寿命和使用的主要因素。它主要可分为三种:渐变退化、迅速退化及光学灾变。光学灾变是和解理面有关的退化,半导体激光器中的光学灾变是影响半导体激光器的最大输出功率和器件寿命的一个主要因素。而光学灾变是由热量的逸出产生的...  (本文共3页) 阅读全文>>

《半导体信息》2007年01期
半导体信息

GaInNAs半导体激光器的开发

据《Semiconductor FPD World》2006年第10期报道,日立制作所中央研究所成功开发了应用于IP光通信网络的以GaInNAs为有源层的半导体激光器...  (本文共1页) 阅读全文>>

《中国光学与应用光学文摘》2007年01期
中国光学与应用光学文摘

半导体激光器

TN248.42007010198一种大功率窄脉宽半导体激光电源的研究=Alarge pow-er semiconductor laser power supply with narrow pulsewidth[刊,中]/高军涛(中国电子科技集团公司第27所.河南,郑州(450015)),黄伟…//电光系统.—2006,(2).—24-26设计了一种大电流窄脉宽半导体激光器电源,对其中电源电路的脉宽、峰值电流、上升时间进行分析,并对电路进行了仿真。根据实际需求,进行了模块化设计。图6参4(于晓光)TN248.42007010199THz量子级联激光器波导数值模拟=Si mulation ofwaveguide of terahertz quantum cascade laser[刊,中]/何晓勇(中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室.上海(200050)),曹俊诚…//功能材料与器件学报.—2006,12(...  (本文共2页) 阅读全文>>

《中国激光》2007年09期
中国激光

高透腔面大功率650nm红光半导体激光器

1引言红光(GaInP/AlGaInP)半导体激光器在过去十多年里已经取得飞速发展.在信息存储、条码扫描等领域,要求激光器基横模稳定工作[1,2].在激光抽运、激光显示、医疗上的针灸与镇刺以及激光电视等应用领域,需要尽可能地增加红光激光器连续工作时的输出功率[3,4].在日益丰富多彩、色彩斑斓的舞台灯光方面,大功率红光半导体激光器的直接应用更是越来越普遍.AlGaInP材料热导率及ΔEc,ΔEv较低的带隙差别,对GaInP/AlGaInP材料半导体激光器的输出功率和微分量子效率以及最大输出功率有较大的影响.而且,半导体激光器的最大输出功率还受到激光器端面的光学灾变损伤(COD)的限制.当半导体激光器腔面光密度达到阈值时,就会吸收光子,产生热,使得腔面部分的带隙收缩变窄,而这样更容易吸收光子,产生更多的热量,如此反复,就会烧坏腔面,产生光学灾变损伤.利用选择性Zn扩散技术,在半导体激光器腔面的部分区域进行Zn扩散,由于Zn扩散产生...  (本文共3页) 阅读全文>>

《电子学报》1960年20期
电子学报

多模半导体激光器电路模型

多模半导体激光器电路模型陈维友,刘式墉(吉林大学电子工程系,长春130023)【提要】本文从多模半导体激光器速率方程出发,在假定光谱分布具有高斯形式的前提下,得到一个简单的多模半导体激光器电路模型,该模型对于进行光电集成回路计算机辅助分析尤为适用,可加入到现有电路模拟软件中,亦可在开发新软件中采用。作为模拟实例,用该模型模拟了一种双沟槽隐埋异质结(TBH)结构激光器,模拟结果和已报导的实验结果很接近,并分析了该种激光器阈值电流和发射光谱对腔长的依赖关系。关键词:多模半导体激光器,电路模型,计算机辅助分析CircuitModelforMulti-Longitudinal-ModeSemiconductorLasers¥ChenWeiyou;LiuShiyong(DepartmentofElectronicEngineering,JilinUiniversity,Changchun,130023)Abstract:Fromthemu...  (本文共6页) 阅读全文>>

《发光学报》2017年03期
发光学报

低阈值852nm半导体激光器的温度特性

Supported by Semiconductor Laser Industrialization Technology Fund(YXBGD20151JL01);National Natural Science Foundationof China(61575008,60908012,61376049,61076044,61107026,61204011);National Natural Science Foundation of Beijingcity(4132006,4102003,4112006);Foundation Technology Research Fund of Beijing Municipal Education Commission(KM201210005004)1引言随着半导体激光器[1-7]技术逐渐成熟,半导体激光器以体积小、携带方便、功率转换效率高等优势,在医疗、材料加工、通信等领域发挥着日益...  (本文共7页) 阅读全文>>