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采用砷化镓场效应晶体管的微波放大器

当硅作为晶体管材料已经达到很成熟的阶段时,肖特基势垒砷化稼场效应晶体管问世了,并迅速得到广泛的普及与应用。其性能要比双极型晶体管好得多。 砷化稼场效应晶体管在已经实现的固态应用中,提供出较低的噪声系数和较高的增益。同时,它也能给出从前双极型晶体管不可能给出的高频特性。这种器件是采用砷化稼(班一V族化合物)制成的。自六十年代后五年以来,人们就一直在进行砷化稼近一V族半导体化合物的研究工作。砷化稼的电子迁移率是硅的5一7倍。 砷化稼晶体技术曾用来生产耿氏二极管、变容二极管和肖特基二管,它的高频特性远比硅好得多。采用硅材料制作耿氏二极管可能是难以想象的。因此,砷化稼场效应晶体管的问世卜分有助于耿氏二管的研制与商品化,因为尽管砷化稼场效应晶体管是一种三端引线器件,但其构造简单,性能好坏仅取决于晶体本身的质量。品体技术领域中的各种进展更有助于广泛采用场效应晶体管。 砷化稼场效应晶体管是一种普通的“常开式”器件。它与金属氧化物半导体场效应晶...  (本文共6页) 阅读全文>>

《化学传感器》1981年03期
化学传感器

离子敏感场效应晶体管

离子敏感场效应晶体管(简称ISFET)是一种用于测量溶液中离子活度的新型电化学敏感器件〔1〕。一般地说,它是一种栅极被固态离子选择性膜取代的场效应晶体管,具有结构简单、使用广泛的特点。1970年Bergveld〔“〕第一次提出了用场效应晶体管来制作这种电化学器件并将它用于医学方面的有关测量中。随后,Bergveld〔3〕和Zemel〔‘〕相继详细地讨论了离子敏感场效应晶体管的工作原理。19了8年Buck〔5〕在“离子选择电极”综述一文中又对ISFET作了综合评述。离子敏感场效应晶体管的出现,受到人们的极大关注。近几年来,国外很多作者从理论、制作工艺、器件的物理和化学性质以及实验应用等方面进行了深入的探讨。目前,我国仅有浦国刚川作了简单的介绍。毫无疑问,ISFET的问世将为离子选择电极开拓新的前景。一、MOS场效应晶体管工作原理 场效应晶体管(简称FET)由于输入阻抗高,噪声系数低,温度稳定性好,自六十年代以来,已广泛地用于电子工...  (本文共6页) 阅读全文>>

《半导体情报》1971年01期
半导体情报

作开关用的场效应晶体管

利用射束技术可望制出一种新型的起微波开关作用的结型场效应晶体管。目前,在电子扫掠雷达系统的天线辐射控制中通常用PIN二极管作微波开关。 据称,结型场效应晶体管的截止频率可达100千兆赫,它比PIN二极管的截止频率稍低一点。结型场效应晶体管的优点是所需的功率可以控制,它比目前雷达系统要求的功率至少低两个数量级。 据报导...  (本文共1页) 阅读全文>>

《科技译报》1972年02期
科技译报

场效应晶体管的非线性与交扰调制

一 概 褪 场效应晶体管在通信电路中得到了重要的应用(‘’(’)。在这种应用中,场效应晶体管固有的平方律特性对干扰信号具有非常大的容量。各种器件用于通信电路时的共同的特性指标是交扰调制(cM)和相互调制(IM)特什。这两个效应是山器什的转移特什中的高次项(第二次以上)所引起的。 在结型场效应晶体管(J尸 ET)(‘)-(’)和最近发展起来的金属氧化物场效应晶体管(MOS尸ET)(’),(‘)的特性方面已做了大量的工作。应用这些模型,对场效应晶体管的非线性运用已进行了分析(’‘,(‘”。但是,正如本文指出的,口前的大信号模型用于预示像交扰调制这样高次项的现象都是不适宜的。这里研究的是针对场效应晶体管的交扰调制,悍管其他的非线性效应如相互调制(它是与交扰调制紧密连系的)也可用来作为非线性的度量。 本文提出了一种方法,它在低频测量的基础上,可以预示场效应晶体管的交扰调制一直到相当高的频率。对于在非常高的频率时出现的偏差进行了研究,井且...  (本文共10页) 阅读全文>>

《半导体情报》1972年03期
半导体情报

结栅场效应晶体管的热噪声

一、引言 结栅场效应晶体管是一个电压控制的电阻,通常用硅或锗制作。它由两个欧姆接触提供的一个导电沟道构成,两个欧姆接触一个作阴极(源),另一个作阳极(漏),源漏两端加以适当的电压(漏电压)。第三个电极为栅,与沟道形成整流结。其反向偏压决定了扩展进沟道的空间电荷区的宽度,因而控制着沟道的宽度。正常工作情况下,具有。型沟道的器件中漏压为正,而栅压为负。若在给定栅压下,漏压更正,则由于漏边的沟道宽度基本变为。,漏电流最终达到饱和。因此饱和时器件输出电导非常小,而设计得当的器件在低频下其输入电导极小,故器件起一个真空管的作用,可用其跨导g。表示该器件的信号传输性能。这样就有可能获得相当的电压和功率增益。肖克莱〔1〕1952年首先描述了这种器件并给出了低频等效电路。但直到1960年才见到设计得当的产品。 要更精确地描述此器件,需考虑栅扩展到导电沟道的部分。沟道的有源部分由跨导g,表示,而无源部分必须分别由沟道在源和漏一边的串联电阻r:和:...  (本文共10页) 阅读全文>>

《微电子学》1973年04期
微电子学

场效应晶体管

所谓场效应晶体管(FET)就是用栅电极来控制源、漏电极之间电流沟道的导电率使电流变化的晶体管,按照栅电极的结构有用pn结形成栅的结型场效应晶体管 (JFET),用肖特基势垒形成栅的肖特基势垒场效应晶体管(S B FET)和在绝缘层上形成金属的绝缘栅场效应晶体管(Mls FET)三种。至今为止,FET中进展较快并已实用化的是MISFET,其中主要是绝缘层用5102的MOSFET,这种趋势即使在今后还会继续下去。 (1)商速·离频化MOSFET和双极晶体管相比高速·高频特性差的主要原因是由于受到光刻工艺的限制,使源、漏电极之间的距离(沟道长度)长以及栅电极和源(或漏)电极的复盖精度差。为了克服这个缺点研究了自对准MOS工艺。这种工艺的特点是用栅电极本身作为源和漏的扩散掩模,从而减少了电极之间的复盖和反馈电容。硅栅MOS,铂栅MOS和离子注入MOS都是其中的例子。另一方面采用双重扩散制作源电极,使有效沟道长度减少到1微米左右,使传导电...  (本文共2页) 阅读全文>>