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HL301 A GTO门极驱动器控制集成电路

1引言HL301A是专门为GTO门极驱动而设计的前级驱动电路 ,它能产生触发GTO驱动器的3组触发脉冲 ,可用来组装600A和600A以上GTO的驱动器。它使GTO驱动器的可靠性增加 ,使触发部分所占的位置大大减小 ,为在GTO驱动器中增加更多的保护显示功能创造了条件。此GTO前级厚膜驱动器为国内首创 ,填补了国内空白并达到国际80年代未先进水平。2引脚排列、各引脚名称、功能及用法HL301A采用单列直插式20引脚标准厚膜集成电路封装 ,对外引出15个引脚。其引脚和外形如图1所示 ,芯片厚度>6mm。各引脚的名称、功能及用法如表1所示。3内部结构及工作原理HL301A的内部结构及原理框图如图2所示。由图2可知 ,HL301A内含3组脉冲发生器 ,分别为正强脉冲、平顶脉冲及负脉冲3组前级驱动信号。4主要设计特点及电参数4.1主要设计特点HL301A可产生与控制信号前沿同步的正强触发脉冲信号,其宽度可通过外接电容C1 任意设定(一般...  (本文共3页) 阅读全文>>

《机车电传动》1987年01期
机车电传动

电传动机车控制系统(5)

第五讲相控整流电路的触发系统 一、概述 晶闸管的门极与阴极之间是个p一n结,当作用正向控制电压时,就呈现p一n结的正向特性,但其伏安特性与普通二极管不同,主要表现在门极与阴极间电阻压降较大,而且由于制造工艺不同,该电阻相差较大,即使是同样工艺制造的同型号元件,电阻也不是一致,分散性比较大,图1中曲线1与4就是代表门极伏安特性的上限和下限范围,两条曲线所包围的区域,代表某种型号晶闸管触发导通的门极电压V。与门极电流IG变化范围。图1中曲线2为门极刃8I6坪布2·108642恢二右卫 人‘=,。戈阵-J-~~-电占~以~~.司‘-‘-~盛~-』一T一r盆,o。,占l·or·亏20么亏J.o了占4.。八印‘nJ图1晶闸管门极特性曲线最大允许电压限制;曲线5为门极最大允许电流限制;曲线3为门极允许功率限制。除此以外,图1中绘出了门极电路串联电阻R。二5口和R。二209时两条负载特性曲线。设计门极电路时,门极电压和电流不应超过上述曲线1、...  (本文共7页) 阅读全文>>

《黑龙江自动化技术与应用》1988年02期
黑龙江自动化技术与应用

具有电隔离性能的可关断可控硅门极电路

现有的门极电路种类很多。但这些电路在具有优良电气性能的同时,很难兼有完全电隔离性。完全电隔离性是指门极电路的输人回路与输出回路之间不存在电压号的直接联系,且输出回路除祸合源之外,为一无源网络。 很多场合下,完全电隔离性具有重要的实用价值。如图1的逆变器,假如门报电路Gl~G。不具备完全电隔离性,输出回路中存在直流电源,则由于直流电源共地问题无法解决,必须用四组稳压电源(上侧用三组,下侧共用一组)。在很多工程条件下,这是不允许的,既便条件许可也会带来极大麻烦。┌───┬──┬───┐│{扩 │护…│纽扩 │├───┤ ├───┤│拉’: │ │纽’: ││箭 │ │蔚 │└───┴──┴───┘ 图1逆变桥电路 本文研究设计了一种GTO门极电路,该电路不仅具有优良的电气性能,而且具有完全电隔离性。一、问题的提出 具有完全电隔离性能的可关断可控硅门极电路,现有条件下几乎无例外地采用脉冲变压器做为输人与输出回路间的祸合器件。但它存在着...  (本文共4页) 阅读全文>>

《世界知识》1993年18期
世界知识

美国的理家预习班

近年来,美国一些州的州立高中开设了一门极不早常的课程—理家.上课时,另女学生组成一对对“夫妇”,在老师的引导下,在姐姐的时问里他们妥径历治理一个家庭的各种难苦和磨难,诸如买房,葬育孩于以及离婚千。 双家预习班学期为九个星期。前二个星期,要术每时“夫妇”的任何一方找一个亚余工作,工作以全日.j作为基数,葬出年拼,并以此作为他们生活的指标。从第三星期开始,这些“失妇”得找他们住得起的 住房,并推蔽租约 条扶。到第五周, 这些“夫妇”“生 了一个孩于”,于是把住医院、看医生、产前产后的护理、孩子衣物和添!家其等资用加起来计算开偏。第入个星期,突难发生了,例如婆婆扭来同住,一方死亡,或者入狱坐牢之奥,使婚姻紧张到玻裂的边蜂。到第九周(相当于正常婚姻生活的第10年),一切娜结束了。在听...  (本文共1页) 阅读全文>>

《齐齐哈尔轻工学院学报》1991年02期
齐齐哈尔轻工学院学报

可关断晶闸管门极电路初探

0 引言 可关断晶闸管(G。TO)是电力电子技术领域中具有代表性的新一代元件,它在高电压、大电流和自关断方面的优良性能已经在交流和直流电机传动装置中引起了深刻的变革。目前世界上GTO的发展速度以日本为快。日本采用掩埋门极设计等技术已试制出5000V/4500A和9000V/1000A的GTO。美国,英国等国厂家都致力于开发GTO。 我国七十年代就开始了GTO的研制工作。西安电力电子技术研究所1988年试制成功了j)3A/180 0V的GTO元件。北京椿l纣整流器厂和上海整流器厂分别从国外引进了GTO生产设备。计划于1990年开始小批量生产大容量GTO元件。与此同时,摆在广大使用者面前的一个重要任务是如何迅速掌握GTO应用技术,以适应电力电子技术发展的需要。 GTO应用技术的一个重要组成部分是门极电路的设计。门极电路对GTO的开关特性以及GTO装置的运行性能有很大的影响。门极电路的设计不但关系到元件的可靠导通和关断,而且直接影响到...  (本文共6页) 阅读全文>>

《今日电子》2004年02期
今日电子

MOSFET门极驱动电压的优化

概述电源设计人员通过正确匹配MOSFET在驱动时的门极驱动电压,有时能够获得额外的效率提高。采用较高的电压驱动MOSFET门极将导致较低的关联导通电阻Rds(ON),直到低至某一特定值。在众多高电流隔离式电源应用中我们可以发现,这对低电压高电流VRM设计以及控制驱动的同步整流器而言是十分有益的。在同步降压电源应用中,降低MOSFET导通电阻对同步整流器而言十分关键,因为多数情况下,快速恢复式整流电流通过MOSFET通道电阻所造成的功率损耗是总功耗中最大的一部分。然而,其他一些因素也不容忽视。较高的门极驱动电压电平可将更多电荷充入MOSFET的栅极-源极(gate-to-source)连接点,从而在MOSFET驱动器级造成了更大的损耗。此外,较高的门极充电需求还会造成更长的升降时间,这将在同步降压转换器的高侧MOSFET内影响开关损耗。为了提高效率,施压应用于驱动MOSFET门极,以使增加的门极电荷与开关损耗小于其通过降低Rds(...  (本文共4页) 阅读全文>>