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注入下超导膜均匀态的失稳和Rothwarf-Taylor方程的修正

近年来超导膜在注入下失稳的现象已有颇多实验报道“叫’,在铝膜、铅膜、锡膜及某些合金膜中都可能发生.而且失稳后的空间非均匀态有不同的表现,有双重能隙态、多重能隙态,Ⅳ一s混合态等等.关于失稳的机制,也已有很多理论讨论.理论讨论可在不同层次上进行,有一些采用唯象方程,如Rothwaz‘f—Taylor‘方程常用作讨论的出发点口’,也可采用更深入的微观图象嘲,但后一作法数学上很难处理,常需引入一些特定假设. 不久前B.I.I’vlev和N.B.Kopnint’’把I.Ignchi等在强注入下铝膜上出现的双重和多重能隙态解释为膜上的电流密度超过了金斯堡一朗道临界值,因而出现了有相移中心的非均匀电阻态,这个态里不同区域的库柏对有不同的化学势.但是,我们在对铅膜做实验时,直接测量出现双能隙后膜上的电压,发现电压维持为零,即这时的双能隙态并不是电阻态.因而B.Ivlev等的解释至少是不能适用我们在铅膜的情况. 由于R一丁方程有直观的物理意义,...  (本文共6页) 阅读全文>>

《国际科技交流》1987年12期
国际科技交流

高Tc超导技术进展情况

一、高Tc超导膜光学开关 月本日立公司的中心研究实验室制成高Tc超导膜光学开关。该实验室在氧化镁基片上溅射2拌m层厚的YBaZCuZO:高温超导膜。在0.甲m宽的超导膜两边装上电极,在85K时L获得超导电流,最大电流密度为300安/厘米2。当用光纤引导的光照射到超导膜上,某些电子失去其超导电性而产生一定的阻抗。如果涂上一层光导物质,经光照射后的阻抗可以很大。这样,可利用光照后超导电性的丢失特性制成光学开关。二、脉冲准分子激光器 美国Belleore的科学家N.J.piseataway发展了高温超导膜制备的新工艺,他使用脉冲准分子激光器来蒸发超导材料。基本方法是:用波长248nm的准分子激光器,在能量密度1一2焦耳/厘米2下,在高真空室内把Y、B‘cu同时蒸发并沉积在基底圆片上,经高温烘烤后形成超导膜。经测量表明,在83K失去电阻。此种方法与IBM、斯坦福大学的电子枪蒸发方法不同,激光方法更加方便、可靠。据Belleore的项目管...  (本文共2页) 阅读全文>>

《无机化学学报》1988年04期
无机化学学报

含氧酸盐热反应法制备Y-Ba-Cu-O系超导膜的X射线光电子能谱(XPS)研究

弓 言 关于l邱。h;k,+/工C超导材科的组成和结沟己经有过研究报道一”’。以Y。O。、BuC口。和二uO勺度抖韦卜导为Y B。。CI。O。。+;迢导材料的XPS研究也有一些文献报道c’-u,但对yD。。Cu。O。,+。超导膜的X ps研究还未见报道。本文是用含氧酸盐为原料制得的YBa。Cu。O。。+;超导膜的XPS研究,与不同条件下制得的Y:BaCuO。非超导膜作了比较。研究洁果对了解超导膜的麦面状态、组成以及表面稳定性具有重要意义。 实 验一、样品的制备 以 5 X 10 XIm。的乙O。片为基体,用含氧酸盐热反应法在不同条件下制得厚约2 无 机 化 学 学 报4卷10gm的Y-Ba-Cu-O系超导膜(样品编号 SD-8)和非超导膜(样品编号SD-9)。样品测定前用A上.级丙酮清洗吹干后置于干燥器中。二、膜中各成分元素分析和物相结构测定 元素分析用日本 Hitachi 650扫描电子显微分析仪,以无标样法作成分元素定量分析...  (本文共10页) 阅读全文>>

《原子能科学技术》1988年02期
原子能科学技术

用As离子注入法生成Nb(As)超导膜实验研究

引健全「习Nb3Ge超导膜的转变温度甲C在1974年就达到了23 .2K至’1。从此人们就从理论上和经验上都预言〔2一4’:周期表中与Ge在同一周期又相毗邻的As和si,如果能形成理想配比的A,。结构的Nb3As和Nb3Si,那么,它们的TC值将在25K以上。然而,十多年来这些预言始终未被实验所证实,Ti3P结构的NbJAs化合物,有呈现出亚稳的A;、结构。结构的Nb3As具有更高甲。1976年,Gusber等人〔61用常规的高频冶炼法得到主要成份为、了 其少c为。.3K,尽管Nb一As组分得到了理想的配比,但没我们用150 koV的As离子大剂量注入到Nb膜产生了比Ti3P值的Nb(As)超导膜。乒二、样品制备、晶格结构分析及Tc的测定 妮膜是中国科学院物理所提供的。底衬为微晶玻璃,Nb层厚度约260 nm,7.gK。注入前对Nb膜作的X射线衍射分析表明,主要出现的是b“结构峰。其7,。二的(1 10) As离子的注入能量为1...  (本文共5页) 阅读全文>>

《低温物理学报》1989年04期
低温物理学报

超导锡膜中的非平衡中间电阻态

一、引言 在高能准粒子注人下,Dynes[1]、Gray「2J等分别在超导薄膜中发现了双能隙现象.Iguchi〔,,发现了AI膜中的多能隙现象‘Ivlev和Kopnin〔‘,认为上述现象的出现,是通过注人结的电流超过了中间层超导膜的临界电流,超导膜中的能隙出现了非均匀空间分布.IK理论预言,随着相位滑移中心在超导膜中的出现,超导膜将进人中间电阻态.Iguchi〔5]指出,IK理论与实验结果不符.首先,双能隙出现时的!注人电流远小于G一L临界电流密度公式给出的临界电流值;而且,没有观察到IK理论预言的非对称结构.所谓非对称结构,即V‘0与V‘VZ.F。随I:增加变化很小,yZ随29增加很快减小,了、~4omA时,vZ一1.25mv.I:再增加,vZ不再变化.直到19一55mA,检结曲线无明显变化.本文确定电流台阶位置为台阶高度一半处所对应的电位值. (3)注人电流I:一几~60mA时,检测结曲线上出现了新的结构.在Vd~V0-0....  (本文共9页) 阅读全文>>

《无机材料学报》1989年03期
无机材料学报

ZrO_2(YSZ)衬底和 YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导膜的相互作用

引言 高T。超导薄膜要在微电子领域得到广泛应用,必要条件是:(1)在不同衬底上制备T。‘了7K的高T。超导薄膜,(2)一了解及拉制超导膜与衬底的相互作用。目前各国研究机构用各种方法都已获得了T。77K的YBaZCu30了一:超导薄膜〔‘一“1。要获得高T。的超导薄膜,一般热处理温度约高于800℃,因而如何控制超导膜与衬底间的反应就变得十分重要。现在普遍用的衬底是zr02和SrTio:。由于Zro:的介电常数比SrTi03小1~2个量级,所以Zro:衬底对做电子器件更加有利。 本文研究了不同温度下,不同品休取向的zro:(YSz)衬底与YBaZCu30:一。超导薄膜的相互作用,得到了一些有意义的结果,并证实了Ag缓冲层确能有效地阻止Zro:衬底与YBaZCu。07一、超导膜的界面反应。二、实验 实验所用超导薄膜样品是在李所自制的RIBC一I型反应离子束刻蚀与镀膜装置上制得。制备步骤基本如文献〔3〕。薄膜衬底材料为掺亿稳定立方单晶Z...  (本文共5页) 阅读全文>>