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GaAs微波单片集成电路的主要失效模式及机理

系统功能;没有分立器件的寄生效应而使频率和带性能优异;标准工艺以及能在单片卜集成全部有和无源元件而使其可重复性好、可靠性高和成本统Pcs)、用户直接卫星通信(DBS)和全球定 低 并能通过版图设计和工艺保障实现其性能而无位系统(GPS)等军用和民用通信系统的快速发 需调试等显著优点,使其成为微波半导体器件的一展,以及有源相控阵雷达、宽带电子对抗和毫米波 个卞要发展方向。在国防高科技领域和民用通信应精确制导等先进武器系统的需求,高性能和高可罪 用中已起到十分重要的作用。的G。AsMMIC获得了飞速发展。因为GIASMMI“随着现代微细加工技术的飞速发展,GaAs能满足微波整机系统向多功能、小型化和高可罪方 MMIC不断引人新的材料、新的结构和新的工艺技向发展的要求;体积小、重量轻;在单片上能实现一电子产品可靠性与环境试验2002年术,并且尺寸不断缩小,不断引人新的失效模式和 GaAs MMIC的有源器件的失效机理与分立机理,使其可...  (本文共6页) 阅读全文>>

西安电子科技大学
西安电子科技大学

微波器件低频噪声测试及无损诊断方法研究

以化合物半导体GaAs、InP、GaN等为材料制成的微波半导体器件与电路具有高速、抗辐照、宽工作温度和低功耗等特点。随着器件尺寸进入亚微米甚至深亚微米,器件热效应的影响越来越显著。因此,研究微波器件在热应力条件下性能的变化就显得很重要。低频噪声测试技术是近年来研究器件质量及可靠性方面成果比较显著的一种评价工具,该方法可以检测出器件内部存在的缺陷,且成本低,对器件不造成损伤。本文研究噪声测试技术诊断微波器件和电路热应力损伤的方法。在综述了PHEMT器件结构及特性基础上,制定了噪声测量方案,包括放大器的选择,器件偏置电路的设计和噪声测试平台的搭建。依照测试方案,测量了微波器件高温应力前后的噪声及电学特性,分析微波器件电学特性产生退化的原因,解释了器件噪声产生原因,建立了器件热应力损伤的噪声表征模型。通过测试接近于夹断电压处的器件噪声特性,确定g-r噪声位置及频率。在微波器件噪声研究的基础上,将噪声测试方法和损伤诊断方法进一步推广到微...  (本文共61页) 本文目录 | 阅读全文>>

《微电子技术》2003年01期
微电子技术

GaAs微波单片集成电路(MMIC)的可靠性研究

1 引言随着无线局域网 (WLAN)、个人移动通信系统(PCS)、用户直接卫星通信 (DBS)和全球定位系统(GPS)等军用民用通信系统的快速发展 ,以及有源相控阵雷达、宽带电子对抗和毫米波精确制导等高精武器系统的需求 ,高性能和高可靠的GaAsMMIC获得了飞速发展。因为GaAsMMIC能满足微波整机系统向多功能、小型化和高可靠方向发展的要求 ;体积小、重量轻 ;在单片上能实现系统功能 ;没有分立器件的寄生效应而使频率和带宽性能优异 ;标准工艺和能在单片上集成全部有源和无源元件而使其可重复性好、可靠性高和成本低 ,并能通过版图设计和工艺保障实现其性能而无需调试等显著优点 ,使其成为微波半导体器件的一个主要发展方向。在国防高科技领域和民用通信应用中已起到十分重要的作用。GaAsMMIC作为民用通信和微波毫米波雷达系统、电子对抗系统、精密制导系统、军事卫星通信等的关键部件 ,在军事和民用应用中己起到十分重要的作用 ,因此国内外均十...  (本文共4页) 阅读全文>>

《世界有色金属》1940年50期
世界有色金属

日制出特大型砷化镓单晶体

日制出特大型砷化镓单晶体日本电缆公司研制成直径76mm、长770mm、重达2.5kg的砷化镓单晶体。以往,直径达76mm的砷化镓...  (本文共1页) 阅读全文>>

《系统工程与电子技术》1988年12期
系统工程与电子技术

难以预测的砷化镓单片微波集成电路市场

美本洲计北日欧总 砷化稼单片微波集成电路(GaAs MM-IC)技术在过去五年获得了迅猛发展。各种各样的芯片已经走出实验室,被用于新的产品设计和翻修计划中。与早期的技术相比,GaAs MM工C具有一系列独特的优点。世界上有30多家著名的实验室都对GaAsM-MIC的开发及其支撑技术给予了大量投资。1987年美国政府投资9100万美元支持这项开发工作。预计到1992年投资额将增加到1 .92亿美元。 然而,现在几乎每个实验室的领导都在重新估量自己的处境,纷纷制订计划,以便调整和延缓所作的承诺。引起这种变化的主要原因是什么呢?新近的事实表明,在产品生产中使用GaAs MMIC的数量比原先预计的要少得多,从而影响了他们的热情。 1984一1986年期间,一些公司公布了有关MMIC的市场预报,许多大的可能的投资和开发公司也都作了类似的内部研究,所得结论是,1990一1991年世界GaAs MMIC市场约为5亿到10亿美元之间,1995~...  (本文共3页) 阅读全文>>

《人工晶体》1988年Z1期
人工晶体

水平法生长砷化镓单晶

砷化稼已经发展成为引人注目的化合物半导体,由于其性能优越,其用途是多种多样的,已广泛应用于各种光电器件和微波器件。水平法是生长砷化稼单晶的主要方法,其设备简单,工艺可靠,可用来生长各种型号规格品种的单晶。所生长的单晶,一般可得到圆形的晶片,在此基础上可按要求得到价40、诱50、功76mm的标...  (本文共1页) 阅读全文>>

《半导体光电》1988年01期
半导体光电

砷化镓异质面太阳能电池

一、月IJ舀 自1839年Beegurel在电解槽中发现光生伏特效应以来,尤其是在二十世纪,人们对利用各种势垒的光生伏特效应,将光能转换为电能的半导体太阳能电池进行了大量的研究和开发,取得了丰硕的成果。1883年Fri-tts描述了第一个用硒制作的光生伏特电池。1941年Ohc研制成了单晶硅生长结光电池。在1954年美国贝尔电话实验室研制出了世界上第一个实用的硅太阳电池。目前,太阳能电池作为长期电源,已使用在人造卫星及宇宙飞船上,并已开始用来发电和作自控系统的光电元件。由于太阳能电池寿命长,效率高而且性能可靠,可以预见太阳电池的应用会更加广泛。 原则上讲,各种半导体材料都能用来制作太阳能电池。目前,最有实用价值的是硅太阳能电池,对它的研究及制造工艺都比较成熟,硅太阳能电池的光电转换效率已接近它的理论值(在最佳条件下,N/P和P/N硅太阳能电池的理论效率为18一21%)。为丁进一步提高光电转换效率,并从价格、重量、可挠性等方面综合...  (本文共6页) 阅读全文>>