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存储器

512Mb的NOR闪存芯片 AMD与富士通公司合资经营的FASL LLC日前推出业界首款512Mb的NOR闪存芯片SPansion 529GL512N。这是第一款采用130/110nln第二代MirmrBit工艺技术制造的SPansion快闪芯片。这款容量最高的单芯片快闪产品可为多种不同的嵌人式及无线解决方案提供支持。 SPansion闪存采用MirrorBit技术,使存储器的管芯体积大幅缩小,而芯片生产的流程也可进一步精简。SPansion快闪具有成本优势,特别是采用130/llOIun工艺节点制造的SPansion闪存解决方案,这系列Spansion快闪的成本估计与90纳米多层单元快闪或65nm单位浮门快闪技术大致相同或较之更低。网址:www旧md.eom/news/news力tml符合JEDEC标准的256Mb GDDRZ 三星电子宣布批量生产256MBGDDRZ SDRAM。256MB的容量可以支持超高密度的slZMB图...  (本文共1页) 阅读全文>>

中国科学技术大学
中国科学技术大学

基于相变存储器的混合主存缓冲区管理问题研究

随着计算机技术的高速发展,当前网络、数据中心、高性能计算等领域的数据规模呈现爆炸性的增长。由于数据应用规模的增大,对于数据存取速度的要求也越来越高。磁盘作为传统的数据存储介质,由于其机械寻道的特性,I/0速度很难提高,已难以满足如今大规模数据存取的速度需求。为了解决这一问题,使用大容量主存来存放重要数据的思想被提出,并在学术界和工业界受到了重视,这带来了未来对大容量主存的迫切需求。然而,面对大容量主存需求的趋势,传统的主存存储介质DRAM的缺陷,成为了制约大容量主存系统应用的瓶颈。DRAM的存储密度提升困难,单位存储成本远高于磁盘和固态硬盘。此外,DRAM的能耗较高,且随着DRAM容量的提升成比例增长。因此,使用DRAM构建大容量主存系统,代价十分高昂。相变存储器(Phase Change memory, PCM)是一种使用硫族化合物作为存储介质的新型主存存储技术,利用材料在不同状态下的电阻差异来保存数据。相变存储器具有以下特点...  (本文共104页) 本文目录 | 阅读全文>>

国防科学技术大学
国防科学技术大学

通用存储器控制器VLSI设计关键技术的研究与实现

随着电子科学和计算机科学的飞速发展,大规模集成电路在军事、经济和社会生活中的应用越来越广泛。存储器是大规模集成电路芯片中的重要组成部分。不同类型的存储器,其特点差别很大,因此控制要求也不同。如何实现一种通用存储器控制器,一方面使其具有较好的通用性,能够正确的控制多种不同类型的存储器;一方面使其具有较好的性能,能够充分利用不同类型存储器的读写带宽,具有重要的理论意义和实用价值。本文对存储器技术以及存储器控制器技术进行了深入研究,主要包括:高性能嵌入式SOC芯片中常用几种存储器的内部结构、编址方式、数据存储方式、时序控制方式等,这些存储器主要有异步SRAM存储器、FLASH存储器和各种动态存储器;几种典型存储器控制器的体系结构和实现技术。以这些研究为基础,提出了一种通用存储器控制器IP核的体系结构,并围绕着提高存储器带宽利用率这个核心,进行了体系结构和性能优化;最后基于verilog硬件描述语言实现了该通用存储器控制器IP核,对其进...  (本文共77页) 本文目录 | 阅读全文>>

华中科技大学
华中科技大学

相变存储器器件结构及工艺研究

相变存储器(PCM)由于具有非易失性、高存储密度、低功耗,高可靠性等诸多优点,被国际半导体工业协会认为是最有可能取代闪存和动态随机存储器(DRAM)成为下一代半导体存储器主流产品之一。相变存储器从上世纪六十年代提出,到现在己超过半个世纪的时间,随着半导体工艺技术的发展相变存储器终于由概念变成了现实,2011年三星公司将相变存储芯片应用于该公司的一款手机中,完成了相变存储器从实验室到生产线的转变。但相变存储器还未在市场上大批量销售,且相变存储器的性能依然有巨大的提升空间,如擦写速度、热串扰等。新型相变材料的研发和器件结构及工艺的改进是其性能提升三种方式,本文研究了相变存储器单元制备工艺和芯片的后集成工艺;提出了改善其热串扰的新型器件结构以及提升相变存储器电热转化效率的非对称结构;设计了一种不受限于光刻精度的相变存储器工艺流程,上述研究为我国实用化相变存储器芯片的研究和开发奠定了基础。本文首先从相变存储器的基本结构即T型结构出发对相...  (本文共107页) 本文目录 | 阅读全文>>

清华大学
清华大学

新型阻变存储器材料及其电阻转变机理研究

阻变存储器是下一代存储器的有力竞争者之一,是一种同时具备高速和高密度存储潜力的非易失性存储器。寻找适合于阻变存储器的介质材料,完善电阻转变的物理机制,并制备性能优异的阻变存储器一直是半导体工业界和科学界关注的热点之一。本文采用磁控溅射技术沉积了AlN、Ta2O5和ZnO薄膜,并制备了阳离子迁移型和阴离子迁移型两类阻变存储器器件,系统研究了存储介质厚度、器件尺寸、上电极材料、限流值、工作温度等因素对阻变存储器性能的影响,并结合对存储介质薄膜及其与电极界面的显微结构和化学状态的分析,重点澄清各项工艺参数对不同类型阻变存储器的电阻转变行为的影响,以期获得高性能的阻变存储器器件。研究结果表明,AlN薄膜是一种性能优良的阻变存储器介质材料,基于Ag或Cu离子迁移的(Ag,Cu)/AlN/Pt双极性阻变器件的电阻转变陡峭,高低阻态之间的窗口值超过103,数据保持时间超过106s。器件高低阻态的温度特性证明了其电阻转变基于Ag/Cu金属导电细...  (本文共159页) 本文目录 | 阅读全文>>

复旦大学
复旦大学

Cu_xSi_yO阻变存储器尺寸微缩、均匀性和操作极性的研究

随着器件尺寸不断地缩小,传统的Flash存储技术即将到达它的物理极限。阻变存储器因其结构简单、可微缩化、读写速度快、功耗低、与CMOS工艺兼容性好、成本低等优点,被认为是最有可能替代Flash的新型存储技术之一。本文基于新型的CuxSiyO阻变存储技术对阻变存储器研究领域中一系列热点和难点问题展开了研究。这些问题包括器件尺寸的微缩能力、参数的均匀性、bipolar和unipolar两种操作模式。为了能够在高密度存储领域替代NAND Flash,阻变存储器需要证明其器件尺寸至少能够微缩到20nm技术代。本文基于0.13um逻辑工艺制造的1Mbit CuxSiyO阻变存储器芯片,采用了spacer pattern工艺制造了通孔尺寸为40nn、55nm、70nm和90nm(分别对应22nm、32nm、45nm、65nm技术代)的阻变单元。测试结果表明,CuxSiyO阻变存储器能正常工作在22nm技术代,具有很好的器件尺寸微缩能力。另一...  (本文共93页) 本文目录 | 阅读全文>>