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多级晶体管中频放大器

一、中和了的共发射极电路放大极 中和了的共发射极电路放大极示于图1[‘〕.采用共发射极电路,不但可得到较高的功率增益,而且在较高的频率下能达到无条件稳定.但是多极放大器中,稠揩各极的猎振频率时,往往引起负载的变化而互有影响,容易产生不稳定,故仍需进行中和.本文采用Rc外部反鼓电路,并用极简变压器,以产生倒相和阻抗匹配的作用.图2是共发射极晶体管电路本身的高频混二等效电路.为了商化起兑,将此混二等效电路变换成图3的正常二等效电路.根据四端网格原理,这种变换的方法是使两网格的y参数对应地相等.从图2得、了、、./,L,︸了‘、Z‘、,。,‘(,,,。一y,,。)ybb‘+y犷。+y矿,y右吞,y西夕,,,+夕,,‘+夕,‘, t︾︸,:工护抽口、、门冈日八沪- ︶.闷!‘工心 ‘‘口0.图1中和了的共发射极电路放大级, 其中不包括偏压电路图2共发射极晶体管的高频 混兀等敖电路电子学报1964年、,产、,/34‘、产了、y占吞,y吞夕...  (本文共14页) 阅读全文>>

《电信技术资料》1973年04期
电信技术资料

应用直流和交流反馈使晶体管放大器稳定

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《半导体情报》1973年09期
半导体情报

微波低噪声晶体管放大器

引言 六十年代以来,由于半导体材料和器件制造工艺的发展,晶体管性能日益提高,由高频进入了微波频段;同时,也由于微波集成电路的出现,最近几年晶体管放大器在小型化和高频化方面有了很大的发展。目前,在微波频段的低噪声晶体管放大器,在主要资本主义国家的市场上有了大量的出售,性能达到相当高的水平,广泛地应用在各个领域。 较早的晶体管放大器受器件高频性能的限制,只能作低频放大,用晶体管作微波放大不过是近十年内的事情。从本质上讲,微波晶体管放大器和低频晶体管放大器没有什么不同,只是因为频率非常高的缘故,如果再像低频放大器那样,用电阻、电容和电感等分立元件的集中参数电路制作的话,那么由于导线的电感和各种分布电容等寄生元件的影响,就不能获得优良的微波晶体管放大器。但是,近年来,由于微波集成电路技术的发展,用薄膜工艺能够制作在数千兆赫下具有优异性能的集中参数的电感和电容,所以利用集中参数电路来制作微波晶体管放大器也是可能的。不过,采用分布参数电路较...  (本文共15页) 阅读全文>>

《半导体情报》1974年11期
半导体情报

L波段连续输出500瓦的混合集成晶体管放大器

美国休斯公司研制出在960一1 215兆赫频段输出500瓦的混合集成晶体管放大器。这个C类放大器的增益为20分贝,效率为30肠。它组合了8个功率组件的输出功率。每个组件的功率额定值为75瓦,并由两个额定值为40瓦的PH一09玲一...  (本文共1页) 阅读全文>>

《航空电子技术》1983年04期
航空电子技术

用图解法设计微波晶体管放大器反馈网络

一引言 、甲二~门 众所周知,反馈技术可应用于频率达1千兆赫的双极性晶体管放大器。而且也可应用于各种放大器,其中包括其天线电视宽带设备山,t,J。 在近几年中,使这些技术扩展到较高的频率已做了重大的努力。最近,V.B.Nidas等人论述高达18千兆赫的砷化稼场效应晶体管反馈放大器的设计方法和结果,获得五个倍频程以上的带宽[51。在这些论文明中,首先以低频晶体管模型作为基础;然后,在计算机上作最佳化计算。 本文介绍两种图解法。这两种方法是紧密相关的。第一种方法是建立在一套最大稳定增益毓,和稳定系数K的曲线上,绘制成极坐标图。从而以简单的方法就能推导出反馈电路的结构和数值,并保证在宽频带内获得增益补偿和绝对稳定。第二种方法是把注意力放在宽带范围内,以获得平坦的价1,控制S参数,使输入、输出放大器较容易匹配。两种方法推导出的设计数值与最后的数值接近。因此,只需要作少量的计算机最佳化计算即可。 我们使用能成批生产的、现有的双极性晶体管和...  (本文共8页) 阅读全文>>

《电子与自动化》1950年30期
电子与自动化

零器模型在晶体管放大器分析中的应用

零器模型在晶体管放大器分析中的应用刘正生(扬州大学师范学院,225002)晶体管放大器常采用图解法和等效电路法进行分析.本文以n-p-n型晶体管为例,介绍了零器模型(包括静态模型和动态模型)在晶体管放大器分析方面的应用,它与传统方法不同,简便易行。关键词晶体管放大器,零器ApplicationofNullorModelinAnalysisofTransistorAmplifiers¥LiuZhengshengAbstract:Traditionally,theanalysisoftransistoramplifiershasbeendonebyusinggraphicsandequivalentcircuits.Thispaper,however,introducesacreativemethodbyusingnullormodel(bothstaticanddynamic)toanalyzeN-P-Ntransistors.I...  (本文共5页) 阅读全文>>