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多级晶体管中频放大器

一、中和了的共发射极电路放大极 中和了的共发射极电路放大极示于图1[‘〕.采用共发射极电路,不但可得到较高的功率增益,而且在较高的频率下能达到无条件稳定.但是多极放大器中,稠揩各极的猎振频率时,往往引起负载的变化而互有影响,容易产生不稳定,故仍需进行中和.本文采用Rc外部反鼓电路,并用极简变压器,以产生倒相和阻抗匹配的作用.图2是共发射极晶体管电路本身的高频混二等效电路.为了商化起兑,将此混二等效电路变换成图3的正常二等效电路.根据四端网格原理,这种变换的方法是使两网格的y参数对应地相等.从图2得、了、、./,L,︸了‘、Z‘、,。,‘(,,,。一y,,。)ybb‘+y犷。+y矿,y右吞,y西夕,,,+夕,,‘+夕,‘, t︾︸,:工护抽口、、门冈日八沪- ︶.闷!‘工心 ‘‘口0.图1中和了的共发射极电路放大级, 其中不包括偏压电路图2共发射极晶体管的高频 混兀等敖电路电子学报1964年、,产、,/34‘、产了、y占吞,y吞夕...  (本文共14页) 阅读全文>>

《电信科学》1958年01期
电信科学

晶体管中频放大器

(一)引言 本文对渝晶休管狭频带中频(肠5千赫)j]k大器的性能,测藏方法及投舒理瑜,将晶体管与电子管中频放大器的性能做商翠比较,剥一渝雨种放大器戏刮一方法的相似处及不同处。根据晶休管小信号参数演算放大器在共颠匹配祸合时的性能,业求出最大功率增益、翰出及输入阻抗。叙述在翰入电阻匹配拙合而翰出为共扼匹配祸合的联接法与在翰出及翰入都是共扼匹配祸合相联雨种情况下,测暴弋及演算放大器性能的方法,进一步地解释罩向稠格的定义,晶体管中频放大器翠向化的优点,各种“翠向化”方法,及罩向化后放大器性能的改变。本文虽以中频放大器为主,所对揣的各种理输及没言卜方法都可扩展在狭频带射频放大器中应用,还洪拾了投舒某些竟频放大器的一些必要查料。 《二)晶体管与电子管中频 放大器性能的比较① 晶休管与电子管在中频放大器应用中有几个显著不同的性能:晶体管中频放大器的翰入阻抗比蛟小(共翌射板楼路的翰入阻抗仅为数百欧),而电子管中频放大器的翰入阻抗板大(用共隆趣楼...  (本文共7页) 阅读全文>>

《移动通信》1972年04期
移动通信

50~500兆赫宽带晶体管放大器

小信号宽带晶体管放大器广泛地用于多路通讯设备中。此如,可以作为天线放大器用于低塌强区域和电缆分配系统,用来补偿电缆的损耗。同时又可以通过使用外部滤波器将其改变为窄带工作。 本文所提出之放大器,由于其带宽很宽,因而可以覆盖任何窄带放大器的技术要求,井且通常可以给出较好的失具性能—这就是此类放大器的一个优点。这种放大器可以不用变更或匹配而用于任何不同的系统,因此它有助于标准化井有一定的经济价值。使用晶体管放大器变得坚实可靠,井降低了电源要求。 这种通用放大器必将得到广泛的应用。流在2~20毫安之间,其最小ft为1千兆赫。 放大器的技术要求 本放大器只适用于这种系统,郎它要求50~500兆赫之间的增盆大约为22分贝,最大噪声系数为8分贝,对于50欧阻抗,输入和输出电压驻波此不大于2 .0:1。要求放大器所产生的三次失具尽可能小。放大器通常用于带通滤波器之前,所以认为二次失具是不重要的。放大器输入端需要的最大信号大约为一30毫瓦分贝。 ...  (本文共5页) 阅读全文>>

《电信技术资料》1973年04期
电信技术资料

应用直流和交流反馈使晶体管放大器稳定

H.K.NCP汕n’I鳅鞭了一脚花闹的、班激的饶惮③波入田,$MWh3 8&M$一Mat4h6at;e’H$/n$1)klffrttoAsN$$$Heq惆操这醉朽簿缀戎品体鸳驱撞应渡改敝义①的备种丫阂的夙讽醛年。栓种脯③.杉动雕荧略苟屏好惆晖、么澜典渤肆而且只甥e$MbeThW。 助铡电略绷型缠浅夜党袭一捌,炽婆些分赦已翻潞到一浚颧用的缝搅。 gHWyote号 曳为在R中,E。b塌b8幻Q歹b斑A和8点曳l闺凶田伍。八加e腿反确敛做,cede卜粮么巩鹏。b加8、羔的蹬仅饺a邱A虎伪曳峭高。幽因钩望工吹。腻绞般捎的湍。卜。哲以W巡囱作户,卜 驾作*。 it pheM WM@.m.xedde。 — —41——Mi*UIY”运三卜L’一7二ti7r广宁1-c一卜一一一一丰呻二二一一二二囱二一_——.二?_\-1~H·卜 yH J 人gb/oUJfyJ是pJ0卜羽uJ 卜)、’q卜——一卜刃一人、.*一土bJ!包J,卜 匕己】-:人’十...  (本文共11页) 阅读全文>>

《半导体情报》1976年02期
半导体情报

6千兆赫晶体管放大器

引言 最近几年中,微波晶体管的进展是很显著的,也可以说,甚至在X波段晶体管也已进入实用阶段。与此同时,大量地涌现了能工作在数千兆赫的微波晶体管放大器〔1〕。作者用富士通研制的6千兆赫频段(5.925一6.425千兆赫)的低噪声晶体管,制作了6千兆赫晶体管放大器。一般实用方面主要用S参数设计微波放大器,作者也借助于S参数来进行设计。 众所周知,晶体管的}S:;12是按6分贝/倍频程速率下降的,需要对此加以补偿。当构成多级放大器时,要保持相当低的低频增益,否则在低频段会引起振荡,导致放大器的不稳定,并由饱和引起相互调制,且在工作频段增加噪声。 因此,可以采用桥式T型滤波器或带通滤波器〔2〕来作为补偿晶体管增益下降和保持低频段足够低的增益的一种方法。但是,在高达6千兆赫频率的平面电路中是行不通的,因为实现和调整都极为困难。因此放弃了这种方法,作者采用一个元件,既能补偿晶体管的增益下降和抑制低频端的增益,把它当作匹配电路的一部分,又可以...  (本文共8页) 阅读全文>>

《半导体情报》1973年09期
半导体情报

微波低噪声晶体管放大器

引言 六十年代以来,由于半导体材料和器件制造工艺的发展,晶体管性能日益提高,由高频进入了微波频段;同时,也由于微波集成电路的出现,最近几年晶体管放大器在小型化和高频化方面有了很大的发展。目前,在微波频段的低噪声晶体管放大器,在主要资本主义国家的市场上有了大量的出售,性能达到相当高的水平,广泛地应用在各个领域。 较早的晶体管放大器受器件高频性能的限制,只能作低频放大,用晶体管作微波放大不过是近十年内的事情。从本质上讲,微波晶体管放大器和低频晶体管放大器没有什么不同,只是因为频率非常高的缘故,如果再像低频放大器那样,用电阻、电容和电感等分立元件的集中参数电路制作的话,那么由于导线的电感和各种分布电容等寄生元件的影响,就不能获得优良的微波晶体管放大器。但是,近年来,由于微波集成电路技术的发展,用薄膜工艺能够制作在数千兆赫下具有优异性能的集中参数的电感和电容,所以利用集中参数电路来制作微波晶体管放大器也是可能的。不过,采用分布参数电路较...  (本文共15页) 阅读全文>>