分享到:

RC文氏桥式振荡器分析

引言之泛三 长期来,对尸C文氏桥式振荡器的分析往往使用“复数阻抗法”。这种经典的分析方法不能揭示振荡器工作的全过程,因而存在局限性。本文导出RC文氏桥式振荡器的振荡方程后,指出有五种状态存在。经典方法得出的起振条件(在串臂和并臂的电阻、电容分别相等时,放大器闭环增益寿二3).和振荡频率(f一1/2二RC),仅是本文中的特例。本文的分析方法原则上适用于各种Rc、Lc振荡器,文末的结论对尸c文氏桥式振荡器具有指导意义。 了.振荡方程与振荡器输出状态 若所讨论的图1系统符合线性系统的条件要求,并且无外界电磁场干扰;初始状态为零;接上电源的瞬间产生电流i;反馈系数为日。并设当开环增益为K的放大器的输入电阻R;足够大、输出电阻R。足够小时,即可得出下列方程组。著 a一责刁丁黑‘吵d“L IK口2拿’几 CJ二CR一之用RCZ二nCR之二R图1 RC文氏桥式振荡器人写 1 r.、,,二。1厂....  (本文共3页) 阅读全文>>

《低温与超导》1976年02期
低温与超导

稳定的1.25cm体效应振荡器

一、引言 随着固体微波器件的迅速发展,近年来在固体微波振荡器方面开展了大量的研制工作。这类振荡器具有寿命长、体积小、重量轻、简单可靠、使用方便等优点,因而获得了广泛的应用。但一般的振荡器的频率一温度特性不好,噪声较大,以致在某些要求较高的系统中不能应用。对于稳定固体微波源的振荡频率及输出功率,国内外开展了大量工作,现已有许多成功的方法。总的说来,不外乎是制造出性能稳定的器件,以及研制各种微波电路使不稳定器件在电路中具有稳定输出这样两个方面。采用直接偶合反射式高Q腔稳定振荡器这种方法,结构简单而效果良好,又有较大的输出功率,因而获得了广泛应用。我们采用这种方法,研制了一种稳定的l.25cm体效应振荡器,在较宽的温度范围内具有良好的频率稳定度,功率输出较大,现已满意地用作低温参放泵浦源。 本文讨论该振荡器的设计考虑及其结构,对频率牵引及跳模问题进行了分析探讨,讨论了实验方法中的一些问题,对腔体补偿进行了计算。 在0一60OC温度范围...  (本文共10页) 阅读全文>>

《电子测量技术》1978年06期
电子测量技术

两种简单的高Q甘氏振荡器的分析比较

品。它只不过是由一个柱型安装的,距短路半、引言Owe~~ee.~es~~. 甘氏二极管是一种简单的二端器件,当把它安装在一个谐振电路中,并对其加以适当的直流偏置时,二极管产生微波功率。该器件的基本噪声与稳定性特性,根据谐振电路的有载Q值(OL)变化的;在许多应用中,所需的QL值是在200与1000之间。为此,谐振电路或称腔体,通常由简单的波导制成。图i与图2示出、惊L,,〔。口、。一~一一一-劝~—一图2膜片糊合振荡器 图1柱型振荡器及其等效电路了两种简单的常用型腔体。这篇短文的目的,是要分析这种腔体的临界设计并确定其是否具有那些基本优点。 图1所示的振荡器在以前已被研究过〔1〕。而且这种类型的振荡器有不少商品样波长的甘氏二极管组成。 第二种振荡器,在机械上比较复杂,由安装在一个简单的电感(即:圆孔)膜片与波导短路之间的甘氏柱形组件组成。(见图2)。也有许多按这种设计的振荡器,可以在市场上获得。一般认为(2)比较简单柱祸合振荡器...  (本文共6页) 阅读全文>>

《电讯技术》1978年06期
电讯技术

高稳定C频段砷化镓场效应晶体管振荡器

因为砷化铱场效应晶体管振荡器比其它类型的固态振荡器的噪声低,效率富而且设计灵活,所以在微波通信中非常适用。 目前已有有关C频段和x须段的砷化稼场效应晶体管振荡器试验成功的报导〔1、2〕。这些振荡器的输出功率均低于100毫瓦,直流—射频变换效率低于20%。 本设计采用共源砷化稼场效应晶体管振荡器结构‘振荡器是一个C碳段的集成化振荡器。在振荡器中有一个最佳外反馈网络,共源场效应晶体管片安装在氧化铝陶瓷基片上。振荡器的微带线和作反馈用的电容器串联连接。这种没有采取稳定措施的振荡器,在6千兆赫可产生400毫瓦的功率,效率为38%、这可与同一场效应晶体管片作放大器用时产生的最大输出功率相比拟。用高Q介鬓潜振器稳定的踢效应晶体管振荡器 在微波通信系统中,用砷化稼场效应晶体管振荡器作功率源是最有效的。对、振荡器的基本要求,是温度频率稳定度好和低噪声特性。在集成化的砷化稼场效应晶体管振荡器中引入一个高Q介质谐振器后,可以提高振荡器的频率稳定度并...  (本文共3页) 阅读全文>>

《半导体技术》1980年03期
半导体技术

砷化镓场效应晶体管振荡器

—’一丘 Ga彳sFE7’对于微波低噪声接收机来说,是一种性能优良的新器件。它不仅有良好的微波低噪声放大特性,而且也适于用作微波混频器和微波中小功率振荡器。这样全Ga么sFE丁微波前端不仅性能优良而且易于实现单片集成。这是国外当前致力发展的方向之~。 我们知道,十多年前中小功率微波振荡器基本上由!巴真空器件垄断。它的高压、冷却和低寿命给电路工作者带来了极火不便。以后,双极晶体管和体效应等固体振荡器逐渐地取代了电真空器件在中小功率方面的应用。Ga4sFE丁振荡器的研制工作开始得稍晚,大约在七十年代初开始。但由于人们的注意力首先是放在低噪声放大方面,再加上Ga以s材料与器件的质量尚不够理想,致使采用早期Go爿sF.ET研制的振荡器噪声较大,影响了它的较快发展。75年后开始较为活跃起来。随着Ga彳s材料及器件工艺的不断改善,同时电路上也进行了更多的试验与改进,因而不仅噪声大大降低达到了双极晶体管振荡器的水平,而且在频率,功率.电调特性...  (本文共10页) 阅读全文>>

《化工自动化及仪表》1980年09期
化工自动化及仪表

高频位移检测振荡器

力平衡变送器中的高频位移检测振荡器(以下简称振荡器)是DDZ一I型仪表中一个难点,在不少专门研究DDZ一I型仪表的书籍中都用了大量篇幅来分析它,这对各科研、生产部门正确理解和使用好此类仪表起了很大作用。但直到现在,对振荡器的认识还有一些地方不够统一。所以对如何准确运用振荡器所涉及的基本原理,振荡器的工作条件(相位条件和幅值条件),振荡器的频率、振荡器的负载电路、振荡电流衰减时间常数等都有进一步讨论的必要。本文试图着重在上述问题上谈谈个人的意见。L:、CZ共同组成振荡器的谐振电路,这个电路的谐振频率就是振荡器的振荡频率。B今l二c*称日不勺高频位移检测 一、振荡器的一般情况 为讨论间题方便,这里简单说明,下振荡器的一般情况,图1一1是振荡器原理图,电路各参数值为:E。二12v,R:=16K;R:=IK,R3=5109,R‘=IK,Lz二0 .9件H,L:=1 .2卜H(1 .068协H);C:=12P; C:=130P(62P),...  (本文共9页) 阅读全文>>