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关于双极晶体管的Early电压

一、引言 1970年Gummel与P。on发现山,基极电流驱动的晶体管共发射极输出特性曲线的延长线在横座标轴上交于一点(一V,),如图l所示。V,表征了晶体管的基区宽度调制效应(E盯ly效应),故他们将VA称为E盯ly电压。此后,Van De:Ziel又证明,在任意注入强度下E盯ly电压都存在。 由于E盯ly电压vA的概念清晰,且易于测量,因而在晶体管模型和晶体管电路分析中已被普遍采用〔3司。但是,应该强调指出,Early电压V,是在电流驱动条件下定义的。在电路分析中,只有当信号源阻抗远远高于晶体管的输人阻抗时,V人才能当作一个不变的参数。然而,在实用电路中,晶体管的工作条件往往接近于恒压驱动状态。Hart与Barker注意到驱动条件的不同,对恒压驱动的共射极输出特性曲线族,类似地定义了一个新的参数,称为“Earl,,,交点电压〔7〕。电子学报1 9 82年 下面分别记恒流驱动与恒压驱动条件下的Early电压为V,(,、与v汉、...  (本文共6页) 阅读全文>>

《天津大学学报》2006年01期
天津大学学报

薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析

异质结晶体管(heterojunetion bipolar transistor, HBT)是利用异质结工作的三端器件.器件结构的主要 特点是其PN结使用不同的材料制作,从而在界面上 出现能带的不连续,形成导带势垒尖峰么E。,对电子的 输运起到阻挡作用.同时,薄基区HBT还具有负阻特 性!’一4〕,称为薄基区负阻异质结晶体管(thin base negative differential resistanee heterojunetion biPolar tran- sistor,TBNDRHBT).随着分子束外延(moleeula:bea,n extension,MBE)技术的发展,晶体管的基区越来越窄, 这就使基区薄层电阻R口。越来越大,基区宽度调变效 应也随之凸现,这样薄基区晶体管的基区电流和电压 分布与宽基区的晶体管有很大不同.当基极电流或电 压恒定时,随着集电极电压VcE增大,晶体管工作在线 性区,集电极电流IC也增大...  (本文共5页) 阅读全文>>

《金属成形工艺》2001年02期
金属成形工艺

四边形网格生成的基区拼合法

有限元技术的实际应用需要进行前处理和后处理 ,前处理中必须克服的一大障碍就是把整体几何形状定义为有效的有限元网格。由于网格自动生成具有潜在的巨大应用市场 ,近年来随着有限元技术的广泛应用 ,网格生成技术得到了深入的研究和发展 ,出现了不少的网格生成方法[1] 。这里介绍一种简单且行之有效的有限元网格生成算法 ,它特别适用于解决轮廓形状不太复杂的二维问题 ,对在微机上进行网格生成有很大的实用价值。这种算法包括[2 ] :基区划分、基区网格生成、基区边界缝合、网格优化以及网格质量评价。1 基区划分对于任意一个几何轮廓 ,首先根据它给定的边界 ,可以把它划分成若干个子区域。一个轮廓的边界一般由若干个线段组成 ,而这些线段不外乎两种基本类型 :直线段和曲线段。在这些基本线段的基础上 ,参考轮廓形状 ,把整个轮廓区域划分成子区域。基于基本线段的每个子区域仍可归属为两种类型 :直线段子区域和曲线段子区域。直线段子区域就是只含有直线段的子区域...  (本文共3页) 阅读全文>>

《半导体情报》2001年05期
半导体情报

基区复合电流对双极晶体管厄利电压的影响

1 引 言npn双极晶体管的基极电流通常是由以下三部分组成 ,即从基区注入到中性发射区的空穴电流、在中性基区和表面的复合电流和中性基区的复合电流。在常规的晶体管中 ,后者一般是可以忽略的。但在一些异质结双极晶体管中比如 Si/Ge Si异质结双极晶体管 ,由于注入到发射区的空穴流很小 ,且基区掺杂浓度较高及基区少子寿命短等原因 ,基区复合电流是不能忽略的。近年来关于基区复合电流对器件输出特性的影响这一问题已经引起了人们的关注 [1,2 ]。同时对 Si/Ge Si HBT的厄利电压的相关特性也进行了广泛的研究 [3 ,4 ]。然而 ,厄利电压与高中性基区复合电流的依赖关系还没有相关报道。在考虑了基区复合电流以后 ,我们推导出了计算双极晶体管厄利电压的一般表达式 ,并就基区均匀掺杂的简单情况进行了分析。我们分别用理论公式和计算机仿真方法研究了Si/Ge Si异质结双极晶体管 (HBT)厄利电压随基区复合电流变化的情况。研究结果表明...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体情报》1980年50期
半导体情报

异质结双极晶体管基区复合电流的解析模型

1引言应用于超高速数字电路和作为低噪声放大的异质结双极晶体管(HBT)必须具有较高的直流电流增益,而电流增益与基极电流大小紧密相关。在典型台面结构的HBT中,基区电流由以下四种电流成分组成,它们分别为[1]:①暴露的外基区表面复合电流;②基极接触处的界面复合电流;③基区体内复合电流;④EB结空间电荷区的复合电流。要从理论上估算器件的电流增益,必须要首先计算出基极电流。虽然采用数值分析能够精确地模拟器件电流增益,但方法复杂且运算量大。从应用角度考虑,物理概念明晰的解析模型更为重要。本文从求解HBT基区的二维连续性方程出发,推导出了HBT基区复合电流的解析模型,并据此计算出了器件所能达到的理论电流增益。图1HBT基区结构及边界条件示意图(a)基区结构(b)边界条件2模型推导图1(a)是一个典型的np+nHBT基区结构示意图。图中只画出器件的一半,因为器件对于发射极平面中心线是完全对称的。其中外基区表面复合速度为Sa,基极接触处的界面...  (本文共5页) 阅读全文>>

《半导体情报》1987年04期
半导体情报

晶体管基区少子寿命与中子辐照效应研究

一、中子的辐照效应 ‘},子按其能量可分为热中子、慢中子和快中子。本文只讨论快中子。当快中子轰击晶格系子时,由于中子的电中性,它很容易穿透电子壳层库仑场的屏蔽,直接与原子核发生作用。把一部分能量传递给靶原子,使品格原子发生位移,产生间隙原子和空位,称为位移损伤。玻轰击出的品格原子在晶洛点阵之间运动,一方面以电离的形式消耗能量,另一方面通过碰撞把能量传递给其它原子。碰撞与电离一直持续下去,直到能量低于原子位移阂值。 当快中子能量低于10MeV时,位移损伤与中子流量小有线性关系。可表示为: NT=aN。小=A小(1)这里。是中子与靶原子的反应截面。N。是靶原子的晶格密度,NT是弗兰克尔缺陷密度。 对于硅材料,中子与晶格原子的反应截面如图1。 在中子辐照后的瞬间,产生的间隙原子和空位在室温下是热不稳定的。它们之间还要发生竞争复合反应。一部分缺陷湮灭而消失,一部分形次缺陷复合体。复合体的形成与辐照时的环境温度、材料中杂质类型和杂质浓度等...  (本文共7页) 阅读全文>>