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宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性

一日l吉 、J.‘二刀 近年来在宽禁带耐高温半导体集成电路发展的同时,由于材料、工艺、成本等原因,宽温区、耐高温硅集成电路也得到了相当的重视.从八十年代初起国外陆续报道了一些工作在25℃~300℃的硅集成电路少‘幻. 从发表的文献中可见,宽温区、耐高温硅集成电路特别是模拟集成电路仍然广泛地使用长沟道MOSFET少俩:)其原因一方面是由于目前高温环境下使用的基本上都是中小规模集成电路的缘故,而另一方面也是长沟道MOSFET本身优点所决定的.例如,长沟道MOSFET轴出电阻很大,输出特性有很好的平方律、静态工作点很容易偏置在零温度系数点等等(.,:)长沟道MOSFET的这些特点简化了高温集成电路的结构,提高了集成电路性能随温度而变的第2期柯导明等:宽温区耐高温硅集成电路中MOS晶体管的电学特性稳定性间,因而使得长沟道MOSFET至今仍在高温硅集成电路中占有重要地位(1,,,.). 由于长沟道MOSFET在高温硅集成电路中应用的普遍性...  (本文共8页) 阅读全文>>

《电子世界》2016年24期
电子世界

基于MOS工艺的压控振荡器的设计

压控振荡器的作用是根据CP/LPF输出的包含参考信号与反馈信号频率或相位差的直流电压Vctrl,输出对应频率的振荡信号。压控振荡器主要分为两大类:环形振荡器和LC振荡器。环形振荡器(ring-oscillator)是由若干级增益电路构成的闭环环路,它结构简单,易于集成,可调频率(tuning range)范围大,能实现多相位输出,其起振条件必须满足巴克豪森准则:信号的总相移为360°或频率相关的相移为180°;闭环增益必须大于或等于单位一。值得注意的是,巴克豪森准则是环路起振的必须但不充分条件[5]。为了说明如何将巴克豪森准则具体应用到电路设计中时,考虑图1所示的环形振荡器线性模型。设环路有n级增益电路,根据巴克豪森准则第一个条件,则每级的频率相关的相移应该是180°/n,则发生振荡的频率为:(1-1)则:(1-2)进而计算得到每级增益A0。理论上,这样设计的环形振荡器就满足了巴克豪森原则。当设计的环路可以起振之后,就需要考虑如...  (本文共1页) 阅读全文>>

《产业与科技论坛》2017年04期
产业与科技论坛

基于MOS模型的吉林省大学生创业环境评价研究

一、引言目前,构建创业型经济体系已经成为国家整体经济发展的重要战略目标,大学生在国家创业型经济体系的构建过程中发挥着至关重要的作用。而国家及各个地区的创业环境的质量对于大学生创业意识的激发、创业能力的培养以及创业绩效的提升均有着非常直接的影响。创业环境支持着创业活动的开展,它作为影响创业活动的各种外部因素的组合,直接关系到了大学生创业者的实际创业绩效。吉林省大学生的整体创业环境在政府、高校及企业等各个组织多年的努力塑造之下已经基本形成了稳定的结构。但是,总体创业环境与大学生逐渐活跃起来的创业欲望之间仍然存在着一些差距。本文针对吉林省综合发展特色,深入研究大学生创业环境与实际需求之间的差距,并针对差距给出完善性发展建议,期望能够给相关政府职能部门、高校及其他社会组织在构建更为合理的创业环境方面提供一定的指导。二、国内外相关文献综述面对持续出现的大学生结构性失业问题,很多学者和研究机构都将研究的视角放到了大学生创业领域,从大学生创业...  (本文共4页) 阅读全文>>

《红外与激光工程》2017年05期
红外与激光工程

MOS电阻阵下红外诱饵模拟仿真

3.上海航天技术研究院,上海201109)0引言为了有效地提高红外制导导弹对抗红外诱饵的能力,验证导弹抗红外诱饵算法[1-3]的正确性和有效性,需要进行大量的半实物仿真验证[4-6]。在半实物仿真过程中,红外诱饵辐射特性与运动特性的真实模拟对验证导弹抗红外诱饵性能起关键性的作用,因此要建立红外诱饵模型,逼真的模拟目标机不同飞行时刻、不同飞行姿态等红外诱饵初始投放状态对红外诱饵运动方式以及辐射的影响,充分考虑不同经纬度、不同飞行高度、不同大气环境[7-8]、不同重力环境等等因素,增加其与实际红外对抗场景的符合程度,提高仿真验证结果的可信度[4]。目前国内外相关机构对红外诱饵的逼真仿真开展了大量工作,但是因其技术的敏感性,国外相关论文只是对验证抗红外诱饵算法提出具体要求,但是如何实现验证的试验方法基本没有报道。文中主要研究基于MOS电阻阵实现红外诱饵模拟技术,MOS电阻阵是一种较为接近真实物理环境辐射特性的模拟器,它温度范围宽、动态...  (本文共6页) 阅读全文>>

《电子与封装》2016年11期
电子与封装

集成电路中MOS管导通电阻测量方法

1引言MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor)是金属-氧化层-半导体场效晶体管的简称,中文简称MOS管,是一种常见的半导体功率器件[1]。由于其具有开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好、没有少子存储效应、具有负电流温度系数等优点,被广泛应用于开关电源、汽车电子、不间断电源、电力转换电路、逆变器等各个领域[2]。在MOS管的应用中其功耗大小是使用者考虑的一个重要因素,而其导通电阻的大小对其功耗有着至关重要的影响。所以,MOS管在作为功率器件的集成电路应用中,导通电阻是其最为关键的参数之一。为保证MOS管在应用电路中得到稳定应用,在其出厂时需要测试公司对其进行准确的测量。2 MOS管简介MOS管按照栅极的功能可分为增强型和耗尽型,按照沟道的材料类型可分为P沟道或N沟道,两种组合起来就有4种类型,一般主要应用的是增强型NMOS管和增强型PMOS管。和...  (本文共4页) 阅读全文>>

《微电子学》2014年02期
微电子学

基于MOS技术的基准源电路研究进展

1引言基准源作为集成电路的基本单元,在诸多功能电路中有着广泛的应用。掩埋齐纳(Zener)基准源、XFET基准源和带隙(Bandgap)基准源是三种最常用的基准源电路[1]。目前,设计一个与温度无关的基准源,最常用的方法是采用带隙基准(BGR)技术。带隙技术的主要原理是:两个工作在不同电流密度下的双极型晶体管(BJT)的基极-发射极电压差ΔVBE是一个与绝对温度成正比(PTAT)的量[2],而BJT的VBE具有负温度系数特性[2],利用这两种相反温度系数电压量的温度补偿,可以实现不受温度影响的基准源电路。然而,掩埋齐纳基准源和XFET基准源与当前主流CMOS工艺不兼容[3],BGR虽然能够与CMOS工艺兼容,但一般CMOS工艺库所提供的垂直寄生晶体管存在实现面积较大[4]、基极电阻阻值大[5]、电流增益β不够高,以及VBE的线性化温度特性模型不精确[6]等问题。此外,传统BGR电路供电电压通常高于1.4V[7],这将不适应低压、...  (本文共7页) 阅读全文>>