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体硅CMOS FinFET结构与特性研究

建立在SOI衬底上的FinFET结构被认为是最具全面优势的非常规MOS器件结构.本文通过合理的设计将FinFET结构迁移到普通体硅衬底上,利用平面凹槽器件的特性解决了非绝缘衬  (本文共3页) 阅读全文>>

《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》2011年03期
Transactions of Nonferrous Metals Society of China

有限负压下熔体硅中磷的挥发去除(英文)

对有限负压下熔体硅中磷的挥发去除进行研究。采用电子级硅配制Si-P合金,并采用GD-MS来检测实验前后硅中的磷含量。理论计算结果表明:在有限负压下,硅中的磷以P和P2的气体形式从熔体硅中挥发。实验结果显示:在温度1873K、真空度0.6-0...  (本文共6页) 阅读全文>>

《北京航空航天大学学报》2018年11期
北京航空航天大学学报

FDSOI背偏与体硅体偏电路的功耗性能对比

针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析。以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后仿真,后仿真结果表明,利用背偏技术的22 nm FDSOI环阵的输出频率可在57. 8~206 MHz的范...  (本文共7页) 阅读全文>>

《仪器仪表学报》2004年S2期
仪器仪表学报

体硅加工微电极传感器研究

应用新的体硅加工技术和新的电极表面修饰方法,提出了一种新型电流型微电极传感器。以与IC兼容的硅作为基底材料,利用体硅加工工艺,采用各向异性硅腐蚀及SU- 8微反应池方法制成了新型体硅加工电极。同时,铂化并聚合被首次用来作电极表面修饰。以葡萄糖检测为例,使用吡...  (本文共4页) 阅读全文>>

《工程热物理学报》2002年04期
工程热物理学报

单管体硅,SOI及DSOI MOSFET热分析

本文简单介绍了SOI和 DSOI半导体器件制造技术,并提出了单管体硅,SOI及 DSOI M...  (本文共3页) 阅读全文>>

《中国集成电路》2006年12期
中国集成电路

SOI和体硅集成电路工艺平台互补问题的探讨

本文讨论的SOI(SiliconOnInsulator)是BESOI(BondingandEtchbackSOI),由于在SOI材料上制造的集成电路(IC)和常规的体硅IC相比在性能上有许多优点,因此很有发展前途。目前SOI材料的性能和体硅相比确有一些差距,其主要原因是SOI的缺陷密度需进一...  (本文共6页) 阅读全文>>